H2 O2の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 13件
Furthermore, H2 and O2 generated from a rechargeable battery are added.例文帳に追加
又蓄電池より発生したH2、O2を付け加える。 - 特許庁
UTILIZATION OF EXPLOSIVE ENERGY OF CHEMICAL SUBSTANCES, IN PARTICULAR, N2, O2, H2例文帳に追加
化学物質,特にN2,O2,H2を利用しての発明 - 特許庁
To the ends of these chemical reaction, H2 is supplied to the O2 rich cathode supply flow, and/or O2 is supplied to the H2 rich cathode supply flow.例文帳に追加
それらの端部にまで、H_2がO_2の豊富なカソード供給流れに供給され、及び/又はO_2がH_2の豊富なアノード供給流れに導入される。 - 特許庁
That is, the completely charged battery discharges, and the H2 and the O2 are also generated in this discharge period.例文帳に追加
すなわち完全充電したバッテリーは放電しこの放電時期にまたH2,O2が発生する。 - 特許庁
(2) In the above material (1), the excitation gas used for the glow discharging plasma treatment under atmospheric pressure is Ar or He and its reaction gas is O2, N2, H2, or CO2.例文帳に追加
上記 において、大気圧グロー放電プラズマ処理に用いる励起ガスがAr又はHeであり、反応ガスがO_2、N_2、H_2又はCO_2である。 - 特許庁
Further, auxiliary decomposition gas of one or more of H2, O2 and H2O is preferably added to the waste gas.例文帳に追加
更に、本発明の好ましい態様に係る排ガスの処理方法は、更に排ガスにH_2、O_2及びH_2Oのいずれか1種以上の分解補助ガスを添加することを特徴とする。 - 特許庁
A diamond film (a dielectric 4) is film formed by a microwave CVD device in the vacuum of 50 Torr with CH4(2%)+O2(1%)/H2 as the gaseous starting material.例文帳に追加
原料ガスとしてCH_4(2%)+O_2(1%)/H_2を用い、50Torrの真空中でマイクロ波CVD装置によってダイアモンド膜(誘電体4)を成膜した。 - 特許庁
By irradiating the water molecule decomposing material 19 with a light containing a ultraviolet ray in the exhaust process, the water molecule decomposing material 19 decomposes water molecules into hydrogen (H2) and oxygen (O2).例文帳に追加
排気工程時に水分子分解物質19に紫外線を含む光を照射することによって、水分子分解物質19が水分子が水素(H_2)と酸素(O_2)とに分解する。 - 特許庁
To provide systems for statically eliminating noncondensable gasses from facilities susceptible to damage from combustion of built-up noncondensable gasses, such as H2 and O2 in nuclear power plants.例文帳に追加
原子力発電プラント内のH2およびO2などの滞留した非凝縮性ガスが燃焼することにより損傷を受けやすい設備から非凝縮性ガスを静的に除去するシステムを提供する。 - 特許庁
This ceramic is manufactured by the process wherein a powder compact containing iron additives is sintered in an atmosphere of comparatively low oxygen partial pressure (N2, 95N2-5H2, H2 etc.), then in the next process it is heat treated in the atmosphere of higher oxygen partial pressure than before (N2, 80N2-20O2, O2, etc,).例文帳に追加
鉄などの添加剤を含む粉末成形体を酸素分圧が相対的に低い雰囲気(N_2、95N_2−5H_2、H_2など)で焼結した後、それより酸素分圧が高い雰囲気(N_2、80N_2−20O_2、O_2など)で熱処理する工程とからなる。 - 特許庁
In this method for forming a silicon oxide film, a silicon substrate is inserted into a furnace, and while the pressure in the furnace is kept at 760 Torr or lower, O2 gas is made to react with H2 gas, and the produced H2O gas is injected inside the furnace, making the silicon substrate wet and oxidized.例文帳に追加
本発明によるシリコン酸化膜形成方法は、シリコン基板を炉中へ引き込んで、炉内部の圧力を760torr以下に維持しながら、O_2及びH_2ガスを反応させて生成されたH_2Oガスを炉中へ注入してシリコン基板を湿式酸化することを特徴とする。 - 特許庁
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