「atomic step」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide: a method of growing a gallium nitride-based compound semiconductor, using a substrate made of a diboride single crystal having on its surface an atomic step linear as a whole and a flat terrace without pits and projections on its surface, and to provide a method of processing the surface of a substrate made of a diboride single crystal.例文帳に追加

全体が直線状の原子ステップ及び表面に凹凸のない平坦なテラス部を表面に有する二硼化物単結晶から成る基板を用いた窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法、及び二硼化物単結晶から成る基板の表面処理方法を提供すること。 - 特許庁

To prevent reattachment of chips produced during modification by removal to a substrate in a step of removing defective portions remaining so as to be different from a state expected by design against a design in a light shielding film Cr, an absorbing film TaN, a phase film MoSi left without being removed in the process and the substrate Qz by using a probe of an atomic force microscope.例文帳に追加

プロセス工程で除去されず残ってしまった遮光膜Ｃｒ、吸収膜ＴａＮ、位相膜ＭｏＳｉ、や基板Ｑｚの設計とは異なり残留した欠陥部分を原子間力顕微鏡の探針を用いて除去する工程において、除去修正時に発生する削り屑の基板への再付着を防止する。 - 特許庁

The method of forming a diffusion barrier used for manufacturing the semiconductor device includes a step for depositing an iridium-doped tantalum-based barrier layer on a pattern-formed intermediate dielectric (ILD) layer by a physical vapor deposition (PVD) process, and the barrier layer is deposited to form the barrier layer into amorphous structure as a result, at least 60% of an iridium concentration in terms of atomic weight.例文帳に追加

半導体デバイス製造に用いる拡散バリアを形成する方法は、物理蒸着（ＰＶＤ）工程によって、パターン形成された中間誘電体（ＩＬＤ）層の上に、イリジウム・ドープされたタンタル・ベースのバリア層を堆積するステップを含み、該バリア層は、原子量で少なくとも６０％のイリジウム濃度で、バリア層が結果としてアモルファス構造を有するように堆積される。 - 特許庁

An array of regularly arranged small holes is formed on a substrate, the substrate his heat treated to form a network of atomic steps on the substrate surface corresponding to the small hole array, and a substance different from that of the substrate is deposited on the substrate to form micro- islands, made of the substance different from that of the substrate on the cross points or curved parts of the step network.例文帳に追加

基板上に、規則的に配列した小孔アレイを形成し、前記基板を熱処理することにより、前記小孔アレイの配列に対応させて前記基板表面に原子ステップのネットワークを形成し、前記基板上に、前記基板とは異なる物質を堆積させることにより、前記ステップネットワークの分岐点あるいは湾曲部に前記基板とは異なる物質からなる微小島を形成することを特徴とする結晶成長制御法によって、上記課題を解決する。 - 特許庁