| 意味 | 例文 |
Memory Typeの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2649件
ELECTRONIC EQUIPMENT MOUNTING MEMORY TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE例文帳に追加
記憶型液晶表示装置を搭載した電子機器 - 特許庁
SPLIT-GATE TYPE FLASH MEMORY ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
スプリットゲート型フラッシュメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
MAGNETIC WALL DISPLACEMENT TYPE MEMORY CELL MATERIAL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
磁壁移動型メモリセル材料およびその作製方法 - 特許庁
To provide a synchronous type memory card conversion adapter which copes with a synchronous type memory card host controllers of a plurality of specifications.例文帳に追加
複数の規格の同期式メモリーカードホストコントローラに対応できる同期式メモリーカード変換アダプタを提供する。 - 特許庁
ONE-TRANSISTOR TYPE DRAM TYPE MEMORY CELL, MANUFACTURING METHOD THEREOF AND INTEGRATE CIRCUIT例文帳に追加
1トランジスタ型DRAMタイプメモリセル及びその製造方法並びに集積回路 - 特許庁
The synchronous-type flash memory device shares a system bus with the synchronous-type DRAM device.例文帳に追加
同期型フラッシュメモリ装置は同期型DRAM装置とシステムバスとを共有する。 - 特許庁
DYNAMIC TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS, DOUBLE DATA RATE SYNCHRONOUS DYNAMIC TYPE RANDOM ACCESS MEMORY, SEMICONDUCTOR MEMORY CIRCUIT APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT APPARATUS例文帳に追加
ダイナミック型半導体記憶装置、ダブル・データ・レート・シンクロナス・ダイナミック型ランダム・アクセス・メモリ、半導体記憶回路装置及び半導体集積回路装置 - 特許庁
The reader 42 and the controller 41 are formed as a portable type and the memory medium 43 is formed as a type (for example, a memory chip type, disk type or cassette type) freely attachable and detachable to and from the reader 42.例文帳に追加
ここでリーダー42及びコントローラ41は携帯型とし、記憶媒体43はリーダー42に対して着脱自在なタイプ(例えばメモリチップ型、ディスク型又はカセット型)とする。 - 特許庁
MULTI-PORT VOLATILE MEMORY DEVICE, LOW-SPEED MEMORY LINK TYPE HIGH-SPEED MEMORY DEVICE, DATA PROCESSING APPARATUS AND MULTI-CHIP SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
マルチポート揮発性メモリ装置、低速メモリリンク型高速メモリ装置、データ処理装置及びマルチチップ半導体装置 - 特許庁
The memory cell (MC_1) of the MONOS type non-volatile memory is constituted of a control transistor (C_1) and a memory transistor (M_1).例文帳に追加
MONOS型不揮発性メモリのメモリセル(MC_1)は、コントロールトランジスタ(C_1)とメモリトランジスタ(M_1)とで構成されている。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device which includes fin-type FETs adopted as memory cells, and arrays of small memory cells.例文帳に追加
メモリセルとしてFin型FETを採用し、かつ、メモリセルアレイのサイズが小さい半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
NON-CONTACT TYPE MEMORY LABEL SYSTEM, RECORDING METHOD TO NON-CONTACT TYPE MEMORY LABEL DEVICE, VERIFICATION METHOD FOR RECORDED CONTENTS, NON-CONTACT TYPE MEMORY LABEL DEVICE AND READER-WRITER FOR MEMORY LABEL AND RECORDING MEDIUM AND SYSTEM-ON-CHIP TYPE INTEGRATED DEVICE例文帳に追加
非接触型メモリラベルシステムおよび非接触型メモリラベル装置への記録方法と記録内容の検証方法および、非接触型のメモリラベル装置とメモリラベル用リーダライタ装置および、記録媒体および、システム・オン・チップ型集積装置 - 特許庁
A mapping condition is checked for the memory type and memory size of the PLCs of different specifications.例文帳に追加
次に、マッピング条件として、仕様の異なるPLCのメモリ・タイプとメモリ・サイズをチェックする。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing the NOR-type memory cell of a non-volatile memory device of high integration degree.例文帳に追加
集積度の高い非揮発性メモリ素子のNOR型メモリセルの製造方法。 - 特許庁
The NAND type flash memory 3 is the memory having the second erasure block size.例文帳に追加
NAND型フラッシュメモリ3は、前記第2の消去ブロックサイズを有するメモリである。 - 特許庁
STORAGE CELL FOR MEMORY ELEMENT, AS WELL AS PHASE CHANGE TYPE MEMORY ELEMENT AND ITS FORMING METHOD例文帳に追加
記憶素子のための貯蔵セル、ならびに相変化記憶素子及びその形成方法 - 特許庁
PROGRAMMING METHOD OF FLASH MEMORY CELL, AND PROGRAMMING METHOD OF NAND TYPE FLASH MEMORY USING THIS例文帳に追加
フラッシュメモリセルのプログラム方法及びこれを用いたNAND型フラッシュメモリのプログラム方法 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device including a FBC type memory cell with the use of a silicon substrate.例文帳に追加
FBC型メモリセルを有する半導体記憶装置をシリコン基板を用いて実現する。 - 特許庁
PROCESSING SYSTEM FOR TEST AND COPY AGAINST REMOTE MEMORY IN DISTRIBUTED MEMORY-TYPE PARALLEL COMPUTER例文帳に追加
分散メモリ型並列計算機におけるリモートメモリに対するテストアンドコピーの処理方式 - 特許庁
A memory cell array 110 has the 1T/1C type memory cell arranged in a matrix state.例文帳に追加
メモリセルアレイ110は、行列状に配置された1T/1C型メモリセルを有する。 - 特許庁
To dynamically operate memory access type data including tiled or untiled memory access.例文帳に追加
タイル状および非タイル状メモリアクセスを含むメモリアクセスタイプのデータを動的に操作する。 - 特許庁
A memory cell array constituting a NAND cell type flash memory has a word line control circuit 2.例文帳に追加
NANDセル型フラッシュメモリを構成するメモリセルアレイは、ワード線制御回路2を有する。 - 特許庁
FULL ELECTRONIC FLASH MEMORY TYPE EXTERNAL STORAGE METHOD AND DEVICE例文帳に追加
全電子フッラシュ・メモリ式外部記憶方法及びその装置 - 特許庁
SPLIT-GATE TYPE FLASH MEMORY ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
スプリットゲート型のフラッシュメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
DATA TRANSFER SYSTEM FOR MEMORY DISTRIBUTION TYPE PARALLEL COMPUTER例文帳に追加
分散メモリ型並列計算機におけるデータ転送方式 - 特許庁
METHOD FOR RESETTING MEMORY-TYPE LIQUID CRYSTAL, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY例文帳に追加
メモリ性液晶のリセット方法及び液晶表示装置 - 特許庁
To perform an easy inhibit control by a resistance change type memory.例文帳に追加
抵抗変化型メモリで簡易なインヒビット制御を行う。 - 特許庁
DATA COMMUNICATION METHOD FOR SHARED MEMORY TYPE MULTIPROCESSOR SYSTEM例文帳に追加
共有メモリ型マルチプロセッサシステムにおけるデータ通信方法 - 特許庁
MEMORY RENTAL SERVICE SYSTEM OF INDEPENDENT TYPE IDENTIFICATION DEVICE例文帳に追加
独立型本人認証装置におけるメモリレンタルサービスシステム - 特許庁
START OF PROJECTOR BY SYSTEM STORED IN PORTABLE TYPE MEMORY例文帳に追加
携帯型メモリに格納されたシステムによるプロジェクタの起動 - 特許庁
PERFORMANCE ENHANCEMENT TECHNIQUE FOR MAIN MEMORY SHARING TYPE MULTIPROCESSOR SYSTEM例文帳に追加
主記憶共有型マルチプロセッサシステムの高性能化技術 - 特許庁
GRAPHIC PROCESSING SYSTEM PROVIDED WITH FUNCTION EXTENSION TYPE MEMORY CONTROLLER例文帳に追加
機能拡張型メモリコントローラを備えるグラフィックス処理システム - 特許庁
GRAPHICS PROCESSING SYSTEM PROVIDED WITH FUNCTION EXTENSION TYPE MEMORY CONTROLLER例文帳に追加
機能拡張型メモリコントローラを備えるグラフィックス処理システム - 特許庁
DRIVING METHOD OF AC DISCHARGE MEMORY OPERATING TYPE PLASMA DISPLAY PANEL例文帳に追加
交流放電メモリ動作型プラズマディスプレイパネルの駆動方法 - 特許庁
SPIN ACCUMULATION MAGNETIC REVERSAL TYPE MEMORY ELEMENT, AND SPIN RAM例文帳に追加
スピン蓄積磁化反転型のメモリ素子及びスピンRAM - 特許庁
INFORMATION RECORDING AND REPRODUCING DEVICE USING BATCH ERASING TYPE MEMORY例文帳に追加
一括消去型メモリを用いた情報記録再生装置 - 特許庁
MOS TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
MOS型半導体記憶装置およびその製造方法 - 特許庁
DYNAMIC TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY, AND REFRESH CONTROL METHOD例文帳に追加
ダイナミック型半導体メモリおよびそのリフレッシュ制御方法 - 特許庁
SYNCHRONIZING TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY HAVING POSTED CAS FUNCTION例文帳に追加
ポステッドCAS機能を有する同期式半導体メモリ装置 - 特許庁
EXCHANGE UNIT AND METHOD OF MOUNTING CONTACTLESS TYPE MEMORY TAG例文帳に追加
交換ユニットおよび非接触型メモリタグの取り付け方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT WITH RECESS-TYPE CONTROL GATE ELECTRODE例文帳に追加
リセスタイプの制御ゲート電極を備える半導体メモリ素子 - 特許庁
CROSS-POINT TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY DFVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
クロスポイント型半導体メモリ装置及びその製造方法 - 特許庁
To make a program developed for an asynchronous type memory be usable for a synchronous type memory without being corrected.例文帳に追加
非同期式メモリ用に開発されたプログラムを修正すること無くそのまま同期式メモリに使用できるようにする。 - 特許庁
MEMORY CARD RECOGNIZING SYSTEM, CAPACITY SWITCHING TYPE MEMORY CARD HOST EQUIPMENT, CAPACITY SWITCHING TYPE MEMORY CARD, STORAGE CAPACITY SETTING METHOD, AND STORAGE CAPACITY SETTING PROGRAM例文帳に追加
メモリカード認識システム、容量切り替え型メモリカード・ホスト機器、容量切り替え型メモリカード、記憶容量設定方法及び記憶容量設定プログラム - 特許庁
To provide a phase change type nonvolatile memory cell capable of recording/erasing at a high speed, and to provide a memory array using the phase change type nonvolatile memory cell and a method for recording information in the phase change type nonvolatile memory cell.例文帳に追加
高速記録・消去が可能な相変化型不揮発性メモリ素子、該相変化型不揮発性メモリ素子を用いたメモリアレーおよび該相変化型不揮発性メモリ素子の情報記録方法を提供する。 - 特許庁
On a semiconductor chip 1 as a unit, a NOR-type flash memory forming area 2, including NOR type memory cell transistors and a DINOR-type flash memory formation area 3 are formed.例文帳に追加
1単位の半導体チップ1にNOR型メモリセルトランジスタを含むNOR型フラッシュメモリ形成領域2とDINOR型フラッシュメモリ形成領域3とが作り込まれている。 - 特許庁
When they are mounted in the order of the card type memory M_2 → the USB memory M_1 reversely, the copy of the card type memory M_2 → the USB memory M_1 is instructed from the dubbing direction command part 4 to the dubbing part 5.例文帳に追加
逆に、カード型メモリーM_2→USBメモリーM_1の順で装着すると、ダビング方向指令部4からダビング部5へはカード型メモリーM_2→USBメモリーM_1のコピーが指示される。 - 特許庁
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