「electromigration」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent a short circuit due to electromigration between wirings in a semiconductor device called a CSP.例文帳に追加

ＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、配線相互間のエレクトロマイグレーションに起因するショートを防止する。 - 特許庁

To provide a technique capable of improving heat resistance of a dual damascene wiring and resistance to electromigration.例文帳に追加

デュアルダマシン配線の耐熱性およびエレクトロマイグレーション耐性を向上することのできる技術を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device having practical advantage of sufficient electromigration resistance and working speed.例文帳に追加

実用上十分なエレクトロマイグレーション耐性及び動作速度を有する半導体装置を得られるようにする。 - 特許庁

To improve the electromigration life and stress-migration life of wiring while suppressing an increase in wiring resistance.例文帳に追加

配線抵抗の増加を抑えつつ、配線のエレクトロマイグレーション寿命、およびストレスマイグレーション寿命を向上させる。 - 特許庁

To provide a simple adiabatic charging logic circuit for solving a problem of wiring breakage due to electromigration.例文帳に追加

エレクトロマイグレーションによる配線断線の問題を解決する簡易な断熱充電論理回路を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method that realize wiring lines of superior electromigration tolerance.例文帳に追加

エレクトロマイグレーション耐性に優れた配線を実現する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The sealing object 71 prevents generation of the electromigration of the conductive substance contained in the conductive resin 70.例文帳に追加

封止体７１は導電性樹脂７０に含まれる導電性物質のエレクトロマイグレーションの発生を防止する。 - 特許庁

To speedily and accurately perform evaluation of reliability of metal wiring of a semiconductor device with respect to electromigration.例文帳に追加

半導体装置の金属配線のエレクトロマイグレーションに対する信頼性評価を高速、かつ正確に行う。 - 特許庁

To solve a problem that the right electromigration of evaluation wiring can not be evaluated since the service life of evaluation wiring is prolonged by the electromigration and a fault occurs first in a pad when the width of evaluation wiring for electromigration evaluation is not thicker than a grain size (than 8 μm, for example), namely, becomes a so-called Bamboo structure.例文帳に追加

エレクトロマイグレーション評価用の評価配線の幅がグレインサイズ以下（例えば８μｍ以下）に細い、いわゆるバンブー（Ｂａｍｂｏｏ）構造となった場合、エレクトロマイグレーションによる寿命が評価配線では延び、先にパッドで故障が発生してしまうため、評価配線の正しいエレクトロマイグレーション評価ができないという問題点を改善する。 - 特許庁

To provide a method for forming protective caps in copper lines to improve the electromigration resistance in damascene interconnects.例文帳に追加

、ダマシンインターコネクトのエレクトロマイグレーション特性を向上させるべく銅線内に保護キャップを形成する方法を提供する。 - 特許庁

Further, the thin cap layer increases the electromigration lifetime of Cu and reduces the occurrence of voids induced by stress.例文帳に追加

さらに、その薄いキャップ層はＣｕのエレクトロマイグレーション寿命を増し、応力により誘起されたボイド発生を減らす。 - 特許庁

To provide an electroless plating method which can employ various metals for preventing the electromigration of a wiring material.例文帳に追加

配線材料のエレクトロマイグレーション等の防止に多様な金属を用いることができる無電解メッキ方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device which comprises a metal wiring of high electromigration resistance and reliability.例文帳に追加

エレクトロマイグレーション耐性の高い、高信頼性の金属配線を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent a stress migration and an electromigration from deteriorating in a semiconductor device having a barrier film on Cu wiring.例文帳に追加

Ｃｕ配線上にバリア膜を有する半導体装置において、ストレスマイグレーション、エレクトロマイグレーションの劣化を防止する。 - 特許庁

To suppress a void occurrence caused by electromigration at a connection place of a thin width wiring and a thick width winding during winding.例文帳に追加

配線中での細幅配線と太幅配線とが接続箇所でのエレクトロマイグレーションによるボイド発生を抑制する。 - 特許庁

To provide a high-output, reliable light-emitting element that has a relatively simple configuration and suppresses a decrease in electromigration of a metal atom included in a metal reflection film of a light reflection structure and a decrease in a reflection factor of the light reflection structure caused by the electromigration.例文帳に追加

比較的簡易な構成で、光反射構造の金属反射膜に含まれる金属原子のエレクトロマイグレーション及びそれによる光反射構造の反射率の低下を抑制し、高出力で信頼性の高い発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method of designing a wiring in which even though the number of vias is reduced, electromigration resistance can be maintained or improved.例文帳に追加

ビア数を減らしても、エレクトロマイグレーション耐性を維持、または向上することのできる配線設計方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the deterioration of the surface of a wiring due to an oxidation and an increase in the wiring resistance of the wiring, and to realize to raise the electromigration resistance of the wiring.例文帳に追加

酸化による配線表面の劣化や配線抵抗の増大を防止でき、エレクトロマイグレーション耐性の向上を図る。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electron device in which electromigration tolerance is improved without generating missing in an AlCu layer.例文帳に追加

ＡｌＣｕ層に欠損を発生させることなくエレクトロマイグレーション耐性を高めた電子デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

To well restrain electromigration in a via and an upper wiring.例文帳に追加

ビア及び上層配線におけるエレクトロマイグレーションを十分に抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a wiring design method for preventing fusing in wiring caused by an electromigration influence, and to provide a wiring design device.例文帳に追加

エレクトロマイグレーションの影響で生じる配線の溶断を防止する配線設計方法および配線設計装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has Cu wiring capable of reducing an influence of electromigration, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

エレクトロマイグレーションの影響を低減できるＣｕ配線を備えた半導体装置及びその製造方法を目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit capable of preventing electromigration while ensuring a larger region for signal wiring.例文帳に追加

信号配線用の領域をより広く確保しつつ、エレクトロマイグレーションを防止できる半導体集積回路装置を提供する。 - 特許庁

To decrease the temperature gradient of a wiring and to easily locate voids in an electromigration reliability test.例文帳に追加

エレクトロマイグレーション信頼性試験における配線の温度勾配を低減すると共に、ボイドの発生箇所の特定を容易にする。 - 特許庁

To provide an adhesive film which satisfactorily suppresses the electromigration occurring at a connection part when it is bonded to an electronic material.例文帳に追加

電子材料の接続部において、エレクトロマイグレーションの発生を十分に抑制できる接着剤フィルムを提供すること。 - 特許庁

To provide a method for forming copper interconnects having low electroresistivity and high electromigration resistance by using copper electroplating.例文帳に追加

銅電気メッキを用いて、低い抵抗率と高いエレクトロマイグレーション抵抗を持つ銅相互接続を形成する方法を提供する。 - 特許庁

The electromigration life time of the dual damascene aluminum line depends greatly on the conditions of materials and material-filling processes.例文帳に追加

このデュアル・ダマシン・アルミニウム線のエレクトロマイグレーション寿命は、材料および材料充填プロセスの条件に大きく依存する。 - 特許庁

To prevent an electromigration of copper in an interface between a plug and a lower layer wiring that are manufactured in a wiring forming process by using a damascene method.例文帳に追加

ダマシン法を用いた配線形成プロセスにより製造されたプラグと下層配線との界面における銅のエレクトロマイグレーションを防ぐ。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with a metal interconnect line which is markedly improved in electromigration resistance or stress migration resistance.例文帳に追加

エレクトロマイグレーション耐性あるいはストレスマイグレーション耐性を大幅に改善した金属配線を備える半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with which electromigration or stress-induced void is suppressed and which exhibits a high connection reliability, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

エレクトロマイグレーションやストレス誘起ボイドが抑制され、接続信頼性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for preventing short-circuits caused by the electromigration between wirings, in a semiconductor device referred to as "chip size package (CSP)".例文帳に追加

ＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、配線相互間のエレクトロマイグレーションに起因するショートを防止する手段を提供する。 - 特許庁

To realize an integrated semiconductor device which generates less electromigration phenomenon and uses a small-size MOS transistor having a small ON resistance.例文帳に追加

エレクトロマイグレーション現象が起こり難く、小型で、かつオン抵抗値の小さいＭＯＳトランジスタを集積した半導体装置を実現する。 - 特許庁

To prevent disconnection of wiring due to electromigration caused by microfabrication while keeping the potential of the source electrode of a pMOS transistor constant.例文帳に追加

ｐＭＯＳトランジスタのソース電極の電位を一定にしつつ、微細化に起因するエレクトロマイグレーションによる配線の断線を防止する。 - 特許庁

To improve electromigration resistance of a via hole as needed while minimizing the rise of costs due to the increase of the chip area.例文帳に追加

チップ面積の増加によるコストの上昇を最低限に抑えつつ、ビアホールのエレクトロマイグレーション耐性を必要十分なだけ向上する。 - 特許庁

To provide a wiring structure of a semiconductor device capable of preventing the damage to the wiring caused by electromigration.例文帳に追加

エレクトロマイグレーション（以下、ＥＭと称す）による配線損傷を防止することを可能にする半導体装置の配線構造を提供する。 - 特許庁

To provide the bonding pad structure of a semiconductor device, that prevents disconnection from occurring due to electromigration at pad drawing wiring part.例文帳に追加

パッド引出し配線部におけるエレクトロマイグレーションによる断線を生じる恐れがない半導体装置のボンディングパッド構造を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a copper or copper alloy wiring which is excellent in electromigration durability, and a manufacturing method of the device.例文帳に追加

エレクトロマイグレーション耐性に優れた銅または銅合金配線を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a layout technique of semiconductor integrated circuit for avoiding generation of signal electromigration in signal wires.例文帳に追加

信号配線におけるシグナルエレクトロマイグレーションの発生を回避することのできる半導体集積回路のレイアウト技術の提供を図る。 - 特許庁

To predict void formation and disconnection failure by a numerical simulation using electromigration (EM) damage control parameters of metal wiring.例文帳に追加

金属配線のＥＭ損傷支配パラメータを用いた数値シミュレーションにより、ボイド形成および断線故障に関する予測を行う。 - 特許庁

In such a semiconductor device, an interval R between adjacent films satisfies a relation R≤Rc' (where, Rc' is the critical length where the net flux JS of atoms or holes flowing through the wiring by electromigration at the time of conducting a current becomes 30% of the essential flux J_0 of atoms or holes by electromigration.例文帳に追加

隣り合う膜の間隔Ｒが、Ｒ≦Ｒｃ′（ただし、Ｒｃ′は電流導通時にエレクトロマイグレーションにより配線を流れる正味の原子もしくは空孔の流束Ｊ_sがエレクトロマイグレーションによる本来の原子もしくは空孔の流束Ｊ_0の30%となる臨界長さ）である。 - 特許庁

By the device structure, electromigration resistance of Cu can be improved without increasing Cu wiring resistance unnecessarily.例文帳に追加

本デバイス構造により、Ｃｕ配線抵抗を必要以上に上昇させることなく、Ｃｕのエレクトロマイグレーション耐性を上げることが可能となる。 - 特許庁

Such a method enhances the electromigration resistance and improves the adhesion with embedding metals and embedding characteristics.例文帳に追加

これにより、埋め込み金属との密着性及び埋め込み特性の改善を図ることができるのみならず、エレクトロマイグレーション耐性も向上させる。 - 特許庁

Reduced copper diffusion and improved electromigration lifetime result, and the use of selective metal capping techniques and their attendant yield problems are avoided.例文帳に追加

銅の拡散が抑制され、電気泳動寿命が向上し、選択金属キャップ化技術の使用、およびそれに付随した問題が解消される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can improve the reliability of electromigration, while maintaining interconnection resistance to be low, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

配線抵抗を低く維持したままエレクトロマイグレーションの信頼性を向上できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing a semiconductor device in which the generation of electromigration in a wiring pattern can be suppressed and the semiconductor device.例文帳に追加

配線パターンにおけるエレクトロマイグレーションの発生を抑制できるようにした半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁