「P- type」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

MANUFACTURING METHOD OF P-TYPE GAN SYSTEM COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ系化合物半導体の製造方法 - 特許庁

p-TYPE ACTIVATION METHOD OF GaN BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＧａＮ系化合物半導体のｐ型活性化方法 - 特許庁

p-TYPE ACTIVATION METHOD OF AlGaN BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ＡｌＧａＮ系化合物半導体のｐ型活性化方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体の製造方法 - 特許庁

ACTIVATION METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM TO P-TYPE例文帳に追加

化合物半導体薄膜のｐ型への活性化方法 - 特許庁

METHOD FOR GROWING P-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体の成長方法 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING p-TYPE SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

ｐ型半導体結晶の製造方法および発光デバイス - 特許庁

p-TYPE TRANSPARENT OXIDE FILM DEPOSITING METHOD, AND SOLAR CELL例文帳に追加

ｐ型透明酸化物膜の成膜方法及び太陽電池 - 特許庁

ACTIVATION METHOD OF POTASSIUM NITRIDE-BASED P-TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

窒化ガリウム系ｐ型化合物半導体層の活性化法 - 特許庁

P-TYPE SILICON SINGLE-CRYSTAL WAFER AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｐ型シリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING P TYPE OHMIC JUNCTION TO NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

窒化物半導体へのＰ型オーム性接合形成方法 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a substrate having a p-type semiconductor layer capable of avoiding deterioration in the film quality of the p-type semiconductor layer and activating p-type impurities in the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型半導体層の膜質の劣化を避けるとともに、ｐ型半導体層におけるｐ型不純物の活性化を可能とする、ｐ型半導体層を備える基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the p-type dopant concentration of a p-type Al_ZGa_1-ZN layer 21 is prescribed, independently of the p-type dopant concentration N_P19 of a p-type AL_YGA_1-YN layer 19.例文帳に追加

また、ｐ型Ａｌ_ＺＧａ_１−ＺＮ層２１のｐ型ドーパント濃度がｐ型Ａｌ_ＹＧａ_１−ＹＮ層１９のｐ型ドーパント濃度Ｎ_Ｐ１９はと独立して規定される。 - 特許庁

p-TYPE LAYER FOR GROUP III NITRIDE LIGHT EMITTING DEVICE例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物発光デバイスのためのｐ型層 - 特許庁

The P-type first drain region 16 has a P-type impurity concentration higher than those of the P-type second drain region 6 and the P-type third drain region 10.例文帳に追加

Ｐ型第１ドレイン領域１６はＰ型第２ドレイン領域６及びＰ型第３ドレイン領域１０よりも濃いＰ型不純物濃度をもっている。 - 特許庁

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING p-TYPE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

ｐ型半導体層の形成方法および装置 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR P-TYPE SILICON CARBIDE LAYER例文帳に追加

ｐ型シリコンカーバイド層の製造方法 - 特許庁

To efficiently produce a P-type doped silicon precursor.例文帳に追加

Ｐ型ドープシリコン前駆体を効率よく生成する。 - 特許庁

P-TYPE ZnO SEMICONDUCTOR FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ｐ型ＺｎＯ半導体膜及びその製造方法 - 特許庁

The MOS transistor 2 is a p-channel type MOS transistor.例文帳に追加

MOSトランジスタ２はｐチャネル型MOSトランジスタである。 - 特許庁

REGISTER FILE CIRCUIT WITH P-TYPE EVALUATION例文帳に追加

Ｐ型評価を有するレジスタ・ファイル回路 - 特許庁

P-TYPE SILICON FOR FORMING INGOT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

インゴット成形用ｐ型シリコンとその製造方法 - 特許庁

The N-type and P-type latchup prevention regions 8, 12 are arranged between the P-type source region and drain region and the N-type source region and drain region respectively, and formed also under a gate connection conductor layer.例文帳に追加

N形及びP形ラッチアップ防止領域８、１２は前記P形ソ−ス領域及びドレイン領域とN形ソ−ス領域及びドレイン領域との間にそれぞれ配置され且つゲ−ト接続導体層の下にも形成されている。 - 特許庁

COMPOUND OXIDE HAVING P-TYPE THERMOELECTRIC TRANSDUCING CHARACTERISTIC例文帳に追加

ｐ型熱電変換特性を有する複合酸化物 - 特許庁

An SiGe layer 24 is formed in a P-type silicon layer 12.例文帳に追加

Ｐ型シリコン層２１内にＳiＧe層２４を形成する。 - 特許庁

METHOD OF FABRICATING P-TYPE NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR FILM例文帳に追加

ｐ型窒化物系化合物半導体膜の作製方法 - 特許庁

The surface of each p-type clad layer 5 is formed flat.例文帳に追加

ｐ型クラッド層５の表面を平坦に形成する。 - 特許庁

OHMIC CONTACT STRUCTURE ON P-TYPE GaN例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ上のオーム接触構造 - 特許庁

METHOD FOR FORMING HOLE OR GROOVE ON p-TYPE SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

ｐ型シリコン基板への穴溝形成方法 - 特許庁

Thereby, p-type ZnO film is obtained.例文帳に追加

この結果、ｐ型ＺｎＯ膜を得ることができた。 - 特許庁

The p type frame part 30 and the p type electrode 32 are insulated across a groove part 600 and the p type electrode 32 is electrically connected with the p+ type electric circuit 36.例文帳に追加

ｐ型の枠部３０とｐ型の電極３２とは溝部６００を隔てて絶縁されており、ｐ型の電極３２はｐ^+型の電路３６とのみ電気的に接続されている。 - 特許庁

Then, the first trench is filled with a p-type semiconductor 27.例文帳に追加

次いで、第１のトレンチをｐ型半導体２７で埋める。 - 特許庁

p-TYPE THERMOELECTRIC MATERIAL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｐ型熱電材料及びその製造方法 - 特許庁

P-TYPE THERMOELECTRIC MATERIAL, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｐ型の熱電材料及びその製造方法 - 特許庁

P-TYPE CONTACT ELECTRODE DEVICE AND LIGHT EMITTING DEVICE例文帳に追加

ｐ型コンタクト電極装置および発光装置 - 特許庁

By disposing the P type buried diffusion layer 9 between the P type buried diffusion layer 8 and the P type diffusion layer 10, a lateral diffusion width W1 of the P type buried diffusion layer 8 is reduced.例文帳に追加

そして、Ｐ型の埋込拡散層８とＰ型の拡散層１０との間にＰ型の埋込拡散層９が配置されることで、Ｐ型の埋込拡散層８の横方向拡散幅Ｗ１が狭められる。 - 特許庁

The p-type ohmic electrode 105 is made of Ni.例文帳に追加

ｐ型オーミック電極１０５はＮｉからなっている。 - 特許庁

A P-type impurity is doped on the polysilicon film.例文帳に追加

前記ポリシリコン膜にＰ型不純物をドーピングする。 - 特許庁

Magnesium is added to the p-type GaN-based semiconductor layer 17 as a p-type dopant, and the p-type GaN-based semiconductor layer 17 contains carbon as a p-type dopant.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ系半導体層１７にはｐ型ドーパントしてマグネシウムが添加されており、ｐ型ＧａＮ系半導体層１７はｐ型ドーパントとして炭素を含む。 - 特許庁

In the p-type clad layer 25 or p-type buried region 13, the concentration of the p-type dopant of the second part is lower than the concentration of the p-type dopant of the first part.例文帳に追加

ｐ型クラッド層２５及びｐ型埋め込み領域１３の一方において、第２部分のｐ型ドーパントの濃度が第１部分のｐ型ドーパントの濃度より低い。 - 特許庁

The p-type silicon layer 132 is left therein as it is.例文帳に追加

なお、ｐ型シリコン層１３２は、このまま残るようにする。 - 特許庁

The p-type conductive layer is formed on the active layer, and the transparent conductive layer is formed on the p-type conductive layer, and the non-p-type ohmic contact layer is disposed between the p-type conductive layer and the transparent conductive layer.例文帳に追加

ｐ型導電層は活性層上に形成し、透明導電層はｐ型導電層上に形成し、非ｐ型オーミック接触層はｐ型導電層と透明導電層の間に位置する。 - 特許庁

Thereafter, p-type impurities are ion-implanted with the oxidized film 12 as a mask, a p+-type contact region 8 is formed on the surface layer part of a p-type channel region 6, and a p+-type region 16a is formed on the Poly-Si layer 16.例文帳に追加

この後、酸化膜１２をマスクとしてｐ型不純物をイオン注入し、ｐ型チャネル領域６の表層部にｐ^+型コンタクト領域８を形成すると共に、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ層１６にｐ^+型領域１６ａを形成する。 - 特許庁

p-TYPE ZINC OXIDE THIN FILM AND METHOD FOR FORMING THE SAME例文帳に追加

ｐ型酸化亜鉛薄膜及びその作製方法 - 特許庁

In an epitaxial layer 12, a p-type embedded layer 13 A of the bottom is embeddedly formed and further a p-type connection layer 13B which connects the p-type embedded layer 13 and a p-type base layer 14 is embeddedly formed.例文帳に追加

エピタキシャル層１２には、底部のｐ型埋め込み層１３Ａが埋め込み形成され、更にｐ型埋め込み層１３とｐ型ベース層１４とを接続するｐ−型接続層１３Ｂが埋め込み形成されている。 - 特許庁