「atomic step」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A lot of terraces 5 and steps 6 exist on an offcut substrate surface of the Si because different surface reactivities are shown in a P direction 8 of a long stretch of atomic row parallel to a step edge 10 and in an N direction 7 of a short atomic row on the terrace which is perpendicular to the step edge 10 and segmentalized by the step edge 10.例文帳に追加

これは、ステップエッジ１０に平行な長く連なる原子列のＰ方向８と、ステップエッジ１０に垂直でステップエッジ１０により分断された短いテラス上の原子列のＮ方向７について異なった表面反応性を示すためである。 - 特許庁

The smoothing process may comprise a post-deposition atomic smoothing step (e.g., an assist smoothing step) in a multilayer fabrication procedure.例文帳に追加

平滑化プロセスには、多層体形成法における堆積後の原子スケールでの平滑化工程（例えば平滑化支援工程）も含まれるようにしてもよい。 - 特許庁

Then, the user observes the sample with the atomic force microscope in the observed region specified in the step S3 (step S4).例文帳に追加

その後、使用者は、ステップＳ３において指定した観察対象領域について原子間力顕微鏡による試料の観察を行う（ステップＳ４）。 - 特許庁

A ratio of atomic number of metals laminated before annealing is set to a composition ratio of the specified alloy or its approximate ratio (step 3), and each metal is laminated with a ratio of film thickness in accordance with the ratio of atomic number (step 4).例文帳に追加

この特定した合金の組成比またはその組成比に近似した比に、アニール前に積層する金属の原子数比を設定し（ステップＳ３）、その原子数比となるような膜厚比で各金属を積層形成する（ステップＳ４）。 - 特許庁

Further, an optical device or an electronic device element of the nitride semiconductor device is fabricated by using a linear step of the atomic scale.例文帳に追加

さらに、原子スケールの線状ステップを利用して窒化半導体素子の光デバイス又は電子デバイス素子を作製する。 - 特許庁

A plurality of terraces are formed in a stepped shape according to atomic step substantially in the same direction on the semiconductor substrate surface.例文帳に追加

半導体基板表面に原子ステップで段状とされた複数のテラスを実質的に同一方向に形成する。 - 特許庁

The substrate 20 includes on it the microstructure comprising linear elements extending along an atomic step on the surface of the substrate.例文帳に追加

基板２０は、基板表面の原子ステップに沿って延びた線状要素からなる微細構造をその上に備える。 - 特許庁

The user further specifies the observed region of the sample with the atomic force microscope from the observed region retrieved in the step S2b (step S3).例文帳に追加

続いて、使用者は、ステップＳ２ｂにおいて探索した観察対象領域の中から、さらに原子間力顕微鏡による試料の観察対象領域を指定する（ステップＳ３）。 - 特許庁

In the microscope system, a user mounts a sample on a sample mounting stand of an atomic force microscope (step S1), and observes the sample with an optical microscope (step S2).例文帳に追加

顕微鏡システムにおいて、使用者は、原子間力顕微鏡の試料載置台上に試料を載置し（ステップＳ１）、光学顕微鏡による試料の観察を行う（ステップＳ２）。 - 特許庁

Thus, linear elements oriented to extend along an atomic step on the surface of the substrate are obtained on the substrate 20.例文帳に追加

これにより、基板表面の原子ステップに沿って延びるようにして配向された線状要素が基板２０上に得られる。 - 特許庁

In the reduction step, atomic H is utilized to remove OH radicals, CaO bonds, etc. without damaging the fluoride substrate.例文帳に追加

還元除去工程では、フッ化物基板にダメージを与えずにＯＨ基，ＣａＯ結合等を除去するために原子状Ｈを利用する。 - 特許庁

A method for forming an insulation film includes: a step of forming the insulation film on a substrate; and a step of exposing the insulation film to atomic state oxygen O* or atomic state hydrogen nitride NH* which is generated with a plasma of an inert gas Kr or Ar to convert the film quality.例文帳に追加

基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜をＫｒあるいはＡｒを不活性ガスとしたプラズマに伴い生成された原子状酸素Ｏ*あるいは原子状窒化水素ＮＨ*に曝し、膜質を改変する工程とよりなる絶縁膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

At least on an upper surface of the GaN layer 13 at a bottom part of the trench T1 which comes into contact with the gate insulating film 15, an atomic layer step is formed.例文帳に追加

少なくともゲート絶縁膜１５と接触するトレンチＴ１底部のＧａＮ層１３上面には、原子層ステップが形成されている。 - 特許庁

After the forming step, the electronic device is exposed to plasma (118) so that the atomic concentration of carbon in a part of the dielectric layer rises, and the atomic concentration of oxygen in a part of the dielectric layer lowers.例文帳に追加

前記形成ステップの後、本方法は、前記誘電体層の一部における炭素の原子濃度が上昇し、前記誘電体層の一部における酸素の原子濃度が低下するように、前記電子デバイスをプラズマに暴露する（１１８）。 - 特許庁

In case that a reduction by H_2 is necessary at the conversion into oxides, an inert gas supply step is inserted between an atomic oxygen supply step and an H_2 supply step so that generation of H_2O by the reaction of oxygen and H_2 is avoided.例文帳に追加

酸化物に転換する際にＨ_２による還元が必要な場合は、原子状酸素供給工程とＨ_２供給工程の間に不活性ガス供給工程を挿入することで、酸素とＨ_２の反応によるＨ_２Ｏの生成を回避する。 - 特許庁

The deposition method can also be made to have a process step of depositing the atomic layer of first species at a temperature nearly optimum for deposition of the first species on the substrate.例文帳に追加

堆積方法はまた、基板上に、第１スピーシの堆積にほぼ最適な温度で、第１スピーシを原子層堆積する工程を有することができる。 - 特許庁

The user also retrieves an observed region of the sample with the atomic force microscope during observing the sample with the optical microscope (step S2b).例文帳に追加

また、使用者は、光学顕微鏡による試料の観察時に原子間力顕微鏡による試料の観察対象領域の探索も行う（ステップＳ２ｂ）。 - 特許庁

To attain high accuracy of processing of an atomic force microscope microprocessing device and to make it possible to remove process waste produced in a cutting step by a process probe.例文帳に追加

原子間力顕微鏡微細加工装置の加工の高精度化と加工探針による切削で発生した加工屑をインラインで除去可能にする。 - 特許庁

The method for producing a hydrogen generating agent includes a step of molding a body 1 of the hydrogen generating agent, and a step of adding a specific metal oxide 2 to the body 1 of the hydrogen generating agent using an ALD (atomic layer deposition) method or an LPD (liquid phase deposition) method before the molding step.例文帳に追加

水素発生剤の主体１を成型する工程と、前記成型する工程の前に、ＡＬＤ法またはＬＰＤ法を用いて、水素発生剤の主体１に特定の金属酸化物２を添加する工程とを含む水素発生剤の製造方法。 - 特許庁

The volume reduction per one calculation step (S312) in the simulation is given, by multiplying by the volume of each element the time corresponding to a single calculation step, and the atomic volume corresponding to calculated AFDgen (S310).例文帳に追加

シミュレーションにおける１計算ステップあたりの体積減少(S312)は、各要素の体積、１計算ステップに対応する時間、および計算されたＡＦＤgenに対応する原子体積を乗じることにより与えられる(S310)。 - 特許庁

Volume reduction (S312) per calculation step in the simulation is given by multiplying the volume of each element, time corresponding to one calculation step, and atomic volume corresponding to the calculated AFDgen (S310).例文帳に追加

シミュレーションにおける１計算ステップあたりの体積減少（Ｓ３１２）は、各要素の体積、１計算ステップに対応する時間、および計算されたＡＦＤ_genに対応する原子体積を乗じることにより与えられる（Ｓ３１０）。 - 特許庁

This method for manufacturing the probe for atomic force microscopic examination includes a step of preparing a semiconductor substrate 1, a step for generating a molding die on a surface in one side of the substrate, a step for generating probe structure in the one side, and a step for attaching a holder 6 to a contact areas.例文帳に追加

原子間力顕微鏡検査用のプローブを製造する方法は、半導体基板１を準備するステップと、基板の一方側の表面にモールド型を生成するステップと、上記一方側においてプローブ構造を生成するステップと、コンタクト領域に対してホルダ６を取り付けるステップとを含んでいる。 - 特許庁

The phase difference of a phase shift mask is determined by measuring the depth of the step in the shifter part 6 by using a scanning atomic force microscope so as to manufacture the phase shift mask.例文帳に追加

走査型原子間力顕微鏡によりシフター部６の段差深さを測定することにより位相シフトマスクの位相差を測定し、位相シフトマスクを製造する。 - 特許庁

To provide the laminating method of an atomic layer capable of forming a metal oxide film having excellent step coverage characteristics and high dielectric constant at a high deposition speed.例文帳に追加

優れたステップカバレージ特性及び高誘電率を有する金属酸化物の膜を、高い蒸着速度で形成することのできる原子層積層方法を提供する。 - 特許庁

This method includes a step for simulating situations of an atomic power plant based on various status values and judges (a step 103) whether fuel is valid or not at the time of simulating conditions of the plant.例文帳に追加

発明に係る方法は原子力発電プラントの状態を様々な状態値に基づいて模擬する段階を含み、原子力発電プラントの状態を模擬するにあたり、燃料が健全であるか、否かを判定する（ステップ１０３）。 - 特許庁

Continuously, the light absorbing layer is formed to have the prescribed film thickness by repeating the adhesion of the raw material at the atomic layer level through a mask opening by sputtering (step S4) and the exposure thereof to the oxidizing or nitriding atmosphere (step S5).例文帳に追加

続いて、その光吸収層はその原料物質のスパッタリングによるマスク開口を通した原子層レベルの付着と（ステップＳ４）とその酸化性／窒化性雰囲気への曝露（ステップＳ５）を繰り返して所定の膜厚にする。 - 特許庁

To reduce process-step counts and to simplify the apparatus by enabling precise removal at an atomic or molecular level, without generating affected layer by realizing a process using an optical catalyzer.例文帳に追加

光触媒による加工を実現して、原子分子レベルの精密な除去加工を可能とし、加工変質層を生じることなく、加工工程数を低減し、装置も単純化する。 - 特許庁

The atomic arrangement simulation method for performing simulation for arraying atoms in a preset shape comprises: a temporary arrangement step of temporarily arranging the atoms in the shape; an annealing step of annealing the atoms arranged by the temporary arrangement step on the basis of potentials between the atoms; and a coarseness and minuteness adjustment step of adjusting the coarseness and minuteness relation of the atoms annealed by the annealing step.例文帳に追加

予め設定された形状に原子を配列するためのシミュレーションを行う原子配置シミュレーション方法において、前記形状に原子を仮配置する仮配置ステップと、前記仮配置ステップにより配置された原子を原子間ポテンシャルに基づいてアニーリングするアニーリングステップと、前記アニーリングステップによりアニーリングされた原子の粗密関係を調整する粗密調整ステップとを有することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes a step of forming an insulation film on the semiconductor substrate, a step of dry-etching the insulation film by a dry process, and a step of removing the damaged layer occurring on the semiconductor substrate by the dry etching by thermally decomposed atomic hydrogen at a predetermined temperature.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を、ドライ工程によりエッチングする工程と、前記エッチングにより前記半導体基板上に生じたダメージ層を、熱分解した原子状の水素により、所定の温度下で除去する工程とを含む。 - 特許庁

A manufacturing method of a light-emitting device sequentially include: a conductive member preparation step of preparing a conductive member 1 having a reflection film 1b; a light-emitting device disposition step of disposing a light-emitting device 3 on the reflection film; and a protective film formation step of forming a protective film 5 on the reflection film by an atomic layer deposition method.例文帳に追加

発光装置の製造方法は、反射膜１ｂを備える導電部材１を準備する導電部材準備工程と、反射膜上に発光素子３を配置する発光素子配置工程と、原子層堆積法により反射膜上に保護膜５を形成する保護膜形成工程と、を順に有する。 - 特許庁

The steam generated from a pure water dispersion of titanium oxide is adopted for the photocatalyst steam of the first step and the surface of the object for cleaning is irradiated with the light including the UV rays for the second step, by which the surface of the object for cleaning may be 'highly cleaned' to the molecular and atomic levels.例文帳に追加

第１のステップの光触媒水蒸気を酸化チタンの純水分散液から発生した水蒸気とし、第２のステップの紫外線を含む光を照射することにより、浄化対象物の表面を分子、原子レベルに“精清浄化”することができる。 - 特許庁

Through the atomic layer deposition process, a silicon-rich nanocrystal structure that includes silicon-rich insulating layers and silicon-rich nanocrystal layers, and having a high silicon content and superior step coverage can be formed.例文帳に追加

原子層蒸着工程を通じてシリコンリッチ絶縁層とシリコンリッチナノクリスタル層を含んで高いシリコン含量と優れた段差塗布性を有するシリコンリッチナノクリスタル構造物を形成することができる。 - 特許庁

To provide a thin film treatment device where, even if a growing method in which raw materials are alternatively made to flow for growing a thin film having a satisfactory step coverage is performed, the time for performing the growth of one atomic layer can be reduced.例文帳に追加

段差被覆性の良い薄膜を成長するため原料を交互に流す成長法を行っても１原子層の成長を行う時間を短縮できる薄膜処理装置を提供する。 - 特許庁

The film is adhered and aligned in a single step with a method containing a step to shoot an ion-beam at the substrate with a specified incident angle and simultaneously to adhere the film to the substrate (a) and to align an atomic structure of the film in at least a specified aligning direction (b).例文帳に追加

基板をイオン・ビームで指定の入射角で衝撃して、同時に（ａ）基板上に膜を付着しながら、（ｂ）膜の原子構造を少なくとも１つの所定の配向方向に配列するステップを含んでいる方法によって、膜を単一のステップで付着させ配向させる。 - 特許庁

The method for depositing thin films of metal oxides on a substrate in a reaction vessel of an atomic layer vapor deposition apparatus using plasma includes a step of supplying raw metal compounds into the reaction vessel, a step of supplying gaseous oxygen into the reaction vessel, and a step of generating oxygen plasma in the reaction vessel during the predetermined time.例文帳に追加

プラズマを用いる原子層蒸着装置の反応器内において基板上に金属酸化物膜を形成する方法であって、反応器内に金属原料化合物を供給する段階と、反応器内に酸素ガスを供給する段階と、反応器内に所定時間中に酸素プラズマを生じさせる段階と、を含む金属酸化物膜の形成方法。 - 特許庁

The method for forming a metal oxide film on the substrate in the reactor of atomic layer depositing equipment, using the plasma includes a step of feeding metal material compound into the reactor, a step of feeding oxygen gas into the reactor, and a step of producing oxygen plasma during a prescribed time inside the reactor.例文帳に追加

プラズマを用いる原子層蒸着装置の反応器内において基板上に金属酸化物膜を形成する方法であって、反応器内に金属原料化合物を供給する段階と、反応器内に酸素ガスを供給する段階と、反応器内に所定時間中に酸素プラズマを生じさせる段階と、を含む金属酸化物膜の形成方法。 - 特許庁

The method for forming a metal oxide film on the substrate in a reactor of an atomic layer vapor deposition apparatus using plasma includes: a step of supplying a metallic source compound into the reactor; a step of supplying oxygen gas into the reactor; and a step of generating oxygen plasma during a predetermined time in the reactor.例文帳に追加

プラズマを用いる原子層蒸着装置の反応器内において基板上に金属酸化物膜を形成する方法であって、反応器内に金属原料化合物を供給する段階と、反応器内に酸素ガスを供給する段階と、反応器内に所定時間中に酸素プラズマを生じさせる段階と、を含む金属酸化物膜の形成方法。 - 特許庁

The method for manufacturing a molecular device which comprises a step of using a molecular structure having an atomic density higher in the peripheral part than in the inner part and bondable residues in the peripheral part to allow the above bondable residues to crosslink and the like are disclosed.例文帳に追加

内部よりも周囲部分の原子密度が高く、周囲部分に結合性残基を有する分子構造体を用い、前記の結合性残基を架橋させる工程を含む、分子デバイスの製造方法など。 - 特許庁

The method includes (a) a step of providing the template formed with CNT or CNT sequence, (b) a step of forming the inorganic nanotubes on the external side of the CNT by performing vapor deposition of inorganic materials on the template by an atomic layer deposition (ALD) method and (c) a step of obtaining the inorganic nanotubes or an inorganic nanotube sequence by the interrelated inorganic nanotubes by removing the CNT.例文帳に追加

イ）ＣＮＴまたはＣＮＴ配列が形成されたテンプレートを設ける段階と、ロ）原子層蒸着（ＡＬＤ）法により前記テンプレート上に無機物の蒸着を行い、前記ＣＮＴの外側面に無機物ナノチューブを形成する段階と、ハ）前記ＣＮＴを除去して相互関連した無機物ナノチューブによる無機物ナノチューブまたは無機物ナノチューブ配列を得る段階とを含む。 - 特許庁

In the formation of an optical attenuation film obtained by layering a dielectric layer and a light absorbing layer being a plurality of layers on a substrate, the dielectric layer is formed to have a prescribed film thickness by repeating the total adhesion of a raw material at an atomic layer level (step S1) and the exposure thereof to an oxidizing or nitriding atmosphere (step S2).例文帳に追加

基板上に誘電体層と光吸収層を複数層に積層する光減衰膜の形成において、その誘電体層はその原料物質の原子層レベルでの全面付着（ステップＳ１）とその酸化または窒化性雰囲気への曝露（ステップＳ２）を繰り返して所定の膜厚にする。 - 特許庁

The method comprises a step for providing a semiconductor substrate wherein a prescribed process is carried out for forming a semiconductor element and a step for forming an ion implantation layer 105 by injecting trivalent impurities having a larger atomic weight than that of boron and consisting of a single atom to a prescribed depth of the semiconductor substrate by an ion implantation process.例文帳に追加

半導体素子を形成するための所定の工程が行われた半導体基板を提供する段階と、前記半導体基板の所定深さに、ホウ素より大きい原子量を有し且つ単原子からなる３価不純物をイオン注入工程によって注入してイオン注入層１０５を形成する段階を含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate capable of preventing the deterioration of the carrier mobility resulting from the surface unevenness on the surface thereof by controlling the direction and the width of an atomic level step/terrace on the semiconductor substrate surface, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

半導体基板表面上で原子レベルのステップ／テラスの方向と幅を制御し、その表面上に表面凹凸起因のキャリア移動度劣化を抑制できる半導体基板および半導体装置を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a polycrystal silicon solar cell includes a step for forming on the metallic silicon substrate a gettering layer of 0.01 atomic % or more including at least one kind of gettering element that is selected among phosphorus, boron, germanium, and tin, a step for forming an active layer thereon, and a step for forming a surface doped layer in the surfacial part of the active layer or thereon.例文帳に追加

金属級シリコン基板の上に、リン、ホウ素、ゲルマニウム、錫の中から選択される１種以上のゲッター元素を合わせて０．０１原子パーセント以上含むゲッター層を形成する工程と、該ゲッター層の上に活性層を形成する工程と、該活性層の表層部分又はその上に表面ドープ層を形成する工程と、を含むことを特徴とする多結晶シリコン太陽電池の製造方法。 - 特許庁

To provide a method of forming a tantalum oxide capacitor which can enhance the property of step coverage of a tantalum oxide thin film, and can enhance the electric property of a capacitor by depositing a tantalum oxide and applying an atomic layer thin film deposition method.例文帳に追加

原子層薄膜蒸着法を適用して酸化タンタルを蒸着することで、酸化タンタル薄膜のステップカバレージの特性を向上させることができると共に、コンデンサーの電気的特性を向上させる酸化タンタルコンデンサーの形成方法を提供する。 - 特許庁

A formation method of a silicone oxide film comprises a step of depositing a polysilicon film on a substrate and a step of forming the silicon oxide film on the surface of the polysilicon film by exposing the surface of the polysilicon film to an atomic oxygen O* formed by exciting a plasma with a microwave to a mixed gas composed of a gas including oxygen and an inert gas mainly composed of a Kr gas.例文帳に追加

シリコン酸化膜の形成方法は、基板上にポリシリコン膜を堆積する工程と、 前記ポリシリコン膜の表面を、酸素を含むガスとＫｒガスを主体とする不活性ガスとよりなる混合ガスにマイクロ波によりプラズマを励起することで形成される原子状酸素Ｏ*に曝すことにより、前記ポリシリコン膜の表面にシリコン酸化膜を形成する工程とよりなる。 - 特許庁