「electromigration」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To suppress the increase of an unfavorable parasitic capacity by reducing an area to be occupied with an inductor and raising electric current electromigration resistance in inductor wiring concerning a semiconductor device having an inductor element.例文帳に追加

インダクタ素子を有する半導体装置において、インダクタにより占有される面積を縮小し、かつ、該インダクタ配線における電流エレクトロマイグレーション耐性を向上させ、かつ好ましくない寄生容量の増加を抑制する。 - 特許庁

Thereby, electromigration accompanying a fine semiconductor device is suppressed, stress migration is sufficiently suppressed, electrical reliability of the semiconductor device is improved, and the method of manufacturing the semiconductor device with high productivity is achieved.例文帳に追加

これにより、半導体装置の微細化に伴うエレクトロマイグレーションが抑制されると共に、ストレスマイグレーションが充分抑制され、半導体装置の電気的信頼性が向上し、生産性の高い半導体装置の製造方法が実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with the long-life metal wiring by improving the adhesion between the metal wiring and a metal diffusion prevention film in the metal wiring, such as Cu wiring, and by improving the electromigration resistance of the metal wiring.例文帳に追加

Ｃｕ配線などの金属配線について、金属配線と金属拡散防止膜との密着性が向上し、金属配線のエレクトロマイグレーション耐性向上により金属配線寿命の長い半導体装置を提供する。 - 特許庁

A first metal film composing a main wiring section is formed on a given substrate (step S1), and a second metal film is formed thereon that contains impurity elements such as Ti and Zr contributing to enhanced electromigration immunity (step S2).例文帳に追加

所定基板上に配線の主要部を構成する第１の金属膜を形成し（ステップＳ１）、その上にエレクトロマイグレーション耐性向上に寄与するＴｉ，Ｚｒ等の不純物元素を含む第２の金属膜を形成する（ステップＳ２）。 - 特許庁

Since the time for making the sense current flow into the magneto-resistance effect element of the MR head 2 is remarkably reduced by this invention, the deterioration of the element property due to the electromigration, etc., is prevented, and life of the element is improved.例文帳に追加

本発明により、ＭＲヘッド２の磁気抵抗効果素子にセンス電流を流す時間が大幅に短縮されるため、エレクトロマイグレーションなどにより素子特性が劣化することを防止でき、素子の寿命を向上できる。 - 特許庁

To provide a module capable of anticipating failure of a circuit board containing a junction part of an active element by detecting such fractures, corresponding to, for example, a junction part of a bonding material for connecting the active element and a circuit pattern, as caused by Kirkendall voids and electromigration.例文帳に追加

カーケンダルボイドやエレクトロマグレーションよる例えば能動素子と回路パターンを接続する接合材の接合部に対応する破断を検出して能動素子の接合部を含む回路基板の故障を予兆することが可能なモジュールを提供する。 - 特許庁

To suppress current leakage between wiring due to diffusion of copper into an interlayer insulation film and to improve electromigration resistance by fully obtaining the step coverage of barrier and copper seed layers corresponding to the tendency toward the high aspect ratio of a groove and a connection hole.例文帳に追加

溝や接続孔の高アスペクト比化に対応し、バリア層や銅シード層のステップカバリッジを十分に得ることで層間絶縁膜中への銅の拡散による配線間での電流リークを抑制し、かつエレクトロマイグレーション耐性の向上を図る。 - 特許庁

To provide a sputtering target consisting of copper with purity ≥99.9999 wt% and a semiconductor element having a copper wire wired by using the sputtering target consisting of copper and having excellent oxidation resistance, electromigration resistance and stress-migration resistance.例文帳に追加

純度９９．９９９９重量％以上の銅からなるスパッタリングターゲット、及び銅を用いたスパッタリングターゲットを用いて配線された、耐酸化性、耐エレクトロマイグレーション性、耐ストレスマイグレーション性に優れた銅配線を持つ半導体素子を提供する。 - 特許庁

To form wiring which is more improved in resistance to electromigration and stress migration without increasing electric resistivity and to enable a protective film of non-magnetic material which selectively covers the surface of the wiring for protection to be formed.例文帳に追加

電気抵抗率を大きくすることなく、エレクトロマイグレーション耐性やストレスマイグレーション耐性をより高めた配線を形成したり、配線の表面を選択的に覆って保護できるようにした非磁性体からなる保護膜を形成できるようにする。 - 特許庁

To provide a forming method using inexpensive and electromigration-free copper to form a conductive material having high conductivity and improved adhesion to an applied body, even when fired at a low temperature, and to provide the conductive material formed using the same.例文帳に追加

安価で且つエレクトロマイグレーションの生じない銅を使用して、低温焼成であっても高導電性を有し、且つ、被塗布体に対する密着性に優れた導電材の形成方法、及び該方法により形成された導電材を提供すること。 - 特許庁

When two or more metal parts 4 and 5, where ion migration can occur, are located in an electromigration process, they are set at the same potential, by electrically interconnecting them or electrically connecting them to an auxiliary cathode 23 to connecting wires 24a and 24b.例文帳に追加

電気泳動工程においてイオンマイグレーションが生じ得る金属部分４，５が２カ所以上存在する場合に、それらを相互もしくは補助陰極２３に電気的に結線２４ａ、２４ｂしておくことにより同電位となるようにする。 - 特許庁

To provide a thin-film electrode layer having high EM (electromigration) resistance which is a problem in a conventional electrode structure by a Ta layer/an Au layer/a Ta layer, a thin-film magnetic head using a magneto-resistive effect element, and an electrode forming method of the thin-film magnetic head.例文帳に追加

従来のＴａ層／Ａｕ層／Ｔａ層による電極構造では問題になっていた、ＥＭ（ｅｌｅｃｔｒｏｍｉｇｒａｔｉｏｎ）耐性に優れた薄膜電極層及び磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド並びに該薄膜磁気ヘッドの電極形成方法を得る。 - 特許庁

To provide an alloy for a thin film of a silver-based metal, which shows superior properties of reflectance, corrosion resistance, adhesiveness and electromigration resistance, and can be used even in an application field of being exposed to a harsh environment and requiring the reliability for a long period of time.例文帳に追加

反射率、耐食性、密着性、エレクトロマイグレーションに優れた銀系金属薄膜合金であり、厳しい環境あるいは長期的な信頼性が要求される分野においても応用が可能な銀系金属薄膜合金を提供する。 - 特許庁

To provide a catalyst treatment method which maintains a low electric resistance of a treatment wire, and moreover enhances electromigration resistance, even if heat treatment such as annealing or the like is performed, and a catalyst treatment solution used for the processing method.例文帳に追加

アニール等の熱処理を施しても、配線の低電気抵抗を維持することができ、しかもエレクトロマイグレーション耐性をより高めることができるようにした触媒処理方法及び該処理方法に使用される触媒処理液を提供する。 - 特許庁

To provide a conductive ink composition in which a metal species for forming electrically conductive sites is only copper excellent in electromigration resistance at a low cost, and which can realize high electric conductivity enabling to be used for wirings, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

電気的導通部位を形成する金属種が、低コストで、耐エレクトロマイグレーション性に優れる銅のみであり、且つ、配線に利用可能な高い導電性を発現できる導電性インク組成物及びその製造方法を提供する - 特許庁

To secure a full reliability even when a wiring pattern is formed of a wiring material having electromigration resistant properties reinforced by applying a printer head, a printer and a method for manufacturing a printer head particularly to a printer by a thermal head.例文帳に追加

本発明は、プリンタヘッド、プリンタ及びプリンタヘッドの製造方法に関し、特にサーマルヘッドによるプリンタに適用して、エレクトロマイグレーション耐性を強化した配線材料により配線パターンを作成する場合でも、十分な信頼性を確保することができるようにする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including low-resistance wiring, the semiconductor device suppressing an increase in electric resistance irrespective of a pattern shape by utilizing ballistic conductivity of graphene and also having excellent resistance to migration such as electromigration or stress migration.例文帳に追加

グラフェンのバリスティック（弾道）伝導性を利用し、パターン形状によらず電気抵抗の上昇を抑えることができ、さらにエレクトロマイグレーションやストレスマイグレーション等のマイグレーションに対する耐性に優れた低抵抗配線を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

The face azimuth of first copper wires 111, 127 having relatively narrow widths is mainly Cu (111) in order to improve EM (electromigration) resistance and the face azimuth of the second copper wires 110, 126 having relatively wide widths is Cu(200) in order to improve SIV resistance.例文帳に追加

相対的に狭幅の第１銅配線１１１，１２７の面方位はＥＭ耐性を向上させるために主にＣｕ（１１１）であり、相対的に広幅の第２銅配線１１０，１２６の面方位はＳＩＶ耐性を向上させるために主にＣｕ（２００）である。 - 特許庁

To provide a method which dispenses with a need of executing the chip level EM(electromigration) verification processing at the chip design completion and dispenses with backing to power supply wiring in the case of the occurrence of an error in the chip level EM verification to not only shorten the design period but also improve the design efficiency.例文帳に追加

チップ設計完了時点でのチップレベルＥＭ検証処理を実施することを不用とし、チップレベルＥＭ検証処理でエラーが出た場合の電源配線への後戻りもをなくし、設計期間の短縮、設計効率の向上を図る方法の提供。 - 特許庁

To provide a means of suppressing arising of voltage drop and electromigration problems of power supply wiring without affecting the size of a main body chip for a semiconductor device which controls power supply from a power supply chip to the main body chip.例文帳に追加

電源供給チップから本体チップへの電源供給制御を行う半導体装置において、本体チップのチップサイズに影響を与えることなく、電源供給配線の電位降下およびエレクトロマイグレーション問題の発生を抑止する手段を提供する。 - 特許庁

To provide an inspecting method for a magnetic head in which deterioration of a magnetic-resistance effect element due to electromigration can be detected precisely and easily in its early stage without being affected by temperature variation in a magnetic disk drive, and the magnetic disk drive (magnetic reproducing device).例文帳に追加

エレクトロマイグレーションによる磁気抵抗効果素子の劣化を、磁気ディスク装置内部の温度変化の影響を受けることなく早期にしかも精度よく正確に検出することができる磁気ヘッドの検査方法および磁気ディスク装置（磁気再生装置）を提供する。 - 特許庁

Further, the protection films comprise etching preventing protection films 51, 53 for covering the upper surface of the electrode films, and an electromigration preventing protection film 55 for covering the upper surface of the etching preventing protection films, the side surfaces 47a, 49a of the electrode films and the upper surface of the magnetic resistance effect film.例文帳に追加

また、保護膜は、電極膜の上面を被覆するエッチング防止用保護膜５１、５３と、エッチング防止用保護膜の上面、電極膜の側面４７ａ、４９ａ及び磁気抵抗効果膜の上面を被覆するエレクトロマイグレーション防止用保護膜５５とを含む。 - 特許庁

To provide an electronic circuit device which can prevent short-circuit between conductors resulting from electromigration in a multilayer substrate and improve electrical characteristics of an element including a magnetic body, while enabling a reduction in thickness and size, and also to provide a manufacturing method of the electronic circuit device.例文帳に追加

本発明は、薄型化並びに小型化を実現しつつ、積層基板のエレクトロマイグレーションに起因する導電体間の短絡を防止することができ、磁性体を含む素子の電気的特性を向上することができる電子回路装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the setting of the new other through hole can be realized without changing a wiring pattern once determined, the resistance of interlayer connection can be made low, the electromigration resistance can be improved, and the yield of the circuit can be improved, while not deteriorating the characteristics of a semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

一度決定した配線のパターンを変化させることなく新たに他のスルーホールの設定を行うことで、半導体集積回路の特性を損なうことなく層間接続の低抵抗化、エレクトロマイグレーション耐性の向上、半導体集積回路の歩留まりの向上を実現できる。 - 特許庁

To improve reliability against electromigration (EM) disconnection by suppressing current concentration in supplying power from upper layer power supply wires to a cell power supply wire on a lower layer without increasing the area of cells in a semiconductor integrated circuit provided with a plurality of cells.例文帳に追加

複数個のセルを備えた半導体集積回路において、セルの面積の増大を招かずに、上層の電源配線から下層のセル電源配線に電源供給する際の電流集中を抑制して、ＥＭ（エレクトロマイグレーション）断線に対する信頼性の向上を図る。 - 特許庁

To provide an electronic circuit device which can enhance adhesion between a substrate and a resin sealing body, prevent short-circuit between conductors resulting from electromigration, and improve electrical reliability, while enabling a reduction in thickness and size, and also to provide a manufacturing method of the electronic circuit device.例文帳に追加

本発明は、薄型化並びに小型化を実現しつつ、基板と樹脂封止体との密着性を向上し、エレクトロマイグレーションに起因する導電体間の短絡を防止することができ、電気的信頼性を向上することができる電子回路装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The processing method involves a process in which a metal film 8 is formed on a silicon layer 5a; and a process in which a current of such a magnitude as to cause electromigration in metal is passed through the metal film 8 and further the metal film 8 is heated to form a silicide layer 8a between the silicon layer 5 and the metal film 8.例文帳に追加

シリコン層５ａ上に金属膜８を形成する工程と、金属がエレクトロマイグレーションを起こす大きさの電流を金属膜８に流すとともに金属膜８を加熱することにより、シリコン層５と金属膜８の間にシリサイド層８ａを形成する工程を含む。 - 特許庁

Thus, excellent adhesiveness and electromigration resistance can be obtained by wire-bonding an Au exposed part on the source pad 8' or the drain pad 9' using an Au bonding wire and wire-bonding the Al exposed part using an Al bonding wire.例文帳に追加

したがって、ソースパッド８'またはドレインパッド９'におけるＡu露出部に対しては、Ａuボンディングワイヤーを用いたワイヤーボンディングを行う一方、上記Ａl露出部に対しては、Ａlボンディングワイヤーを用いたワイヤーボンディングを行うことによって、優れた密着性とエレクトロマイグレーション耐性を得ることができる。 - 特許庁

To provide a touch panel that employs a protective layer to prevent electromigration (EM) between a transparent electrode and an electrode wiring, and arranges the electrode wiring not on the top of the transparent electrode but on the sides of the transparent electrode to reduce the thickness.例文帳に追加

保護層を採用することによって透明電極と電極配線の間の電子移動（ｅｌｅｃｔｒｏｍｉｇｒａｔｉｏｎ;ＥＭ）を防止することができて、電極配線を透明電極の上部ではなく透明電極の側面に配置することによって薄型化を具現することができるタッチパネルを提供する。 - 特許庁

The semiconductor device has an interconnection region 100 comprising a second interconnection part 10 for evaluating electromigration test provided in a specified pattern, a contact part 12 connected electrically with the second interconnection part 10 while penetrating a second interlayer insulating layer 14, and a heat dissipating part 11.例文帳に追加

半導体装置は、所定のパターンで設けられたエレクトロマイグレーション試験評価用の第２の配線部１０と、第２の層間絶縁層１４を貫通し、かつ第２の配線部１０と電気的に接続されたコンタクト部１２と、放熱部１１とを含む評価用配線領域１００を有する。 - 特許庁

A sample piece is cut out in a <1-12> or <-112> direction of Si(110) and subjected to electromigration by applying a current along the direction at a temperature of 550°C to 730°C so as to form approximately complete single-direction domains by homogenization of a step arrangement structure within the region of the sample piece.例文帳に追加

Ｓｉ（１１０）の＜１−１２＞または＜−１１２＞方向に試料片を切り出し、その方向に通電して５５０℃〜７３０℃の温度によるエレクトロマイグレーションによって、試料片の領域内でステップ配列構造の均質化によりほぼ完全な単一方向のドメインを形成する。 - 特許庁

When connecting a resistor R and an electric power source E in series to measuring points T1, T2 to impress a voltage to the measuring points, phenomena of bringing a measured voltage by a voltmeter VM into 0V or into a power source voltage (5V) are continuously and repeatedly appeared in the case of generating the electromigration.例文帳に追加

測定点Ｔ１，Ｔ２と直列に抵抗器Ｒと電源Ｅを接続して、測定点に電圧を印加すると、エレクトロマイグレーションが発生した場合、電圧計ＶＭによる測定電圧が０Ｖになったり電源電圧 (５Ｖ）になったりする現象が、連続的に繰り返しあらわれる。 - 特許庁

To solve problems of reliability such as an increase of wiring resistance, deterioration of electromigration characteristic or the like by insuring the adhesion of an oxidation preventing film consisting of a nitride film formed on a surface of a metal film after forming a groove wiring in the state that the metal film is left in a groove by an electrolytic polishing.例文帳に追加

電解研磨によって溝に金属膜を残して溝配線を形成した後、金属膜表面に形成される窒化膜からなる酸化防止膜の密着性を確保して、配線抵抗の上昇、エレクトロマイグレーション特性が悪化等の信頼性上の問題を解決する。 - 特許庁

To provide a metal wiring forming method in which reliability of a metal wiring is secured by selectively forming a titanium or ruthenium metal, which is capable of preventing diffusion of a copper selectively, at an interface between a copper (Cu) metal wiring having no head for electromigration and a capping film.例文帳に追加

エレクトロマイグレーションに弱い銅（Ｃｕ）金属配線とキャッピング膜との界面に選択的に銅の拡散を防止することが可能なチタニウム又はルテニウム金属を選択的に形成して金属配線の信頼性を確保することが可能な金属配線形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a layout designing method which can perform the best pin division while taking electromigration into consideration, divide output pins of a high-drive cell suitably, prevent deterioration in wiring performance to generate no surplus wiring, and reduce total wiring, and shorten a TAT.例文帳に追加

エレクトロマイグレーションを考慮した最適なピン分割を行うこと，高駆動セルの出力ピンを最適に分割すること，余剰な配線を発生しないため配線性の悪化を防止すること，総配線を低減することができ，更にはＴＡＴを短縮することができるレイアウト設計方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for electric power capable of improving electric reliability, preventing short circuit generated by electromigration and mitigating stress accompanied by a heat cycle in consideration of environmental pollution in connections between the main electrode of a semiconductor device and a conductor.例文帳に追加

半導体素子の主電極と導体との間の接続部分において、環境汚染に配慮しつつ、熱サイクルに伴う応力を緩和することができ、かつエレクトロマイグレーションの発生による短絡を防止することができ、電気的信頼性を向上することができる電力用半導体装置を提供する。 - 特許庁

The electronic element has: a memory core 101 in which at least its shape or composition changes with electromigration when current is applied; two electrodes 102,103 for applying current; and an electrode 104 which senses change of surface potential, an electric resistance, or a junction resistance.例文帳に追加

電流を印加した時にエレクトトマイグレーションによって少なくとも形状あるいは組成が変化する記憶コア１０１を有する電子素子であって、電流印加のための２つの電極１０２，１０３と表面電位あるいは電気抵抗あるいは接合抵抗の変化を感知する電極１０４を有する。 - 特許庁

Arranging the first conductive layer 69 and the second conductive layer 73, both of which are made of an aluminum alloy but are different from each other in a particle structure, under or over the second backup layer 71 reduces a probability of forming voids at the same point of the first conductive layer 69 and the second conductive layer 73, and prevents the damage to the wiring caused by electromigration.例文帳に追加

第２バックアップ層７１の下部と上部にアルミニウム合金で粒子構造が異なる第１伝導層６９と第２伝導層７３とを配置することにより、第１伝導層６９と第２伝導層７３の同一地点でボイドを形成する確率を少なくしてＥＭによる配線の損傷を防止する。 - 特許庁

To provide a forming method of multilayer interconnection that inhibits generation of electromigration on interface, and improves the reliability of a semiconductor device by reducing defects occurring in the interface between the wiring part of the multilayer interconnection and a via, when the multilayer interconnection is formed in the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置における多層配線の形成に際し、前記多層配線の配線部とビアとの界面において発生する欠陥を低減することにより、前記界面におけるエレクトロマイグレーションの発生を抑制し、半導体装置の信頼性を向上させる多層配線の形成方法を提供する。 - 特許庁

The carbon nanotube 6 is manufactured by applying a direct-current voltage at both ends of a carbon linear structure 3 to which a catalyst metal is introduced, where the catalyst metal is deposited and migrated by an electromigration and the region along a trace of the migrated catalyst metal in the carbon linear structure 3 is crystallized to form graphite.例文帳に追加

触媒金属が導入された炭素線状構造体３の両端に直流電圧を印加することにより、エレクトロマイグレーションによって、触媒金属を析出させると共に移動させ、炭素線状構造体３のうちの触媒金属の移動軌跡に沿った領域を結晶化してグラファイトを形成することにより、カーボンナノチューブ６を製造する。 - 特許庁

In a metal nanowire single crystallization device 1 in the figure, data about current density where the metal nanowire 4 generates the electromigration is input to a supply current set part 9 in advance, and then data about a cross-section or the like of the metal nanowire 4 to which the current is supplied actually is additionally input to acquire a supply current amount.例文帳に追加

図中の金属ナノワイヤー単結晶化装置１においては、供給電流設定部９に予め金属ナノワイヤー４がエレクトロマイグレーションを生じる電流密度を求めたデータを入力しておき、更に実際に電流を供給する金属ナノワイヤー４の断面積等のデータを入力して、供給電流量を求めておく。 - 特許庁

The wiring design method for a semiconductor device having a multilayer wiring structure estimates a wiring life influenced by electromigration on the basis of a variety of estimation models in which levels of the void 14 formed in the vicinity of a connecting part between wirings 11, 13 and a via 12 interposed between are classified into a latent period and a growth period to design the wirings.例文帳に追加

多層配線構造を有する半導体装置の配線設計方法において、エレクトロマイグレーションによる配線寿命を、配線１１，１２と上下各配線を接続するビア１２の接続部近傍で発生するボイド１４の潜伏期及び成長期によって分類した異なった予測モデルにより予測し、配線設計を行う。 - 特許庁

A trench is formed in a wiring layer, and the increase of electric resistance thereof is minimized and the mechanical strength thereof is enhanced and then influence of the electromigration and the stress migration of the wiring is decreased by a method filling a material hardly affected by a migration problem into the trench with use of technologies such as electroless plating, ion implantation, and gas phase depositing.例文帳に追加

配線層にトレンチを形成し、トレンチをマイグレーション問題の影響を受け難い材料を無電解メッキ、イオン注入、および気相堆積法などの技術を用いて充填するなどの方法で電気抵抗の増加を最小限にして、機械的強度を増し、配線のエレクトロマイグレーション、ストレスマイグレーションの影響の受けやすさを減少させる。 - 特許庁

This apparatus consists of factor analysis parts 1, 201 that perform analysis on violation factors and draft a correction algorithm for every constraint violation pass by receiving constraint violation pass assignment data 15, 215 and constraint data 16, 216 of timing or electromigration, a logical gate correction part 3, constraint judgment parts 8, 14; 208, 214, and a correction result output part 9.例文帳に追加

タイミング又はエレクトロマイグレーションの制約違反パス指定データ１５、２１５および制約データ１６、２１６を受け制約違反パス毎に違反要因の解析および修正アルゴリズムの立案を行う要因解析部１、２０１と、論理ゲート修正部３と、制約判定部８、１４；２０８、２１４と、修正結果出力部９とにより構成される。 - 特許庁

To prevent the disconnection or deterioration in the electromigration resistance of metallic wiring by forming Al films or Al alloy films in the bottom edges and flanks of contact holes to a film thickness of ≥20% than the film thickness in the plane parts in spite of finer electronic devices and increasing of the aspect ratio of the contact hoes larger than 1.0 relating to the thin-film formation method by DC bias sputtering.例文帳に追加

直流バイアススパッタによる薄膜形成方法に関し、電子デバイスが微細化されコンタクトホールのアスペクト比が１．０より大きくなった場合であっても、コンタクトホール底部エッジ部、および側面のＡｌ膜または、Ａｌ合金膜の膜厚を、平面部の膜厚と比較して１０％以上形成し、金属配線の断線、もしくはエレクトロマイグレーション耐性の劣化を防止する。 - 特許庁