「dope sheet」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

After casting dope and forming a casting sheet 13 on a casting band 12 traveling, a casting sheet 13 is supported and stripped off from a casting band 12 by a strip roller 35 to form a wet film 15.例文帳に追加

走行する流延バンド１２上にドープを流延して流延膜１３を形成した後、剥取ローラ３５で流延膜１３を支持しながら流延バンド１２から剥ぎ取り湿潤フィルム１５とする。 - 特許庁

An erbium dope fiber(EDF) is laid on sheet base materials 11a, 11b on which adhesive layers 12a, 12b are laminated, with single layers of fiber wiring 13a, 13b formed respectively.例文帳に追加

接着層１２ａ，１２ｂが積層されたシート基材１１ａ，１１ｂ上に、エルビウムドープファイバ（ＥＤＦ）を布線して、それぞれ単層のファイバ配線１３ａ，１３ｂを形成する。 - 特許庁

The wiring of an erbium dope fiber(EDF) is continuously carried out on sheet base materials 11a and 11b on which adhesive layers 12a and 12b are stacked so as to form fiber wiring 13a and 13b with a monolayer, respectively.例文帳に追加

接着層１２ａ，１２ｂが積層されたシート基材１１ａ，１１ｂ上に、エルビウムドープファイバ（ＥＤＦ）を連続的に布線して、それぞれ単層のファイバ配線１３ａ，１３ｂを形成する。 - 特許庁

Each dope is cast together from a casting die 89 on a casting band 85 traveling to form a cast sheet 70 of three layers consisting of an underlying layer 120a, an air surface layer 121a facing open air, and a support surface layer 122a.例文帳に追加

走行する流延バンド８５上に流延ダイ８９から各ドープを共に流延し、基層１２０ａ、外気に面するエア面層１２１ａ、支持体面層１２２ａからなる３層の流延膜７０を形成する。 - 特許庁

The method for producing the inorganic fiber sheet by spinning a spinning dope comprising an inorganic sol by a static spinning method includes feeding the spinning dope into the atmosphere having ≤40% humidity to form a gel fiber, exposing the formed gel fiber to high-humidity atmosphere having the humidity ≥10% higher than the humidity of the fed atmosphere, accumulating the fiber to form a fiber web, and firing the fiber web.例文帳に追加

前記製造方法は、無機系ゾルからなる紡糸原液を静電紡糸法により紡糸し、無機繊維シートを製造する方法であって、前記紡糸原液を湿度４０％以下の雰囲気に供給し、形成したゲル繊維を、前記供給雰囲気湿度よりも１０％以上高い高湿度雰囲気に曝した後に集積して繊維ウエブを形成し、その後、焼成することを特徴とする。 - 特許庁

An HEMT has an i-InAlAs buffer layer 2, an i-InGaAs channel alyer 3, an i-InAlAs spacer layer 4, a δ-dope sheet 5, a barrier layer 6, and an n-InGaAs cap layer 7 that are sequentially formed on an InP substrate 1, and a drain electrode 8 as well as a source electrode 8 that are formed on the n-InGaAs cap layer 7.例文帳に追加

ＩｎＰ基板１上に順次形成したｉ−ＩｎＡｌＡｓバッファ層２、ｉ−ＩｎＧａＡｓチャネル層３、ｉ−ＩｎＡｌＡｓスペーサ層４、δ−ドープシート５、バリア層６、ｎ−ＩｎＧａＡｓキャップ層７、およびｎ−ＩｎＧａＡｓキャップ層７上に形成されたソース電極８並びにドレイン電極９を有するＨＥＭＴのゲート電極１１を、バリア層６およびδ−ドープシート５を貫通してｉ−ＩｎＡｌＡｓスペーサ層４に達するように形成する。 - 特許庁