「Memory Type」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

DISTRIBUTED SHARED MEMORY TYPE MULTIPROCESSOR SYSTEM AND PLANE DEGRADATION METHOD例文帳に追加

分散共有メモリ型マルチプロセッサシステム及びプレーンデグレード方法 - 特許庁

CARD-TYPE MEMORY, IMAGE FORMING APPARATUS, AND IMAGE FORMING APPARATUS STARTING METHOD例文帳に追加

カード型メモリ、画像形成装置、画像形成装置起動方法 - 特許庁

A diffusion layer of memory cell and the selective gate transistor is n-type.例文帳に追加

メモリセル及び選択ゲートトランジスタの拡散層は、ｎ型である。 - 特許庁

A NAND-type flash memory device comprises a plurality of row selectors.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリ装置は複数の行選択器を含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a split gate type flash memory device.例文帳に追加

スプリットゲート型フラッシュメモリ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

NAND TYPE FLASH MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING SOI SUBSTRATE例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリおよびＳＯＩ基板の製造方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND NAND TYPE FLASH MEMORY例文帳に追加

半導体装置およびＮＡＮＤ型フラッシュメモリの製造方法 - 特許庁

SHAPE MEMORY ALLOY PIPE TYPE ACTUATOR, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

形状記憶合金パイプ型アクチュエータ及びその作製方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY SOLUTION USING SINGLE/POLY P-TYPE FLASH TECHNOLOGY例文帳に追加

シングルポリ・ｐフラッシュ技術を使用した不揮発性メモリソリューション - 特許庁

A trench area 14 is formed on a memory cell P-type well 13.例文帳に追加

メモリセルＰ型ウェル１３にトレンチ領域１４を形成する。 - 特許庁

STACK GATE-TYPE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

スタックゲート型不揮発性半導体メモリ、及びその製造方法 - 特許庁

DISK DEVICE AND READ-AHEAD CONTROL METHOD FOR ROTARY TYPE MEMORY DEVICE例文帳に追加

ディスク装置及び回転型記憶装置の先読み制御方法 - 特許庁

SPLIT GATE TYPE NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

スプリットゲート型不揮発性メモリ装置及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR INTERCHANGEABLY EXPRESSING COLOR MEMORY TYPE PHOTOINDUCED COLOR CHANGE FUNCTION IN PICTURE BOOK AND INTERCHANGEABLE COLOR MEMORY TYPE PHOTOINDUCED COLOR CHANGING PICTURE BOOK例文帳に追加

絵本における色彩記憶性光変色機能の互変的発現方法、及び互変的色彩記憶性光変色性絵本 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory in which a memory block can be divided arbitrarily to a 1T/1C type area and a 2T/2C type area.例文帳に追加

メモリブロックを１Ｔ／１Ｃ型領域と２Ｔ／２Ｃ型領域とに任意に分割できる強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device having a static type memory cell such as a single end type and capable of performing writing by a column unit.例文帳に追加

シングルエンド方式などのスタティック型メモリセルを有する半導体記憶装置でカラム単位での書き込み等を可能にする。 - 特許庁

To reduce the number of pin terminals of a controller for accessing a synchronous type memory and a non synchronous type memory in parallel or simultaneously.例文帳に追加

同期型メモリと非同期型メモリとに並列的または同時的にアクセスするコントローラのピン端子数を削減すること。 - 特許庁

The first type memory spare corresponds to one of a row and a column portion of memory, the second complementary memory spare corresponds to the other of row and column portions of memory.例文帳に追加

第１のタイプのメモリスペアはメモリのローおよびカラム部の一方に対応し、第２の相補型メモリスペアはメモリのローおよびカラム部の他方に対応する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory which comprises a memory cell array comprised of sidewall type memory cells, and is capable of block erasure equal with a flash memory.例文帳に追加

サイドウォール型メモリセルで構成されたメモリセルアレイを備え、且つ、フラッシュメモリと同等にブロック消去が可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

METHOD OF PROGRAMMING MEMORY DEVICE OF ONE-TIME PROGRAMMABLE TYPE, AND INTEGRATED CIRCUIT INCORPORATING THE MEMORY DEVICE例文帳に追加

ワンタイム・プログラマブル・タイプのメモリ素子をプログラミングする方法および該メモリ素子を組み込む集積回路 - 特許庁

The cascade type interconnection system has at least two memory assemblies and a memory bus.例文帳に追加

このカスケード型相互接続システムは少なくとも２つのメモリ・アセンブリとメモリ・バスを備えている。 - 特許庁

To increase the speed of reading data from a ferroelectric memory having 2T/2C type memory cells.例文帳に追加

２Ｔ／２Ｃ型のメモリセルを有する強誘電体メモリに関し、データ読み出しの高速化を図る。 - 特許庁

To perform access to a dual port memory in arbitrary timing without depending on the type of a dual port memory.例文帳に追加

デュアルポートメモリの種類に依存しないで、デュアルポートメモリに対して任意のタイミングでアクセスする。 - 特許庁

MEMORY-CELL STRUCTURE OF NON-VOLATILE FLASH MEMORY WITH SLIT TYPE GATE ELECTRODE AND ITS OPERATING METHOD例文帳に追加

スリット式ゲート電極を有する不揮発性フラッシュメモリの記憶セル構造及びその操作方法 - 特許庁

The plurality of memory cells have a memory cell n-type transistor Tr2 for maintaining data.例文帳に追加

複数のメモリセルの各々は、データを保持するためのメモリセル用ｎ型トランジスタＴｒ２を有している。 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY CELL, ITS MANUFACTURING METHOD, RESISTANCE VARIABLE TYPE NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR DESIGNING THE NONVOLATILE MEMORY CELL例文帳に追加

不揮発性メモリセルおよびその製造方法、抵抗可変型不揮発性メモリ装置、並びに不揮発性メモリセルの設計方法 - 特許庁

A SRAM circuit of an initial-value setting type configured by the memory cell 100 is used as a program memory and also a data memory.例文帳に追加

メモリセル１００により構成された初期値設定型のＳＲＡＭ回路は、プログラムメモリ兼データメモリとして使用できる。 - 特許庁

The destructive read type memory 4 has no rewriting control part, a controller 5 holds data read out of the destructive read type memory 4, and a coherency control part 6 holds the memory coherency of the destructive read type memory 4.例文帳に追加

破壊読出し型メモリ４は、再書込み制御部を有せず、制御装置５は、破壊読出し型メモリ４から読み出したデータを保持し、メモリコヒーレンシ制御部６により破壊読出し型メモリ４のメモリコヒーレンシを保持するように動作する。 - 特許庁

The secure memory 11 uses a memory capable of watching the enumeration of recorded information such as the optical memory of a diffraction grating type utilizing fine working techniques or hologram type optical memory, for example.例文帳に追加

セキュアメモリ１１には、例えば微細加工技術を利用した回折格子型の光メモリや、ホログラム型の光メモリのような、記録された情報の羅列を見ることが可能なものが用いられる。 - 特許庁

To provide a memory system capable of suppressing latency with respect to a read command to the same degree as an NOR type flash memory while using an inexpensive NAND-type flash memory.例文帳に追加

安価なＮＡＮＤ型フラッシュメモリを使用しつつも、読み出し命令に対するレイテンシをＮＯＲ型フラッシュメモリと同程度に抑制することが可能なメモリシステムを得る。 - 特許庁

The storage M comprises two physically separate memory features 1 and 2, for example, a ROM type fixed memory 1 and a reprogrammable EEPROM-type memory 2.例文帳に追加

メモリＭは、物理的に区別される２つの保存機構１、２、たとえば、「ＲＯＭ」タイプの固定メモリ１と、「ＥＥＰＲＯＭ」タイプの再プログラミング可能なメモリ２とを備える。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR MANAGING BLOCK ACCORDING TO UPDATE TYPE OF DATA IN BLOCK-TYPE MEMORY例文帳に追加

ブロック方式のメモリにおいてデータの変更類型に応じてブロックを管理する方法および装置 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE EFFECT ELEMENT, MAGNETORESISTIVE EFFECT TYPE MAGNETIC SENSOR, MAGNETORESISTIVE EFFECT TYPE MAGNETIC HEAD, AND MAGNETIC MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサ、磁気抵抗効果型磁気ヘッド、および磁気メモリ - 特許庁

RESISTANCE CHANGE ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD AND RESISTANCE CHANGE TYPE MEMORY例文帳に追加

抵抗変化素子とその製造方法ならびに抵抗変化型メモリ - 特許庁

NAND-TYPE NONVOLATILE MEMORY DEVICE HAVING COMMON BIT LINE例文帳に追加

共通ビットラインを有するＮＡＮＤ構造の不揮発性メモリ素子 - 特許庁

DISTRIBUTED SHARED MEMORY TYPE PARALLEL COMPUTER AND INSTRUCTION SCHEDULING METHOD例文帳に追加

分散共有メモリ型並列計算機および命令スケジューリング方法 - 特許庁

SHAPE MEMORY ALLOY THIN FILM DRIVING TYPE BREAKER AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

形状記憶合金薄膜駆動型ブレーカ及びその製造方法 - 特許庁

PACKET TYPE MEMORY SYSTEM WITH ARITHMETIC PROCESSING FUNCTION AND CONTROL METHOD THEREFOR例文帳に追加

演算処理機能付パケット型メモリシステムおよびその制御方法 - 特許庁

PORTABLE TYPE VIRTUAL MEMORY APPARATUS WHICH MAKES EQUIPMENT ON NETWORK SHARABLE例文帳に追加

ネットワーク上の機器を共有可能とする可搬型仮想記憶装置 - 特許庁

To provide a split gate type flash memory and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

スプリットゲート型フラッシュメモリ素子及びその製造方法の提供。 - 特許庁

FIELD TYPE SINGLE ELECTRONIC BOX MULTI-LEVEL MEMORY CIRCUIT AND ITS CONTROL METHOD例文帳に追加

電界型単電子箱多値メモリ回路およびその制御方法 - 特許庁

DYNAMIC TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND REFRESH CONTROL METHOD THEREOF例文帳に追加

ダイナミック型半導体記憶装置およびそのリフレッシュ制御方法 - 特許庁

FERROELECTRIC TYPE NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, AND ITS DRIVING METHOD例文帳に追加

強誘電体型不揮発性半導体メモリ及びその駆動方法 - 特許庁

This apparatus is a dynamic type semiconductor memory apparatus including a semiconductor chip.例文帳に追加

半導体チップを含むダイナミック型半導体記憶装置である。 - 特許庁

INFORMATION ACCESS SYSTEM AND ACTIVE-TYPE NONCONTACT INFORMATION MEMORY DEVICE例文帳に追加

情報アクセス・システムおよびアクティブ型非接触情報記憶装置 - 特許庁