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MiMを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 411



例文

MIM CAPACITOR例文帳に追加

MIM容量 - 特許庁

MIM CAPACITOR例文帳に追加

MIMキャパシタ - 特許庁

The MIM RRAM stack 120 is on a bit line 122.例文帳に追加

MIM RRAMスタック120は、ビット線122の上にある。 - 特許庁

MIS/MIM ELECTRON EMITTER例文帳に追加

MIS/MIM電子放出素子 - 特許庁

例文

MIM SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

MIM基板及びその製造方法 - 特許庁


例文

MIM DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS例文帳に追加

MIM素子および電子装置 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING MIM CAPACITOR例文帳に追加

MIMキャパシタの製造方法 - 特許庁

FABRICATION OF MIM CAPACITOR例文帳に追加

MIMキャパシタの製造方法 - 特許庁

MIM TYPE ELECTRON EMITTING ELEMENT AND MIM TYPE ELECTRON EMITTING DEVICE例文帳に追加

MIM型電子放出素子およびMIM型電子放出装置 - 特許庁

例文

The diode 118 is formed on an MIM RRAM stack 120 in order.例文帳に追加

ダイオード118は、順番としてMIM RRAMスタック120の上に形成される。 - 特許庁

例文

A first metal-insulator-metal (MIM) capacitor is formed in the first region.例文帳に追加

第1金属‐絶縁体‐金属(MIM)コンデンサは、第1領域に形成される。 - 特許庁

To provide microwave brazing using a MIM preform.例文帳に追加

MIMプリフォームを使用するマイクロ波ロウ付け方法の提供 - 特許庁

The MIM capacitive element comprises a main MIM capacitive element part, and a dummy MIM element arranged therearound.例文帳に追加

MIM容量素子は、主MIM容量素子部とその周囲に配置されたダミーMIM素子部で構成される。 - 特許庁

A second MIM capacitor is in the second region and positioned at the substantially same level with the first MIM capacitor.例文帳に追加

第2MIMコンデンサは、第2領域に位置し、第1MIMコンデンサと実質的に同じレベルに位置する。 - 特許庁

To provide a dual-dielectric MIM capacitor for system-on-chip applications.例文帳に追加

システムオンチップアプリケーション用の二重誘電体MIMコンデンサを提供する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING MIM CAPACITOR例文帳に追加

MIMキャパシタを有する半導体素子 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MIM CASPACITOR例文帳に追加

半導体装置およびMIMキャパシタ - 特許庁

MIM CAPACITOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

MIMキャパシタおよびその製造方法 - 特許庁

DEVICE, AND METHOD (MIM CAPACITOR AND ITS MANUFACTURING METHOD)例文帳に追加

デバイス、方法(MIMキャパシタおよびその製造方法) - 特許庁

MIM CAPACITOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

MIMキャパシタおよびその作製方法 - 特許庁

MIM CAPACITOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

MIMキャパシタとその製造方法 - 特許庁

The upper electrode 120 of the lower MIM capacitor is connected to the lower electrode 122 of the upper MIM capacitor while the lower electrode 124 of the lower MIM capacitor is connected to the upper electrode 130 of the upper MIM capacitor.例文帳に追加

下部MIMキャパシタの上部電極120は上部MIMキャパシタの下部電極122に接続され、一方、下部MIMキャパシタの下部電極124は上部MIMキャパシタの上部電極130に接続される。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING MIM TUNNEL DIODE例文帳に追加

MIM型トンネルダイオードの製造方法 - 特許庁

MIM CAPACITOR AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

MIMキャパシタ及びその製造方法 - 特許庁

MICROWAVE PROCESSING OF MIM PREFORM例文帳に追加

MIMプリフォームをマイクロ波処理する方法 - 特許庁

THIN FILM MIM CAPACITOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

薄膜MIMキャパシタ及びその製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING MIM STRUCTURE RESISTOR例文帳に追加

MIM構造抵抗体を搭載した半導体装置 - 特許庁

LARGE CAPACITANCE MIM CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

大容量MIMキャパシタ及びその製造方法 - 特許庁

MIM CAPACITY ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

MIM容量素子およびその製造方法 - 特許庁

FINGERLIKE MIM CAPACITOR WITH LOCAL INTERCONNECTION PART例文帳に追加

局部相互接続部を伴う指状MIMキャパシタ - 特許庁

MICROWAVE BRAZING USING MIM PREFORM例文帳に追加

MIMプリフォームを使用するマイクロ波ロウ付け方法 - 特許庁

MIM CAPACITOR FOR SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加

半導体集積回路用MIM容量装置 - 特許庁

MIM CAPACITOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

MIM容量およびその製造方法 - 特許庁

MIM COLD CATHODE ELEMENT AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

MIM型の冷陰極素子及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING MIM BRAZE PREFORM例文帳に追加

MIMロウ材プリフォームの製造方法 - 特許庁

To improve an MIM capacitor and its manufacturing method.例文帳に追加

MIMキャパシタとその製造方法の改善。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR CIRCUIT, AND MIM CAPACITANCE CIRCUIT例文帳に追加

回路製造方法、MIM容量回路 - 特許庁

ARRANGING STRUCTURE OF MIM TYPE CAPACITIVE ELEMENT例文帳に追加

MIM型容量素子の配置構造 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE MOUNTED WITH METAL INSULATOR METAL (MIM) STRUCTURE RESISTOR例文帳に追加

MIM構造抵抗体を搭載した半導体装置 - 特許庁

To provide an MIM (metal-insulator-metal) capacitor that has a high capacitance.例文帳に追加

金属-絶縁体-金属キャパシタを提供する。 - 特許庁

BOLOMETER PIXEL WITH MIM-TYPE INTEGRATION CAPACITOR例文帳に追加

MIM積分キャパシタを有するボロメータピクセル - 特許庁

MIM-TYPE NONLINEAR ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

MIM型非線形素子とその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING MIM TYPE CAPACITOR ELEMENT例文帳に追加

MIM型容量素子の製造方法 - 特許庁

THIN-FILM MIM CAPACITOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

薄膜MIMキャパシタ及びその製造方法 - 特許庁

To reduce leakage current of an MIM capacitance circuit.例文帳に追加

MIM容量回路のリーク電流を削減する。 - 特許庁

MIM CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD OF SAME例文帳に追加

MIMキャパシタ及びその製造方法 - 特許庁

To form a high-capacity, highly-reliable MIM capacitor in a simple production method in a semiconductor device having a MIM capacitor.例文帳に追加

MIMキャパシタを有する半導体装置において、高容量で信頼性の高いMIMキャパシタを簡易な製造方法で形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a MIM capacitive element wherein electric capacitance of the MIM capacitive element per unit area is increased.例文帳に追加

MIM容量素子を備えた半導体装置において、MIM容量素子の単位面積あたりの電気容量を大きくする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, in which the capacitance of a MIM (metal-insulator-metal) capacitor increases, while the occupancy area of the MIM capacitor is kept small.例文帳に追加

MIMキャパシタの専有面積を小さく保ったまま、MIMキャパシタの容量を大きくすることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

例文

To enable a high reliability (life time)of an MIM capacitance element by improving a structure of the MIM capacitance element and by improving manufacturing process.例文帳に追加

MIM容量素子の構造の改善、および製造工程の改善を図ることにより、MIM容量素子の高信頼性(寿命)を可能とする。 - 特許庁

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