| 意味 | 例文 |
MNOS memoryの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5件
SINGLE-CHARGE STORING MNOS MEMORY, MONOS MEMORY, AND METHOD FOR DRIVING THE SAME例文帳に追加
単一電荷蓄積MNOSメモリ及びMONOSメモリ並びにそれらの駆動方法 - 特許庁
To provide a nonvolatile memory and manufacturing method thereof, having a novel cell structure having both a scalability equal to that of the floating gate type memory cell and high reliability equal or higher than an MNOS type memory cell.例文帳に追加
フローティングゲート型メモリセルに匹敵するスケーラビリティと、MNOS型メモリセルと同等以上の高い信頼性とを併せ持った新規なセル構造の不揮発性メモリおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device that greatly suppresses generation of leakage current through a gate insulating film in the so-called MNOS structure.例文帳に追加
いわゆるMNOS構造において、ゲート絶縁膜を介した漏れ電流の発生を大幅に抑制させた半導体メモリ装置の提供。 - 特許庁
A data holding characteristic is improved by using a silicon nitride film of which Si-H coupling density is ≤1×10^19 cm^-3 as a charge accumulation layer 4 of a non-volatile memory such as an MNOS memory or an MONOS memory.例文帳に追加
MNOSメモリまたはMONOSメモリ等の不揮発性メモリの電荷蓄積層4としてSi−H結合密度が1×10^19cm^−3以下の窒化珪素膜を用いることにより、データ保持特性の改善を図る。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory element, which has the same functions as those of a booster gate, in the case of an MONOS type or an MNOS type and in which the number of manufacturing processes is not increased.例文帳に追加
例えばMONOS型あるいはMNOS型といった不揮発性の電気的書き換えが可能な半導体メモリ素子であって、ブースター・ゲートと同じ機能を有し、しかも、製造工程が増えることのない半導体メモリ素子を提供する。 - 特許庁
| 意味 | 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|