「Ammonia nitrogen」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

A silicon thermal oxide film 21 formed on a surface of a silicon substrate 11 is thermally nitrided in an atmosphere (for example, an ammonia atmosphere) including nitrogen and hydrogen to form a silicon nitride oxide film 22 at least on a surface of a part of the silicon thermal oxide film 21 by nitriding the silicon thermal oxide film 21, and a dangling bond of an interface between the silicon substrate 11 and the silicon thermal oxide film 21 is terminated by hydrogen.例文帳に追加

シリコン基板１１の表面に設けられたシリコン熱酸化膜２１を、窒素および水素を含有する雰囲気中（例えば、アンモニア雰囲気中）で熱窒化することによって、シリコン熱酸化膜２１の少なくとも一部の表面に該シリコン熱酸化膜２１が窒化されてなるシリコン窒化酸化膜２２を形成し、シリコン基板１１とシリコン熱酸化膜２１との界面のダングリングボンドを水素により終端する。 - 特許庁

The finished or unfinished zirconia formed body which is partially reduced is arranged in a reaction chamber, then treated with plasma which is generated from ammonia or a mixture of nitrogen and hydrogen, at an average temperature of the article of 500-900°C and for at least 5 min.例文帳に追加

前もって完成または半完成形状に成形されている少なくとも１つのジルコニア物品を用意し、前記物品を形成するジルコニアを部分的に還元し、反応室内に前記物品を配置し、反応室内で、アンモニア、または窒素と水素の混合物、あるいはこのガスとこの混合物との組合せからプラズマを発生させ、物品の平均温度が５００〜９００℃に保たれるように状態を調節しながら、前記物品を少なくとも５分間プラズマ中に保持することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for biologically treating organic waste liquid containing high concentrations of solid matter and ammonia nitrogen, such as animal waste and night soil which enable a relatively small treatment of the animal waste, the night soil, etc. without using a methane fermentation technology to greatly reduce equipment costs, running costs, etc., and are free from a deterioration of compost.例文帳に追加

家畜糞尿、し尿等の高濃度の有機性廃液を生物学的に処理する方法及び装置に関し、メタン発酵技術を用いることなく比較的小規模な家畜糞尿、し尿等の処理を行うことを可能にし、従って設備費、ランニングコスト等を大幅に低減することができ、またコンポストの品質が低下させることがない家畜糞尿、し尿等の固形物及びアンモニア性窒素を高濃度に含む有機性廃液の処理方法及び装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

When a GaN crystal is grown on an AlN layer after sequentially forming an SiC layer and the AlN layer on an Si substrate 12 by a chemical vapor deposition method, the Si substrate 12 having a nitride semiconductor thin film is manufactured by generating nitrogen-based radical by blowing ammonia gas onto a heated mesh-shaped tungsten catalyst 14 and growing the GaN crystal by reacting the generated radical and an organic gallium compound on the AlN layer.例文帳に追加

化学気相成長法によりＳｉ基板１２上にＳｉＣ層及びＡｌＮ層を順次形成した後に、ＡｌＮ層上にＧａＮ結晶を成長させる際に、加熱したメッシュ状タングステン触媒１４にアンモニアガスを吹付けて窒素系ラジカルを生成させ、ＡｌＮ層上で有機ガリウム化合物と反応させてＧａＮ結晶を成長させることにより窒化物半導体薄膜を有するＳｉ基板１２を製造する。 - 特許庁