例文 (5件) |
I evの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5件
Accordingly, in case of the weak acceleration intention I, mode is switched equivalently to expansion of the EV region, and the EV running can be expanded according to the weak acceleration intention along with the driving force control based on the smaller cAPO at S17.例文帳に追加
従って弱い加速意図Iの場合、EV領域を拡大したと等価なモード切り替えが行われ、S17での小さなcAPOに基づく駆動力制御と相まって、弱い加速意図に符合するEV走行の拡大が可能である。 - 特許庁
In case of I-1, in S19, HEV running is performed by a mode switch control based on comparison of the smaller cAPO and APOa, and in case of I-2, in S2, EV running is performed by a mode switch based on comparison of the smaller cAPO and APOa.例文帳に追加
I−1の場合S19で、小さなcAPOと、APOaとの対比に基づくモード切り替え制御によりHEV走行させ、I−2の場合S2で、小さなcAPOと、APOaとの対比に基づくモード切り替えによりEV走行させる。 - 特許庁
Electron scanning for every line of lines shown by 11, 12, 13,... is executed within an image pickup range I of a two-dimensional image pickup element and the two-dimensional video signals of the blood vessel Ev is outputted.例文帳に追加
Iは二次元撮像素子の撮像範囲であり、L1、L2、L3、・・・ で示したラインごとの電子走査が行われ、血管Evの二次元の映像信号を出力する。 - 特許庁
HF, HBr or HI, optical band gap of the amorphous silicon thin film is not higher than 2.0 eV and the peak strength ratio I(SiH_2)/I(SiH) between the SiH_2 bond and SiH bond of an obtained amorphous silicon thin film may be lower than 0.2.例文帳に追加
得られる非晶質シリコン薄膜のSiH_2結合とSiH結合とのピーク強度比I(SiH_2)/I(SiH)が0.2未満であってもよい。 - 特許庁
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