「flash gate」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

NONVOLATILE FLASH MEMORY CELL OF SINGLE GATE例文帳に追加

単一ゲートの不揮発性フラッシュメモリセル - 特許庁

METHOD OF FORMING SPLIT GATE TYPE FLASH MEMORY例文帳に追加

スプリットゲート型フラッシュメモリ形成方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SPLIT GATE FLASH MEMORY DEVICE例文帳に追加

スプリットゲートフラッシュメモリデバイスの製造方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING GATE OF STACK FLASH TYPE FLASH EEPROM CELL例文帳に追加

スタックトゲート型フラッシュＥＥＰＲＯＭセルのゲート形成方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING GATE PATTERN OF FLASH MEMORY DEVICE例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のゲートパターン形成方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING FLOATING GATE OF FLASH-MEMORY DEVICE例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のフローティングゲート形成方法 - 特許庁

FLOATING GATE FORMING METHOD OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のフローティングゲート形成方法 - 特許庁

GATE ELECTRODE FORMING METHOD OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のゲート電極形成方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING FLOATING GATE OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のフローティングゲート形成方法 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SPLIT GATE TYPE FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

スプリットゲート型フラッシュメモリ素子の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SPLIT GATE TYPE FLASH MEMORY DEVICE例文帳に追加

スプリットゲート型フラッシュメモリ装置の製造方法 - 特許庁

SPLIT GATE FLASH MEMORY CELL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

スプリットゲートフラッシュメモリセル及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SPLIT GATE FLASH MEMORY DEVICE例文帳に追加

スプリットゲート型フラッシュメモリー素子の製造方法 - 特許庁

To provide a vertical separation gate flash memory cell.例文帳に追加

垂直型分離ゲートフラッシュメモリセルを提供する。 - 特許庁

METHOD FOR INTEGRATING SIDE WALL SPLIT GATE FLASH TRANSISTOR例文帳に追加

サイドウオ—ルスプリットゲ—トフラッシュトランジスタの集積方法 - 特許庁

FLOATING GATE ELECTRODE FORMING METHOD OF FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のフローティングゲート電極形成方法 - 特許庁

SPLIT-GATE FLASH MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

スプリットゲート型フラッシュメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING SELF-ALIGNED FLOATING GATE IN FLASH MEMORY CELL例文帳に追加

フラッシュメモリセルの自己整列フローティングゲート形成方法 - 特許庁

SPLIT GATE TYPE FLASH MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

スプリットゲート型フラッシュメモリ素子およびその製造方法 - 特許庁

SPLIT-GATE TYPE FLASH MEMORY ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

スプリットゲート型フラッシュメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

CELL OPERATING METHOD USING GATE INJECTION FOR FLOATING-GATE NAND FLASH MEMORY例文帳に追加

浮遊ゲートＮＡＮＤフラッシュメモリ用のゲート注入を用いるセル動作方法 - 特許庁

SPLIT-GATE TYPE FLASH MEMORY ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

スプリットゲート型のフラッシュメモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING FLASH MEMORY HAVING U-SHAPED FLOATING GATE例文帳に追加

Ｕ字状浮遊ゲートを有するフラッシュメモリの製造方法 - 特許庁

VERTICAL SEPARATION GATE FLASH MEMORY CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

垂直型分離ゲートフラッシュメモリセル及びその製造方法 - 特許庁

IMPROVED SPLIT GATE TYPE NON-VOLATILE FLASH MEMORY CELL AND ARRAY WHICH HAVE FLOATING GATE, CONTROL GATE, SELECTION GATE, AND ERASE GATE WITH OVERHANG ON FLOATING GATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING例文帳に追加

浮遊ゲート、制御ゲート、選択ゲート、及び浮遊ゲートの上にオーバーハングをもつ消去ゲートを有する、改善されたスプリット・ゲート型不揮発性フラッシュメモリ・セル、アレイ、及び製造方法 - 特許庁

To provide a flash memory element in which the gate capacity coupling rate is enhanced between a floating gate and a control gate.例文帳に追加

フローティングゲートとコントロールゲートとの間のゲートキャパシティブカップリング率を向上させたフラッシュメモリ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a split gate type flash memory device.例文帳に追加

スプリットゲート型フラッシュメモリ装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING FLASH MEMORY CELL HAVING SPLIT-GATE STRUCTURE例文帳に追加

分離ゲートの構造を有するフラッシュメモリセルを製造する方法 - 特許庁

To provide a split gate type flash memory and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

スプリットゲート型フラッシュメモリ素子及びその製造方法の提供。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SPLIT-GATE FLASH MEMORY CELL USING SPACER OXIDATION PROCESS例文帳に追加

スペーサー酸化工程を利用する分離ゲートフラッシュメモリセル製造方法 - 特許庁

To provide an AND floating gate flash memory having scalability.例文帳に追加

スケーラビリティを有するＡＮＤ型フローティングゲートフラッシュメモリを提供する。 - 特許庁

In the flash memory element, a gate dielectric film to be formed between the floating gate 12 of the flash memory element and the control gate 16 thereof is formed by laminating an oxide film and a ZrO_2film.例文帳に追加

フラッシュメモリ素子のフローティングゲート１２とコントロールゲート１６との間に形成されるゲート誘電膜を酸化膜とZrO_2膜を積層して形成することを特徴とする。 - 特許庁

NAND FLASH MEMORY HAVING CLOSELY-SPACED MEMORY GATE AND MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

密集したメモリゲートを有するＮＡＮＤフラッシュメモリ及び製作方法 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flash memory cell having a split-gate structure.例文帳に追加

分離ゲート構造を有するフラッシュメモリセルの製造方法を提供する - 特許庁

To provide a split-gate type flash memory element and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

スプリットゲート型のフラッシュメモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce a cell area in a flash memory device of a single gate structure.例文帳に追加

単層ゲート構造のフラッシュメモリ装置において、セル面積を縮小する。 - 特許庁

To provide a method for forming the floating gate of a flash memory element in which the space of a floating gate can be ensured.例文帳に追加

フローティングゲートのスペースを確保することが可能なフラッシュメモリ素子のフローティングゲート形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a split gate flash memory cell equipped with a peak floating gate that is improved in coupling ratio between the peak floating gate and a control gate, and to provide a method of manufacturing the memory cell.例文帳に追加

ピークフローティングゲートと制御ゲートとの間の結合比を向上させたピークフローティングゲートを備えるスプリットゲートフラッシュメモリセル及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING AND OPERATING TRENCH SPLIT GATE NONVOLATILE FLASH MEMORY例文帳に追加

トレンチスプリットゲート不揮発性フラッシュメモリセル構造を形成、および操作する方法 - 特許庁

To provide a method for forming a gate of a flash memory element which improves a ratio of a gate width between a control gate and a floating gate to elevates a characteristic of a device, making a gate etching process in the same chamber.例文帳に追加

ゲートエッチング工程を同一のチャンバ内で行い、コントロールゲートとフローティングゲート間のゲート幅比を改善してデバイスの特性を向上させるフラッシュメモリ素子のゲート形成方法を提供する。 - 特許庁

HOT RUNNER-VALVE GATE MOLD AND METHOD FOR PREVENTING OCCURRENCE OF FLASH IN USE OF THE MOLD例文帳に追加

ホットランナー・バルブゲート金型並びに該金型の使用におけるバリ発生防止方法 - 特許庁

To provide a method of forming a split gate type flash memory which enables to form a tip of a floating gate into an acute angle.例文帳に追加

フローティングゲートのチップ部分を鋭角に形成することができるスプリットゲート型フラッシュメモリ形成方法を提供する。 - 特許庁

To shorten the gate length in the horizontal direction of a select gate transistor in an NAND flash memory.例文帳に追加

本発明は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、選択ゲートトランジスタの水平方向のゲート長を小さくできるようにする。 - 特許庁

To provide a method for forming gate structures in a flash memory device capable of securing a margin between an active area and a floating gate.例文帳に追加

活性領域とフローティングゲートとの間のマージンを確保したフラッシュメモリ素子のゲート形成方法を提供すること。 - 特許庁

Flash memory cells are provided with high-k dielectric materials interposed between a floating polysilicon gate and a control gate.例文帳に追加

フラッシュメモリセルに、フローティングポリシリコンゲートとコントロールゲートとの間に位置するｈｉｇｈ−ｋ誘電材料が提供される。 - 特許庁