「FD1」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

By electrically connecting the transfer gate TG2 to an N-type floating diffusion region FD1, a potential is changed in accordance with the amount of photogenerated charge transferred to the N-type floating diffusion region FD1.例文帳に追加

この転送ゲートＴＧ２が、Ｎ型浮遊拡散層ＦＤ１と電気的に接続されることによって、Ｎ型浮遊拡散層ＦＤ１に転送される光電荷量に応じてポテンシャルが変化する。 - 特許庁

A level shifter 60 and a charge pump circuit 70 are added to an initial unit frequency division circuit FD1 out of unit frequency division circuits FD1 to FDn which are cascade-connected to constitute the frequency division circuit 50.例文帳に追加

分周回路５０を構成する縦続接続された単位分周回路ＦＤ１〜ＦＤｎのうち、初段の単位分周回路ＦＤ１にレベルシフタ６０と、チャージポンプ回路７０を付加する。 - 特許庁

The another semiconductor region SR1 is: arranged between the semiconductor regions FD1 and FD2 and the rear surface 1BK; formed so as to cover the semiconductor regions FD1 and FD2 when viewed from a direction normal to the rear surface 1BK; and a conductivity type opposite to the semiconductor regions FD1 and FD2.例文帳に追加

半導体領域ＳＲ１は、半導体基板１Ａにおける半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２と裏面１ＢＫとの間に位置すると共に、裏面１ＢＫに直交する方向から見て、半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２を覆うように形成されており、半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２と逆の導電型である。 - 特許庁

Since the unit frequency division circuit FD1 is driven by the voltage VBC, current driving performance is improved.例文帳に追加

単位分周回路ＦＤ１は、電圧ＶＢＣにより駆動されるので電流駆動能力が向上する。 - 特許庁

The third semiconductor region SR1 is provided at the rear face 1BK side away from the first and second semiconductor regions FD1 and FD2, and is a conductivity type opposite to that of the first and second semiconductor regions FD1 and FD2.例文帳に追加

第３半導体領域ＳＲ１は、第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２から裏面１ＢＫ側に離れて設けられ、第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２と逆の導電型である。 - 特許庁

The NAS2 stores the corresponding relation of a file descriptor fd1 managed by the NAS1 and a file descriptor fd2 managed by the NAS2.例文帳に追加

NAS２は、NAS１で管理されるファイルディスクリプタｆｄ１とNAS２で管理されるｆｄ２との対応関係を保持する。 - 特許庁

The semiconductor region SR1 is positioned between the semiconductor regions FD1 and FD2 and the light incident surface 1BK in the semiconductor substrate 1A, is formed so as to cover the semiconductor regions FD1 and FD2 when viewed from a direction orthogonal to the light incident surface 1BK, and has a conductivity type opposite to that of the semiconductor regions FD1 and FD2.例文帳に追加

半導体領域ＳＲ１は、半導体基板１Ａにおける半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２と光入射面１ＢＫとの間に位置すると共に、光入射面１ＢＫに直交する方向から見て、半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２を覆うように形成されており、半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２と逆の導電型である。 - 特許庁

The third semiconductor region SR1 is provided separately at the side of the light incidence surface 1BK from the first and second semiconductor regions FD1, FD2, and is of a conductivity type opposite to that of the first and second semiconductor regions FD1, FD2.例文帳に追加

第３半導体領域ＳＲ１は、第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２から光入射面１ＢＫ側に離れて設けられ、第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２と逆の導電型である。 - 特許庁

A first and a second semiconductor areas FD1 and FD2 are arranged to be spatially separated from each other along each long side.例文帳に追加

第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、各長辺に沿って互いに空間的に離間して配置される。 - 特許庁

The radiator 1 includes: a radiation part 2 formed in a loop shape and having two power feeding points FD1, FD2; and a parasitic element 4 formed on the outer side of the radiation part 2 along a part of the radiation part 2 including the two power feeding points FD1, FD2.例文帳に追加

放射器１は、ループ状に形成され、２つの給電点ＦＤ１，ＦＤ２を有する放射部２と、２つの給電点ＦＤ１，ＦＤ２を含む放射部２の一部に沿って放射部２の外側に形成される無給電素子４とを備える。 - 特許庁

Each of the pixel circuits 111 has a photodiode PD1 for storing a signal charge, floating diffusion FD1, a transfer transistor NM1 connected between the photodiode PD1 and the floating diffusion FD1, and an amplification transistor NM3.例文帳に追加

複数の画素回路１１１の各々は、信号電荷を蓄積するフォトダイオードＰＤ１と、フローティングディフュージョンＦＤ１と、フォトダイオードＰＤ１とフローティングディフュージョンＦＤ１との間に接続された転送トランジスタＮＭ１と、増幅トランジスタＮＭ３とを備える。 - 特許庁

A first and a second semiconductor areas FD1 and FD2 are arranged to face on both sides of the light receiving area in the first direction.例文帳に追加

第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、第１方向で受光領域を挟んで対向して配置される。 - 特許庁

A plurality of capacitors C1b, C2b respectively accumulate carriers distributed into each semiconductor domain FD1, FD2.例文帳に追加

複数のキャパシタＣ１ｂ，Ｃ２ｂは、それぞれ半導体領域ＦＤ１、ＦＤ２に振り分けられたキャリアをそれぞれ蓄積している。 - 特許庁

The electrodes TX1 and TX2 transfer the electric charge generated in the light sensitive region to the semiconductor regions FD1 and FD2.例文帳に追加

電極ＴＸ１，ＴＸ２は、光感応領域にて発生した電荷を半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２に転送する。 - 特許庁

A first gate electrode TX1 is provided between the photo gate electrode PG and the first and third semiconductor regions FD1, FD3.例文帳に追加

第１ゲート電極ＴＸ１は、フォトゲート電極ＰＧと第１及び第３半導体領域ＦＤ１，ＦＤ３との間に設けられている。 - 特許庁

First and second semiconductor regions FD1, FD2 accumulate charge flowing into a region directly below the respective gate electrodes TX1, TX2.例文帳に追加

第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、各ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２の直下の領域に流れ込む電荷を蓄積する。 - 特許庁

A first and a second gate electrodes TX1 and TX2 are arranged between corresponding semiconductor areas FD1 and FD2 and the light receiving area.例文帳に追加

第１及び第２ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２は、対応する半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２と受光領域との間に配置される。 - 特許庁

The first and second semiconductor regions FD1 and FD2 accumulate charge flowing into a region directly below the respective gate electrodes TX1 and TX2.例文帳に追加

第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、各ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２の直下の領域に流れ込む電荷を蓄積する。 - 特許庁

In every shooting operation in navel vessels FS1, FS2, laser beams are emitted from a laser emitting part 23 by a shooting training device FD1.例文帳に追加

艦艇ＦＳ１，ＦＳ２において射撃操作が行われるごとに、射撃訓練装置ＦＤ１によりレーザ発光部２３からレーザ光を発射する。 - 特許庁

The first to fourth semiconductor regions FD1-FD4 are formed while overlapping one another and being surrounded by P-type well regions W1-W4.例文帳に追加

第１〜第４半導体領域ＦＤ１〜ＦＤ４は、Ｐ型のウェル領域Ｗ１〜Ｗ４と重複し且つ囲まれるようにそれぞれ形成されている。 - 特許庁

In this state, a controller 23 monitors a driving signal (focus driving signal) output from a drive amplifier 15 while a focus servo is kept OFF, detects and stores the level FD1 of a driving signal of timing of detecting a FZC signal, and sets a gate within the range of ±X volts with respect to the level FD1 of the driving signal.例文帳に追加

この状態では、フォーカスサーボはオフのままでコントローラ２３はドライブアンプ１５から出力される駆動信号（フォーカスドライブ信号）をモニタし、ＦＺＣ信号が検出されるタイミングの駆動信号のレベルＦＤ１を検出し記憶し、その駆動信号のレベルＦＤ１に対し±Ｘボルトの範囲でゲートを設定する。 - 特許庁

When the recovery current begins to decrease, the forward current flows through a freewheel diode FD1, in order to compensate for the decrease, and then flows into the soft switching coil L2.例文帳に追加

このリカバリ電流が減少し始めると、その減少を補償すべく、フリーホイールダイオードＦＤ１に順方向電流が流れ、ソフトスイッチング用コイルＬ２に流れ込む。 - 特許庁

A relay station device 31 communicates with a base station apparatus 21 via a radio line 61 at the timing of a time slot TS1 during the period of a Downlink frame FD1 and an Uplink frame FU1.例文帳に追加

中継局装置３１はDownlinkフレームＦＤ１，UplinkフレームＦＵ１の期間はタイムスロットＴＳ１のタイミングで無線回線６１を介した基地局装置２１との通信を行う。 - 特許庁

Then, a noise signal is outputted, and then the potential held in the N-type floating diffusion region FD is transferred to an N-type floating diffusion region FD1 so that an image signal is outputted.例文帳に追加

そして、ノイズ信号を出力した後、Ｎ型浮遊拡散層ＦＤに保持したポテンシャルをＮ型浮遊拡散層ＦＤ１に転送し、画像信号を出力する。 - 特許庁

A functional description FD2 of a frequency characteristic calculating circuit is used in addition to a functional description FD1 of a simulated circuit, in a time-based transition analysis S1 by a circuit simulator.例文帳に追加

回路シミュレータによる時間ベースの過渡解析（Ｓ１）には、被シミュレーション回路の機能記述（ＦＤ１）の他に、周波数特性計算回路の機能記述（ＦＤ２）が利用される。 - 特許庁

The digital filter unit 11 performs mutually different multiple kinds of filter processing with respect to one kind of voice data (VD1) and generates multiple kinds of processed voice data (e.g. FD1-FD3).例文帳に追加

デジタルフィルタ部１１は、１つの音声データ（ＶＤ１）に対して互いに異なる複数のフィルタ処理を行って複数の加工音声データ（例えばＦＤ１〜ＦＤ３）を生成する。 - 特許庁

The first and second semiconductor regions FD1, FD2 are disposed while being mutually and spatially separated along a first side at the side of the first side of the photo gate electrode PG.例文帳に追加

第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、フォトゲート電極ＰＧの第１辺側において当該第１辺に沿って互いに空間的に離間して配置されている。 - 特許庁

First and second semiconductor regions FD1 and FD2 are arranged on both sides of the photogate electrode PG in the opposite direction of the first and second long sides LS1 and LS2 so as to be opposed to each other.例文帳に追加

第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、第１及び第２長辺ＬＳ１，ＬＳ２の対向方向でフォトゲート電極ＰＧを挟んで対向して配置されている。 - 特許庁

The charge pump circuit 70 generates voltage VBC by boosting voltage VDD on the basis of a dot clock signal (signal DCLK) and supplies the voltage VBC to the unit frequency division circuit FD1.例文帳に追加

チャージポンプ回路７０は、ドットクロック信号（信号ＤＣＬＫ）に基づいて電圧ＶＤＤを昇圧して電圧ＶＢＣを生成し、単位分周回路ＦＤ１に供給する。 - 特許庁

A plurality of semiconductor areas FD1 and FD2 are arranged to face on both sides of the photo-gate electrode PG and to be spatially separated from each other along the second direction.例文帳に追加

複数の半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、第１方向でフォトゲート電極ＰＧを挟んで対向し且つ第２方向に沿って互いに空間的に離間して配置されている。 - 特許庁

The transistor Tr11 is switched off when discharge of light is finished, and the transistor Tr12 is switched off after a prescribed time, and information of a charge amount in the accumulation parts FD1, FD2 is acquired.例文帳に追加

また、発射終了時点でトランジスタＴｒ１１をオフし、所定時間遅れてトランジスタＴｒ１２をオフして、蓄積部ＦＤ１，ＦＤ２の電荷量の情報を取得する。 - 特許庁

The solid-state imaging device 100 further includes a controller 110 for turning OFF the switching transistor 114 in a transfer period during which the signal charge is transferred from the photodiode PD1 to the floating diffusion FD1.例文帳に追加

また、固体撮像装置１００は、さらに、フォトダイオードＰＤ１からフローティングディフュージョンＦＤ１に信号電荷を転送する転送期間においてスイッチトランジスタ１１４をオフする制御部１１０を備える。 - 特許庁

A first and a second gate electrodes TX1 and TX2 are arranged between corresponding semiconductor areas FD1 and FD2 and the light receiving area and electrical charge transfer signals whose phases are different are given thereto.例文帳に追加

第１及び第２ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２は、対応する半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２と受光領域との間に配置され、異なる位相の電荷転送信号が与えられる。 - 特許庁

The sensor has a constitution wherein source electrodes of transistors Tr11, Tr12, Tr20 are connected to a cathode of a photoelectric conversion element PD, and drain electrodes of the transistors Tr11, Tr12 includes charge accumulation parts FD1, FD2.例文帳に追加

センサは、光電変換素子ＰＤのカソードに、トランジスタＴｒ１１，Ｔｒ１２，Ｔｒ２０のソース電極が接続された構成にされ、トランジスタＴｒ１１，Ｔｒ１２のドレイン電極に、電荷蓄積部ＦＤ１，ＦＤ２を備える。 - 特許庁

Since the driving performance of the initial stage unit frequency division circuit FD1 to which the signal DCLK having a large frequency is inputted is improved, the operation margin of the frequency division circuit 50 can be increased.例文帳に追加

周波数の大きな信号ＤＣＬＫが入力される初段単位分周回路ＦＤ１の駆動能力が向上することで、分周回路５０の動作マージンを大きくすることができる。 - 特許庁

The radiating element 21, 22 has at least a part of outer shape formed such that its distance from the Y axis increases with increasing the distance from a midpoint of a line segment joining feed points FD1, FD2 to each other along the Y axis.例文帳に追加

放射素子２１，２２は少なくとも外形の一部が給電点ＦＤ１，ＦＤ２を結ぶ線分の中点からＹ軸に沿って遠ざかるにつれてＹ軸との距離が大きくなるように形成される。 - 特許庁

A distance detection sensor 1 comprises: a semiconductor substrate 1A with a light incident surface 1FT as well as a rear surface 1BK; electrodes TX1 and TX2; semiconductor regions FD1 and FD2; and another semiconductor region SR1.例文帳に追加

距離画像センサ１は、光入射面１ＦＴと裏面１ＢＫとを有する半導体基板１Ａ、電極ＴＸ１，ＴＸ２、半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２、及び半導体領域ＳＲ１を備える。 - 特許庁

A distance image sensor 1 includes a semiconductor substrate 1A having a light incident surface 1BK and a surface 1FT, electrodes TX1 and TX2, semiconductor regions FD1 and FD2 and a semiconductor region SR1.例文帳に追加

距離画像センサ１は、光入射面１ＢＫと表面１ＦＴとを有する半導体基板１Ａ、電極ＴＸ１，ＴＸ２、半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２、及び半導体領域ＳＲ１を備える。 - 特許庁

Since the parasitic element 4 is arranged along a part of the radiation part 2 including the power feeding points FD1, FD2, the parasitic element 4 receives comparatively large energy from the radiation part 2, so as to allow resonance to easily occur.例文帳に追加

給電点ＦＤ１，ＦＤ２を含む放射部２の一部に沿って無給電素子４が配置されるので、無給電素子４は放射部２から比較的大きなエネルギーを受けることにより共振を起こしやすくなる。 - 特許庁

In the device, when the reflected wave arrives, after the transistors Tr11, Tr12, Tr20 are switched on and discharge of light is started, the transistor Tr20 for discharging the charge is switched off, and charge transfer from the element PD to the accumulation parts FD1, FD2 is started.例文帳に追加

本装置は、トランジスタＴｒ１１，Ｔｒ１２，Ｔｒ２０をオンし、光の発射開始後、反射波が到達した頃に、電荷排出用のトランジスタＴｒ２０をオフして、素子ＰＤから蓄積部ＦＤ１，ＦＤ２への電荷転送を開始する。 - 特許庁

An area immediately below the photo-gate electrode PG includes first areas CG1 located between the semiconductor areas FD1 and FD2 facing in the first direction and second areas CG2 sandwiched between the first areas CG1 in the second direction.例文帳に追加

フォトゲート電極ＰＧの直下の領域は、第１方向で対向する半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２の間に位置する第１領域ＣＧ１と、第１領域ＣＧ１に第２方向で挟まれる第２領域ＣＧ２と、を含む。 - 特許庁

When receiving the information for reporting the beam receiving result, the shooting training device FD1 of the navel vessels FS1, FS2 generates and displays information indicating the shooting result based on the reporting information of the beam receiving result.例文帳に追加

艦艇ＦＳ１，ＦＳ２の射撃訓練装置ＦＤ１は、上記受光結果を通知するための情報を受信すると、当該受光結果の通知情報をもとに射撃の結果を表す情報を生成してこれを表示する。 - 特許庁

Since carriers generated in the photo-sensitive region 1G easily and reliably flow in the first semiconductor regions FD1 and the second semiconductor regions FD2, it is possible to reduce the number of carriers remaining in the photo-sensitive region 1G.例文帳に追加

光感応領域１Ｇ内で発生したキャリアが第1半導体領域ＦＤ１及び第2半導体領域ＦＤ２内に確実に流れ込みやすくなり、光感応領域１Ｇ内におけるキャリアの残留を抑制することができる。 - 特許庁

A reversal conveyance part 50 conveys a sheet P along a reversal conveyance path, and rotates the sheet P around a rotation shaft that is in parallel with a main conveyance path in a sheet conveyance direction FD1, and thereby reversing both sides of the sheet P.例文帳に追加

反転搬送部５０は、反転搬送経路に沿って用紙Ｐを搬送し、主搬送経路における用紙搬送方向ＦＤ１と平行な回転軸を中心として用紙Ｐを回転させることにより、用紙Ｐの表裏を反転させる。 - 特許庁

In the third semiconductor regions SR1, a potential on the first and second short sides SS1 and SS2 side is set to be higher than a potential in a region located between the first and second semiconductor regions FD1 and FD2 in a region immediately under the photogate electrode PG.例文帳に追加

第３半導体領域ＳＲ１は、第１及び第２短辺ＳＳ１，ＳＳ２側でのポテンシャルをフォトゲート電極ＰＧの直下の領域における第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２の間に位置する領域でのポテンシャルよりも高めている。 - 特許庁