「FZ method」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an apparatus for manufacturing a single crystal, with which electric discharge occurring at the slit of an induction heating coil can be effectively prevented and a high quality single crystal with a high degree of single crystallization can be stably manufactured even when a single crystal having a large diameter is manufactured by an FZ method.例文帳に追加

ＦＺ法により大口径の単結晶を製造する場合であっても、誘導加熱コイルのスリットで生じる放電を効果的に防止でき、高い単結晶化率で安定して高品質の単結晶を製造することのできる単結晶製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a semiconductor single crystal by an FZ method where the degradation of a crystal shape is suppressed, resistivity distribution in a plane in a diameter direction is controlled and particularly the variation of the resistivity in the plane is reduced even if the semiconductor single crystal has a specially large diameter of 150 mm or more and to provide an apparatus for producing the semiconductor single crystal capable of performing the producing method.例文帳に追加

特に１５０ｍｍ以上の大直径の半導体単結晶でも、結晶形状の悪化が抑えられ、径方向の面内抵抗率分布を制御することができ、特には面内での抵抗率のバラツキを低減することが可能なＦＺ法による半導体単結晶の製造方法、およびこのような製造方法を実施可能な半導体単結晶の製造装置を提供する。 - 特許庁

This single crystal-growing apparatus is obtained by providing three floors for working respectively in close to chambers corresponding to respecting working faces at least for multicrystal set, for zoning and for taking out of single crystal, in the apparatus for growing crystal by floating zone method(FZ method), equipped with at least multicrystal set chamber, a zoning chamber and a single crystal taking out chamber.例文帳に追加

少なくとも多結晶セットチャンバ、ゾーニングチャンバおよび単結晶取出しチャンバを具備するフローティングゾーン法（ＦＺ法）による単結晶育成装置において、チャンバに近接して設ける作業用フロアを、少なくとも多結晶セット用、ゾーニング用および単結晶取出し用の各作業面に対応する位置に三箇所設けることを特徴とするＦＺ法単結晶育成装置。 - 特許庁

The method for producing an SOI substrate comprises a step for preparing an Si basic body 21 produced by floating zone(FZ) method, a step for forming an ion implantation layer 24 in the Si basic body 21 by implanting oxygen ions from the surface side thereof, and a step for forming a buried Si oxide layer 25 beneath a single crystal Si layer on the surface side by heat treating the Si basic body.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の作製方法において、フローティング・ゾーン法（ＦＺ法）により作製したＳｉ基体２１を用意する工程と、該Ｓｉ基体２１の該主表面側から酸素をイオン注入し、該Ｓｉ基体中にイオン注入層２４を形成する工程と、該Ｓｉ基体を熱処理して、該種表面側の単結晶Ｓｉ層の下方に埋め込まれた酸化Ｓｉ層２５を形成する埋め込み酸化Ｓｉ層形成工程とを有する。 - 特許庁

To provide an apparatus for growing single crystal by FZ method, capable of avoiding risk of high-place work which becomes higher as crystal becomes heavier and longer, cleaning single crystal-growing atmosphere and working environment, improving problem on the apparatus by shortening idling time to ensure safety of worker and capable of improving reliability of operation and improving labor saving and productivity.例文帳に追加

ＦＺ法単結晶育成装置において、結晶の高重量化、長尺化に伴って生じる高所作業の危険性を回避し、単結晶育成雰囲気および作業環境を清浄化し、アイドリング時間を短縮するため、装置上の問題点を改善して作業者の安全性を確保し、かつ作業の確実性を向上させ、省力化と生産性の改善を図ることのできるＦＺ法単結晶育成装置を提供する。 - 特許庁