Ashingを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 598件
ETCHING AND ASHING APPARATUS, ASHING APPARATUS, AND ASHING AND TREATMENT METHODS例文帳に追加
エッチング兼アッシング装置、アッシング装置、アッシング方法及び処理方法 - 特許庁
ASHING PROCESSING METHOD AND ASHING TREATMENT APPARATUS例文帳に追加
アッシング処理方法およびアッシング処理装置 - 特許庁
CLEANING METHOD FOR ASHING RESIDUAL例文帳に追加
アッシング残渣の洗浄方法 - 特許庁
ASHING METHOD, ASHING APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
アッシング方法、アッシング装置、及び半導体装置の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR ASHING RESIST FILM, ITS ASHING CONDITION CALCULATING SYSTEM AND DEVICE FOR ASHING THE RESIST FILM例文帳に追加
レジスト膜のアッシング方法及びそのアッシング条件算出システム、並びに、レジスト膜のアッシング装置 - 特許庁
DETERGENT FOR PHOTORESIST ASHING RESIDUE例文帳に追加
フォトレジストアッシング残滓洗浄剤 - 特許庁
PHOTORESIST ASHING RESIDUAL CLEANING AGENT例文帳に追加
フォトレジストアッシング残さ洗浄剤 - 特許庁
DRY ASHING METHOD FOR ASHING TiN LAYER WITHOUT ISOTROPIC ETCHING例文帳に追加
TiN層を等方性エッチングなしにアッシングするドライアッシング方法 - 特許庁
CLEANING AGENT FOR RESIDUE FROM PHOTORESIST ASHING例文帳に追加
フォトレジストアッシング残滓洗浄剤 - 特許庁
PLASMA TREATMENT APPARATUS AND ASHING METHOD例文帳に追加
プラズマ処理装置及びアッシング方法 - 特許庁
In a resist ashing process, a substrate 11 where an opening part 14b are formed is put in an ashing chamber of an ashing device.例文帳に追加
レジストアッシング工程において、開口部14bが形成された基板11をアッシング装置のアッシング室に投入する。 - 特許庁
To provide an ashing system wherein variations in ashing rate over time are suppressed.例文帳に追加
アッシングレートの経時変化を抑制することができるアッシング装置を提供すること。 - 特許庁
METHOD AND APPARATUS FOR ASHING CIRCUIT BOARD例文帳に追加
回路基板のアッシング方法及びその装置 - 特許庁
ASHING PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD例文帳に追加
アッシング処理方法及び基板処理方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MANUFACTURE DEVICE AND ASHING METHOD例文帳に追加
半導体製造装置およびアッシング方法 - 特許庁
The resist mask 7 is removed by ashing, using a plasma produced from O2 ashing gas doped with an F-containing gas.例文帳に追加
レジストマスク7を、Fを含むガスを添加したO_2アッシングガスのプラズマを用いて、アッシング除去する。 - 特許庁
To overcome the problem of an ashing rate slowing down, when using the same vessel as that for etching, and residues remaining, when using an etching container for ashing, as it is.例文帳に追加
エッチングと同一の容器を用いてアッシングを行うとアッシングレートが遅くなる。 - 特許庁
Successively, ashing processing is performed by plasma including oxygen.例文帳に追加
続いて酸素を含むプラズマで灰化処理する。 - 特許庁
ASHING DEVICE AND METHOD FOR SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加
半導体ウェハのアッシング装置及びアッシング方法 - 特許庁
Before ashing, the uniformity of the ashing rate within a wafer surface is monitored.例文帳に追加
アッシング処理の前にサンプルウエハ上のレジスト層をアッシングしてウエハ面内のアッシング速度均一性をモニタする。 - 特許庁
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