「correlation method」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

A method for preventing the mistaking of the cell comprising recording identification information about the cell donor and the form of the microcarrier having the identifiable form in mutual correlation before culturing the cell, charging the cell provided from the cell donor and the microcarrier into the prescribed culture solution stored in the container, carrying out the culture and then testing the form of the microcarrier in the container is provided.例文帳に追加

また、細胞培養前に、細胞提供者の識別情報と識別可能な形態を有するマイクロキャリアの形態とを相互に関連づけて記録しておき、細胞提供者から提供された細胞とマイクロキャリアとを容器内に貯留した所定の培養液内に投入して培養した後に、容器内のマイクロキャリアの形態を検査する細胞の取り違え防止方法を提供する。 - 特許庁

To provide an imaging apparatus the driving method of the imaging section of which is adjusted in a way that the noise canceling capability of a CDS (correlation double sampling) circuit is enhanced and the image quality can be maintained.例文帳に追加

ＣＤＳ回路のノイズキャンセル能力は、サンプル・ホールドパルスのアクティブ期間の時間が長い程、高くなるが、近年、ＣＣＤセンサ等固体撮像素子の駆動周波数は上昇傾向にあり、ＣＤＳのノイズキャンセル能力にとって、厳しい条件となることが多く、また、このような背景に加え、撮像部の各ブロックが他のブロックの負荷変動の影響を受けた場合、ＣＣＤ画素信号のＤＣレベルが大きく乱れ、ＣＤＳ回路でノイズキャンセルすることは不可能となってしまう。 - 特許庁

The patterning method of a wafer W includes a step for forming an L&S pattern 54A including multiple line patterns 40A on the surface of the wafer W, and a step for forming an L&S 56A including multiple linear resist patterns 42NA arranged between the multiple line patterns 40A on the surface of the wafer W so that the line widths of the line patterns 40A and the resist patterns 42NA have a negative correlation.例文帳に追加

ウエハＷにパターンを形成するパターン形成方法において、ウエハＷの表面に複数のラインパターン４０Ａを含むＬ＆Ｓパターン５４Ａを形成することと、ウエハＷの表面の複数のラインパターン４０Ａの間に配置される複数のライン状のレジストパターン４２ＮＡを含むＬ＆Ｓパターン５６Ａを、ラインパターン４０Ａの線幅とレジストパターン４２ＮＡの線幅とが負の相関を持つように形成することと、を含む。 - 特許庁

In the evaluation method of a semiconductor device comprising an MISFET having a gate insulating film, RTN of a plurality of MISFETs is measured, at least two parameters out of the position of a trap in the gate insulating film, energy of a trap, time constant of the RTN, and the RTM amplitude are extracted and then correlation of two parameters is determined.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の評価方法は、ゲート絶縁膜を有するＭＩＳ型ＦＥＴを備える半導体装置の評価方法であって、複数のＭＩＳ型ＦＥＴのＲＴＮを測定し、ＲＴＮの測定結果に基づいて、ゲート絶縁膜中のトラップの位置、トラップのエネルギー、ＲＴＮの時定数、及びＲＴＮ振幅のうち少なくとも２つパラメータを抽出し、当該２つのパラメータの相関関係を求めるものである。 - 特許庁

As the specific method of estimation, in the first stage, theoretical sales are estimated on the basis of capital, labor and R&D, and then the residual between actual sales and the estimated sales is recognized as the contribution from non-R&D intellectual assets (they are further divided into non-R&D intellectual assets common to all companies and non-R&D intellectual assets inherent in each company). In the second stage, in order to verify the validity of the above estimation of non-R&D intellectual assets, the correlation between non-R&D intellectual assets and typical proxy indicators of non-R&D intellectual assets (IT expenditures, market share, and selling, general and administrative expenses) is examined.例文帳に追加

具体的な推計方法としては、第一段階で、資本、労働及びR&Dにより理論上の売上額を推計した上で、現実の売上額と推計された売上額との残差を非R&D知的資産（さらに、すべての企業に共通な非R&D知的資産と各企業固有の非R&D知的資産とに区別される）の寄与分とし、第二段階で、上記の非R&D知的資産の推計の有効性を検証するため、非R&D知的資産と非R&D知的資産の代表的な代理指標（IT支出、マーケットシェア及び販管費）との相関関係を見ている。 - 経済産業省