RESISTIVITYを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 2872件
RESISTIVITY EVALUATION ELEMENT, AND RESISTIVITY EVALUATION METHOD例文帳に追加
耐性評価素子および耐性評価方法 - 特許庁
RESISTIVITY MEASUREMENT METHOD例文帳に追加
抵抗率測定方法 - 特許庁
ELECTRIC EXPLORATION RESISTIVITY METHOD例文帳に追加
電気探査比抵抗法 - 特許庁
RESISTIVITY MEASURING METHOD AND SPECIFIC RESISTIVITY METER例文帳に追加
抵抗率測定方法及び固有抵抗率計 - 特許庁
RESISTIVITY MEASURING METHOD AND RESISTIVITY MEASURING DEVICE例文帳に追加
比抵抗測定方法及び比抵抗測定装置 - 特許庁
LOW RESISTIVITY SILICON CARBIDE例文帳に追加
低抵抗率炭化珪素 - 特許庁
LAYOUT PATTERN OF HIGH PRECISION RESISTIVITY例文帳に追加
高比精度抵抗レイアウトパターン - 特許庁
LOW RESISTIVITY TRANSPARENT CONDUCTOR例文帳に追加
低抵抗率透明導電体 - 特許庁
FOUR-PROBE RESISTIVITY MEASUREMENT DEVICE例文帳に追加
４探針抵抗率測定装置 - 特許庁
FOUR-PROBE RESISTIVITY MEASURING DEVICE例文帳に追加
４探針抵抗率測定装置 - 特許庁
The semiconductor layer 20 has resistivity ρ_2 (second resistivity).例文帳に追加
この半導体層２０は、比抵抗ρ_２（第２の比抵抗）をもっている。 - 特許庁
MAGNETORESISTIVE FILM WITH HIGH ELECTRICAL RESISTIVITY例文帳に追加
高電気比抵抗磁気抵抗膜 - 特許庁
PROBE FOR SURFACE RESISTIVITY MEASUREMENT AND SURFACE RESISTIVITY MEASUREMENT METHOD例文帳に追加
表面抵抗率計測用プローブ及び表面抵抗率の計測方法 - 特許庁
The semiconductor substrate 10 has resistivity ρ_1 (first resistivity).例文帳に追加
この半導体基板１０は、比抵抗ρ_１（第１の比抵抗）をもっている。 - 特許庁
RESISTIVITY MEASURING INSTRUMENT FOR SEMICONDUCTOR WAFER例文帳に追加
半導体ウェーハ抵抗率測定器 - 特許庁
HIGH-RESISTIVITY SILICON CARBIDE SINTERED COMPACT例文帳に追加
高比抵抗炭化ケイ素焼結体 - 特許庁
MEASURING INSTRUMENT FOR ELECTRIC RESISTIVITY OF DUST例文帳に追加
ダストの電気抵抗率の測定器 - 特許庁
SEMICONDUCTOR WAFER RESISTIVITY MEASURING APPARATUS例文帳に追加
半導体ウェーハ抵抗率測定装置 - 特許庁
RESISTIVITY MEASURING METHOD FOR RESISTANT FILM例文帳に追加
抵抗膜の比抵抗値測定方法 - 特許庁
HIGH-PURITY LOW-RESISTIVITY ELECTROSTATIC CHUCK例文帳に追加
高純度・低比抵抗の静電チャック - 特許庁
METHOD AND DEVICE FOR INSPECTING RESISTIVITY例文帳に追加
抵抗率検査方法及びその装置 - 特許庁
HEATING-TYPE GROUND WATER RESISTIVITY LOGGING METHOD, DETECTOR FOR HEATING-TYPE GROUND WATER RESISTIVITY LOGGING, AND MEASURING INSTRUMENT FOR HEATING-TYPE GROUND WATER RESISTIVITY LOGGING例文帳に追加
加熱式地下水検層法及び加熱式地下水検層用感知器並びに加熱式地下水検層用測定装置 - 特許庁
HIGH-RESISTIVITY MATERIAL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
高比抵抗材料とその製造方法 - 特許庁
CONTROLLED EDGE RESISTIVITY IN SILICON WAFER例文帳に追加
シリコンウェハ内の制御されたエッジ比抵抗 - 特許庁
HIGH RESISTIVITY SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL例文帳に追加
高い抵抗率の炭化ケイ素単結晶 - 特許庁
ELECTRODE ROD FOR MEASURING CONDUCTIVITY AND RESISTIVITY例文帳に追加
導電率・抵抗率測定用電極棒 - 特許庁
A filament resistivity detector 10 detects filament resistivity after the period T1.例文帳に追加
フィラメント抵抗検出手段１０は、期間Ｔ１後のフィラメント抵抗値を検出する。 - 特許庁
METHOD FOR CONNECTING ELECTRODE AND RESISTIVITY METER例文帳に追加
電極結線方法および抵抗率計 - 特許庁
A resistivity calculating means 12 calculates resistivity ρ based on the resistance value R.例文帳に追加
抵抗率算出手段１２は、抵抗値Ｒに基づいて抵抗率ρを算出する。 - 特許庁
METHOD FOR MEASURING ELECTRICAL RESISTIVITY OF SEMICONDUCTOR例文帳に追加
半導体の電気抵抗率測定方法 - 特許庁
EQUIPMENT FOR MEASURING RESISTIVITY OF POLYSILICON SUBSTRATE AND METHOD FOR MEASURING RESISTIVITY USING IT例文帳に追加
多結晶シリコン基板の抵抗率測定装置およびそれを用いた抵抗率測定方法 - 特許庁
LOW-RESISTIVITY SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加
低抵抗率炭化珪素単結晶基板 - 特許庁
(1) The initial volume specific resistivity (resistivity at the time 10 sec after voltage is applied) is 102 to 1012 Ω.cm, and (2) changes in the resistivity satisfies 0.1≤(volume specific resistivity at the time 1 hour after voltage is applied)/(initial value)≤10.例文帳に追加
（イ）体積固有抵抗率初期値（電圧印加１０秒後の値）が、１０^2 〜１０^12Ω・cmであること （ロ）０．１≦（体積固有抵抗率の電圧印加後１時間値）／（初期値）≦１０ - 特許庁
To provide an electrode of a resistivity meter which can suppress time delays, before a correct resistivity of an electrolyte solution is measured when the resistivity changes, and can measure correct resistivity.例文帳に追加
電解質液の抵抗率が変化した際に正確な抵抗率を測定するまでの時間遅れを抑制できかつ正確な抵抗率を測定できる抵抗率計の電極を提供する。 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING HIGH RESISTIVITY SILICON SINGLE CRYSTAL例文帳に追加
高抵抗シリコン単結晶の製造方法 - 特許庁
HIGH RESISTIVITY ELECTRICAL STEEL WITH EXCELLENT MACHINABILITY例文帳に追加
被削性に優れた高固有抵抗電磁鋼 - 特許庁
EXTERNAL PREPARATION FOR SKIN FOR ENHANCING ULTRAVIOLET RESISTIVITY例文帳に追加
紫外線抵抗力増強用皮膚外用剤 - 特許庁
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