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flattened interfaceの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9件
To provide a flattened tunnel magnetoresistance element having high alignment and a flat interface without being influenced by the structure and irregularities of a ground such as an amorphous substance and a polycrystalline substance.例文帳に追加
アモルファスや多結晶体などの下地の構造や凹凸にとらわれることなく高配向で平坦な界面を持つ平坦化トンネル磁気抵抗素子を提供する。 - 特許庁
Moreover, since the piezoelectric thin film 5 is disposed on an upper surface 4b consisting mainly of a signal crystal Ru, reaction can be avoided from happening at the interface with the lower electrode 4, and the interface of the piezoelectric thin film 5 can be flattened.例文帳に追加
しかも、この圧電薄膜５が単結晶のＲｕを主成分とする上面４ｂ上に配置されるので、下部電極４との界面で反応が起こるのを回避でき、圧電薄膜５の界面を平坦にすることができる。 - 特許庁
The substrate on which the liquid crystal is printed is heated and the surface tension of the surface of an alignment layer and the liquid crystal is lowered to fit the interface therebetween and the liquid crystal layer is flattened.例文帳に追加
さらに、液晶を印刷した基板を加温して配向膜表面と液晶の表面張力を低下させ、両者の界面をなじませるとともに、液晶層を平坦化する。 - 特許庁
Reflection of incident light which becomes a detection object is greatly reduced in an interface between a package surface and an air layer by providing a reflection prevention film 7 to a flattened surface 6 at a light receiving side of a package 5.例文帳に追加
パッケージ５の受光側の平滑化された表面６に、反射防止膜７を設けて、パッケージ表面と空気層との界面において、検出対象となる入射光が反射されるのを大幅に低減する。 - 特許庁
Related to the crystal growth suppressing layer 22, by suppressing crystal growth of a layer formed over it, an average in-plane particle size of the ferromagnetic inside layer 26a comes to be 3-8 nm, resulting in flattened interface of the coupling layer 26b.例文帳に追加
結晶成長抑制層２２は、その上に形成される層の結晶成長を抑制することにより、強磁性内側層２６ａの平均面内粒径を３ｎｍ〜８ｎｍとし、これにより結合層２６ｂの界面を平坦化するようになっている。 - 特許庁
In a process in which an interface including an insulation layer composed of an insulation membrane covering a TFT on a substrate and a flattened membrane, an electrode and pixel separation membrane or the like is formed, a dehydration treatment is carried out in an environment where a dew-point temperature is controlled at -60°C or lower.例文帳に追加
基板上のＴＦＴを覆う絶縁膜と平坦化膜からなる絶縁層や、電極、画素分離膜等を含むインターフェースを形成する工程において、露点温度を−６０℃以下に管理した環境下で脱水処理を行う。 - 特許庁
The crystal-growth inhibitor layer 22, by inhibiting crystal growth of the layer formed thereon, limits an average in-surface particle diameter of the inner ferromagnetic layer 26a to a range between 3 nm and 8 nm, so that an interface between the inner ferromagnetic layer 26a and the coupling layer 26b is flattened.例文帳に追加
結晶成長抑制層２２は、その上に形成される層の結晶成長を抑制することにより、強磁性内側層２６ａの平均面内粒径を３ｎｍ〜８ｎｍとし、これにより結合層２６ｂの界面を平坦化するようになっている。 - 特許庁
Since the light-shielding layer is formed in not only the region where a transistor device is to be formed (pixel region) but also in the region including the surrounding region, the quality of lamination interface is improved when an insulating layer is deposited on the light-shielding layer and flattened to laminate with a single crystal silicon layer.例文帳に追加
この遮光層は、トランジスタ素子形成領域（画素部）だけでなく、その周辺領域まで含めて形成されているため、遮光層上に堆積した絶縁体層を平坦化して単結晶シリコン層を貼り合わせる際に、貼り合わせ界面の品質を向上させることができる。 - 特許庁
The interface between a lower capacitor and a capacitor insulating film is flattened by crystallizing amorphous SRO films 14 and 17 in continuous way by heat treatment, after forming an amorphous SRO film 14 as a lower capacitor electrode, a polycrystalline BST film 16 consisting of Ba(X)Sr(1- X)TiO (3) as a capacitor insulating film, and an amorphous SRO film 17 as an upper capacitor electrode.例文帳に追加
下部キャパシタ電極としての非晶質ＳＲＯ膜１４、キャパシタ絶縁膜としてＢａ（Ｘ）Ｓｒ（１−Ｘ）ＴｉＯ（３）からなる多結晶ＢＳＴ膜１６、上部キャパシタ電極としての非晶質ＳＲＯ膜１７を連続的に形成した後、熱処理により非晶質ＳＲＯ膜１４，１７を一括して結晶化する事により、下部キャパシタ電極とキャパシタ絶縁膜との界面を平担にする。 - 特許庁
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