| 意味 | 例文 |
Memory Typeの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2649件
MEMORY ARRAY USING SOI-TYPE TRANSISTOR例文帳に追加
SOI型トランジスタを用いたメモリアレイ - 特許庁
NAND TYPE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加
NAND型不揮発性半導体メモリ - 特許庁
FLOATING GATE TYPE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加
浮遊ゲート型不揮発性半導体メモリ - 特許庁
STACK GATE TYPE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加
スタックゲート型不揮発性半導体メモリ - 特許庁
METHOD FOR MAPPING DISTRIBUTING TYPE CACHE MEMORY例文帳に追加
分散式キャッシュメモリーのマッピング方法 - 特許庁
SHARED MEMORY DISTRIBUTION TYPE PARALLEL COMPUTER例文帳に追加
分散共有メモリ型並列計算機 - 特許庁
SCHOTTKY TYPE ERASABLE AND PROGRAMMABLE MEMORY例文帳に追加
ショットキー型消去書き込み可能メモリー - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF NOR-TYPE MEMORY CELL OF NON- VOLATILE MEMORY DEVICE例文帳に追加
非揮発性メモリ素子のNOR型メモリセルの製造方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND DYNAMIC TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加
半導体記憶装置およびダイナミック型半導体記憶装置 - 特許庁
METHOD FOR FORMATTING MEMORY MEDIUM OF MEDIUM EXCHANGE TYPE MEMORY DEVICE例文帳に追加
媒体交換型記憶装置の記憶媒体フォーマット方法 - 特許庁
A memory apparatus may be a resistive cross point memory (RXPtM) cell type (e.g. a magnetic random access memory (MRAM).例文帳に追加
抵抗性クロスポイントメモリ(resistive cross point memory(RXPtM))セルタイプ(例えば磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM))とすることが可能なメモリ装置。 - 特許庁
A diffused layer 2 in a memory cell is an n-type semiconductor memory, and the memory cell has an n-type region 4.例文帳に追加
メモリセルの拡散層2がn型である半導体メモリであって、n型領域4を有している。 - 特許庁
CONTROL SYSTEM FOR NAND TYPE FLASH MEMORY例文帳に追加
NAND型フラッシュメモリの制御システム - 特許庁
FLASH MEMORY MOUNTED TYPE SINGLE-CHIP MICROCOMPUTER例文帳に追加
フラッシュメモリ搭載型シングルチップマイクロコンピュータ - 特許庁
FLASH MEMORY MOUNTED TYPE SINGLE CHIP MICROCOMPUTER例文帳に追加
フラッシュメモリ搭載型シングルチップマイクロコンピュータ - 特許庁
MEMORY ACCESS METHOD FOR SELF TIME TYPE TLB例文帳に追加
セルフタイム式TLBのメモリアクセス方法 - 特許庁
METHOD FOR PROGRAMMING NAND-TYPE FLASH MEMORY DEVICE例文帳に追加
ナンド型フラッシュメモリ装置のプログラム方法 - 特許庁
RESISTANCE CHANGE TYPE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加
抵抗変化型不揮発性半導体メモリ - 特許庁
You also need to enable Memory Type Range Register in your kernel: 例文帳に追加
MemoryTypeRangeRegisterも有効にする必要があります。 - Gentoo Linux
NAND TYPE FLASH MEMORY DEVICE AND DATA ERASE METHOD FOR NAND TYPE FLASH MEMORY例文帳に追加
NAND型フラッシュメモリデバイス及びNAND型フラッシュメモリのデータ消去方法 - 特許庁
The page table entries are respectively provided with a first- type memory cell and a second-type memory cell.例文帳に追加
ページテーブルエントリは各々、第1タイプのメモリセルと、第2タイプのメモリセルを有する。 - 特許庁
A plural-memory type module which uses the single memory bus is provided.例文帳に追加
シングルメモリバスを用いた複数メモリ型モジュールを提供する。 - 特許庁
MEMORY MODULE AND MEMORY SYSTEM INCLUDING SIMM/DIMM-TYPE STRUCTURE例文帳に追加
SIMM/DIMM構造を有するメモリモジュール及びメモリシステム - 特許庁
2-BIT MEMORY TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
2ビット記憶型半導体記憶装置およびその製造方法 - 特許庁
MEMORY MODULE HAVING MEMORY SYSTEM CONSTITUTION WITH SHORT LOOP THROUGH TYPE例文帳に追加
短いループスルー方式のメモリシステム構成を有するメモリモジュール - 特許庁
To shorten a memory access cycle time in a synchronous bank type memory.例文帳に追加
同期バンク型メモリにおいてメモリアクセスサイクル時間を短縮する。 - 特許庁
PHASE CHANGE TYPE NONVOLATILE MEMORY CELL, MEMORY ARRAY USING PHASE CHANGE TYPE NONVOLATILE MEMORY CELL AND METHOD FOR RECORDING INFORMATION IN PHASE CHANGE TYPE NONVOLATILE MEMORY CELL例文帳に追加
相変化型不揮発性メモリ素子、該相変化型不揮発性メモリ素子を用いたメモリアレーおよび該相変化型不揮発性メモリ素子の情報記録方法 - 特許庁
RESISTANCE CHANGING TYPE MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
抵抗変化型メモリとその製造方法 - 特許庁
LOW POWER CONSUMPTION TYPE DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加
低消費電力型ダイナミックランダムアクセスメモリ - 特許庁
MAGNETIC TUNNEL JUNCTION TYPE MEMORY CELL AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND MAGNETIC TUNNEL JUNCTION TYPE MEMORY CELL ARRAY例文帳に追加
磁気トンネル接合型メモリセルおよびその製造方法、磁気トンネル接合型メモリセルアレイ - 特許庁
SHIFT COMMUNICATION METHOD FOR DISTRIBUTED MEMORY TYPE MULTIPROCESSOR SYSTEM, AND DISTRIBUTED MEMORY TYPE MULTIPROCESSOR SYSTEM例文帳に追加
分散メモリ型マルチプロセッサシステムのシフト通信方法および分散メモリ型マルチプロセッサシステム - 特許庁
COMPETITION TYPE GAME DEVICE CHARACTER MEMORY CONTROL METHOD OF COMPETITION TYPE GAME MACHINE AND MEMORY MEDIUM例文帳に追加
対戦型ゲーム装置、対戦型ゲーム装置のキャラクタ記憶制御方法、及び記憶媒体 - 特許庁
The module includes plural memory devices including at least one 1st memory device of a 1st memory type and at least one 2nd memory device of a 2nd memory type and the minimum configuration of the plural memory devices includes one memory device of the 1st memory type and one or two memory devices of the 2nd memory type.例文帳に追加
モジュールは、第1のメモリタイプの少なくとも1つの第1メモリデバイスと、第2のメモリタイプの少なくとも1つの第2メモリデバイスとを含む複数のメモリデバイスを含み、複数のメモリデバイスの最小コンフィギュレーションが、第1メモリタイプの1つのメモリデバイスと、第2メモリタイプの1つまたは2つのメモリデバイスとを含む。 - 特許庁
In this memory device, a memory card is constituted by use of a write-once type memory IC such as PROM.例文帳に追加
本発明は、PROM等のライワンス型のメモリICを用いてメモリカードを構成する。 - 特許庁
MEMORY DEVICE AND OPEN TYPE GAS COMBUSTION APPARATUS USING THE MEMORY DEVICE例文帳に追加
記憶装置及び記憶装置を用いた開放型ガス燃焼器具 - 特許庁
MANUFACTURE OF NOR TYPE FLASH MEMORY DEVICE例文帳に追加
NOR型フラッシュメモリ装置の製造方法 - 特許庁
DATA MEMORY COMPRESSION IN EVENT TYPE TEST SYSTEM例文帳に追加
イベント型テストシステムにおけるデータメモリ圧縮 - 特許庁
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