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FD1を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 58件
The larger target driving force is calculated based on an additional value of a first feedback quantity FD1 based on deviation of a target vehicle speed V_T and real vehicle speed V_R and a second feedback quantity FD2 based on deviation of a request vehicle speed V_S and real vehicle speed V_R.例文帳に追加
目標車速Ｖ_T および実車速Ｖ_R の偏差に基づく第１のフィードバック量ＦＤ１と、要求車速Ｖ_S 及び実車速Ｖ_R の偏差に基づく第２のフィードバック量ＦＤ２との加算値に基づいて、より大きな目標駆動力が演算される。 - 特許庁
The drive circuit 10 comprises a photodiode array FD1 for applying a drive voltage to the gates of the MOSFETs N1 and N2, and a discharge circuit 11 connected to between the gate-source electrodes of the MOSFETs N1 and N2 for discharging the charges accumulated in respective gate electrodes.例文帳に追加
駆動回路１０は、ＭＯＳＦＥＴＮ１、Ｎ２のゲートに駆動電圧を与えるフォトダイオードアレイＦＤ１と、ＭＯＳＦＥＴＮ１、Ｎ２のゲート・ソース電極間に接続され、それぞれのゲート電極に蓄積される電荷を放電するための放電回路１１と、を含む。 - 特許庁
The solid photographing device has a picture element comprising photoelectric converters PD1, PD2 and transistors, and the plurality of photoelectric converters PD1, PD2 are formed in the depthwise direction of its one picture-element region 12, and further, floating diffusion regions FD1, FD2 are formed in the picture-element region 12.例文帳に追加
光電変換部ＰＤ１，ＰＤ２とトランジスタからなる画素を有し、１つの画素領域１２の深さ方向に複数の光電変換部ＰＤ１，ＰＤ２が形成され、画素領域１２にフローティング・ディフージョン領域ＦＤ１，ＰＤ２が形成されて成る。 - 特許庁
A distance image sensor 1 includes: a semiconductor substrate 1A having a light incidence surface 1FT and a rear face 1BK; a photo-gate electrode PG; first and second gate electrodes TX1 and TX2; first and second semiconductor regions FD1 and FD2; and a third semiconductor region SR1.例文帳に追加
距離画像センサ１は、光入射面１ＦＴと裏面１ＢＫとを有する半導体基板１Ａ、フォトゲート電極ＰＧ、第１及び第２ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２、第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２、並びに第３半導体領域ＳＲ１を備えている。 - 特許庁
In a two-stage PLL circuit equipped with a primary PLL circuit 10 and a secondary PLL circuit 20, a primary PLL free-running detection circuit 30 detects the abnormal state of input signals and outputs a first switching signal FD1 for switching the primary PLL circuit 10 to an unlocked state.例文帳に追加
１次ＰＬＬ回路１０及び２次ＰＬＬ回路２０を有する２段ＰＬＬ回路において、１次ＰＬＬ自走検出回路３０は、入力信号の異常状態を検出して１次ＰＬＬ回路１０をアンロック状態に切り替えるための第１切替信号ＦＤ１を出力する。 - 特許庁
The distance image sensor 1 includes: a semiconductor substrate 1A having a light incidence surface 1BK and a surface 1FT at a side opposite to the light incidence surface 1BK; a photo-gate electrode PG; first and second gate electrodes TX1, TX2; first and second semiconductor regions FD1, FD2; and a third semiconductor region SR1.例文帳に追加
距離画像センサ１は、光入射面１ＢＫ及び光入射面１ＢＫとは逆側の表面１ＦＴを有する半導体基板１Ａ、フォトゲート電極ＰＧ、第１及び第２ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２、第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２、並びに第３半導体領域ＳＲ１を備える。 - 特許庁
In a three-level inverter device, diodes FD1, FD2 are each connected in reverse parallel manner across a first smoothing capacitor FC1, that is arranged between the positive potential line P and an intermediate potential point C, and across a second smoothing capacitor FC2, that is arranged between the point C and a negative potential line N.例文帳に追加
３レベルインバータ装置において、正電位ラインＰと中間電位点Ｃとの間に設置される第１の平滑コンデンサＦＣ１、および中間電位点Ｃと負電位ラインＮとの間に設置される第２の平滑コンデンサＦＣ２の両端にそれぞれ、ダイオードＦＤ１，ＦＤ２を逆並列に接続する。 - 特許庁
A plurality of matching points are made to one matching point by fixing the variable capacitor CFL1 for Load of an FS matching unit FM1 to a predetermined capacitance as the preset conditions for automatic matching, and the ratio of input power and output power is managed to 1:1 for the ICP electrode ID1 and the FS electrode FD1.例文帳に追加
自動整合処理のためのプリセット条件として、ＦＳ整合器ＦＭ１のＬｏａｄ用可変コンデンサＣＦＬ１を所定の容量値に固定することで複数ある整合点を一つにすることにより、ＩＣＰ電極ＩＤ１およびＦＳ電極ＦＤ１に対して入力パワー比と出力パワー比の比率を１：１に管理する。 - 特許庁
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