「di V.」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In a step S4, an image coordinate (u_i, v_j) is obtained by applying a distortion correction function by logarithmic approximation about the pixel position (u_di, v_dj) determined not to be included in the circle Cd.例文帳に追加

ステップＳ４では、円Ｃｄに内包されないと判断された画素位置（ｕ_ｄi，ｖ_ｄj）について対数式近似による歪曲補正関数を適用して画像座標（ｕ_ｉ，ｖ_ｊ）を得る。 - 特許庁

Preferably, a depth di from the surface 2 to the internal defect 5 or the buried body in the diagnosed portion 4 is calculated based on a concrete elastic characteristic v of the diagnosed portion 4 and a time ti from the detection of the surface wave 9 to the detection of the each elastic wave 10i.例文帳に追加

好ましくは、被診断部位４のコンクリート弾性特性ｖと表面波９の検出から各弾性波10iの検出までの時間tiとから被診断部位４における表面２から内部欠陥５又は埋設物までの深さdiを算出する。 - 特許庁

The 3D face model M includes several surfaces selected from a set consisting of a face surface V, a right eye surface OD, a left eye surface OS, an upper teeth surface DS and a lower teeth surface DI.例文帳に追加

該３Ｄ顔モデル（Ｍ）は、顔表面（Ｖ）、右目表面（ＯＤ）、左目表面（ＯＳ）、上歯表面（ＤＳ）及び下歯表面（ＤＩ）から成る集合から選ばれた幾つかの表面を含む。 - 特許庁

To provide a thyristor wherein an ON-state voltage V_T is made low without changing the size of conventional thyristor, and further a rate of rise of critical ON-state current di/dt is improved.例文帳に追加

サイリスタのサイズを従来と同じにしたままオン電圧Ｖ_Ｔを低くし、さらに臨界オン電流上昇率ｄｉ／ｄｔを改善したサイリスタを提供することを目的としている。 - 特許庁

In a step S2, it is determined whether a certain pixel position (u_di, v_dj) of the image photographed by the camera using a lens with a distortion aberration is included in a circle Cd including an area where point group data on an image surface are present.例文帳に追加

ステップＳ２では、歪曲収差のあるレンズを用いたカメラによって撮影された画像のある画素位置（ｕ_ｄi，ｖ_ｄj）が画像面上の点群データが存在する領域を包含する円Ｃｄに内包されるか否かを判断する。 - 特許庁

where di(mm)=thickness of the insulating member, made of resin, which is disposed between a heat radiation surface of a conductor plate joined to a power semiconductor device and a heat radiation plate which radiates heat of the power semiconductor device, εr=dielectric constant, Vt(V)=surge voltage generated between the conductor plate and the heat radiation plate when the power semiconductor device turns on and off.例文帳に追加

本発明に係る電力変換装置は、パワー半導体素子に接合された導体板の放熱面と、このパワー半導体の熱を放熱する放熱板との間に設けられた樹脂製の絶縁性部材の厚みｄｉ（ｍｍ）が、比誘電率をεｒ、パワー半導体素子のオンオフに伴い導体板と放熱板間に発生するサージ電圧をＶｔ（Ｖ）としたときに、 ｄｉ＞（１．３６×１０^−８×Ｖｔ^２＋３．４×１０^−５×Ｖｔ−０．０１５）×εｒを満たすように製造された絶縁性部材を備える。 - 特許庁