「be flattened」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method, when the same material is buried into a plurality of recesses on a semiconductor substrate or in it and a surface layer formed of the same material 107 is flattened, the surface layer is fined by carrying out an energy beam radiation 110 in advance to an area where a rate of etching in the surface layer is to be lowered, then, etching is carried out to flatten the surface layer.例文帳に追加

半導体基板上又は中に存在する複数の凹部に同一材料を埋め込み、該同一材料１０７で形成される表面層を平坦化するに際して、表面層中エッチングのレートを低くすべき領域にエネルギービーム照射１１０を予め行うことにより表面層の緻密化をし、次いでエッチングを行って平坦化することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

A spin-on-glass film is applied on the wafer 120, and a spin-on-glass solvent is jetted in a sealed vessel containing the wafer 120 for the vapor of solvent to be saturated in the vessel, and the wafer 120 is so rotated that the spin-on-glass film redissolves for flattened the surface of the spin-on-glass film.例文帳に追加

ウェーハ１２０上にスピンオングラス膜を塗布して、ウェーハ１２０を含む密閉された容器内にスピンオングラス溶剤を噴射して、溶剤の蒸気が容器内に飽和されるようにし、ウェーハ１２０を回転させてスピンオングラス膜が再溶解されるようにし、スピンオングラス膜の表面を平坦化させる。 - 特許庁

Then the first CMP process is performed, and with the polysilicon film 6 after the first CMP process as a mask, etching process is performed for the silicon oxide film 5, and the silicon oxide film 5 which lies in the region over the projecting part region removed, and then a second CMP process is further performed to cause the top of a semiconductor substrate 1 to be flattened.例文帳に追加

その後、第１のＣＭＰ処理を行い、第１のＣＭＰ処理後のポリシリコン膜６をマスクとしてシリコン酸化膜５に対するエッチング処理を実行して、凸部領域の上部領域のシリコン酸化膜５を除去した後、さらに第２のＣＭＰ処理を行って半導体基板１上を平坦化させる。 - 特許庁

The upper-surface of the interlayer dielectric 27 is flattened by setting the interval between a first base electrode and emitter electrodes 25, 26 to two times or shorter than the thickness of the interlayer dielectric 27, and a semiconductor device in which the crack resistance of the interlayer dielectric 27 is enhanced by providing a second base and emitter electrodes 28, 29 on the upper-surface can be provided.例文帳に追加

第１のベース電極およびエミッタ電極２５、２６の間隔を層間絶縁膜２７の厚みの２倍以下に設定することにより、層間絶縁膜２７の上面を平坦化してその上面に第２のベースおよびエミッタ電極２８、２９を設けることにより層間絶縁膜２７の耐クラック性を向上させた半導体装置を提供できる。 - 特許庁

To provide a cleaning agent used in a cleaning process after a flattening polishing process in a manufacturing process of a semiconductor device having a copper interconnection, wherein corrosion and oxidation of the copper interconnection and surface roughening of the flattened interconnection on a substrate due thereto, are suppressed and impurities on a semiconductor device surface can effectively be removed, and to provide a cleaning method using the same.例文帳に追加

銅配線を備えた半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、銅配線の腐蝕や酸化、それに起因する平坦化された基板上配線の表面荒れの発生が抑制され、且つ、半導体デバイス表面の不純物を有効に除去し得る洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法を提供する。 - 特許庁