electromigrationを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 253件
The layout method of semiconductor integrated circuit is constituted for conducting (ST31) layout/wiring process, extracting (ST33) a resistance value, a capacitance value, and an allowable current value of signal wire from layout data obtained by the layout/wiring process, and calculating (ST37) signal electromigration of the signal wire from the resistance value, capacitance value, and allowable current value obtained (ST34).例文帳に追加
半導体集積回路のレイアウト方法であって、配置・配線処理を行い(ST31)、該配置・配線処理により得られたレイアウトデータから信号配線の抵抗値、容量値および許容電流値を抽出し(ST33)、該抽出した該抵抗値,該容量値および該許容電流値(ST34)から、前記信号配線のシグナルエレクトロマイグレーションを計算する(ST37)ように構成する。 - 特許庁
The method of manufacturing a semiconductor device having multilayer wiring including a fuse formed on a semiconductor substrate comprises a step of forming a first wiring layer as a part of the fuse, a step of forming a second wiring layer having higher electromigration (EM) than that of the first wiring layer, and a step of melting the first wiring layer.例文帳に追加
半導体製造装置の製造方法であって、半導体基板に形成されたヒューズを含む多層配線を有する半導体装置の製造方法であって第1の配線層をヒューズの一部として形成する工程と、前記第1の配線層よりもエレクトロマイグレーション(EM)の高い第2の配線層を形成する工程と、前記第1の配線層を溶断する工程とを含む。 - 特許庁
The method comprises a step of forming the carrier having the porous structure mainly formed of the carbon nano particle of nanometer size manufactured by controlling the atmospheric gas pressure by means of a laser ablation in the atmospheric gas and a step of depositing the catalyst particle of nanometer size of which the particle size is controlled by the differential type electromigration classification method in the gas flow to simultaneously conduct the formation of the carrier and the supporting of the catalyst particle.例文帳に追加
雰囲気ガス中のレーザーアブレーションにより雰囲気ガス圧力を制御して製造したナノメートルサイズのカーボン粒子を中心に形成された多孔質構造を有する担体を形成する工程と、雰囲気ガス中のレーザーアブレーションにより製造し、ガス流中で微分型電気移動度分級法により粒径制御したナノメートルサイズの触媒粒子を堆積する工程を設け、担体の形成と触媒粒子の坦持を同時に行う工法である。 - 特許庁
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