例文 (6件) |
flr-2の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 6件
The guard ring and the FLR are combined, using boron for dopant, and besides the concentration of impurities in the FLR is made 2×1017 cm-3 or over, and the concentration of impurities in the guard ring is made as one-tenth high as that of the impurities in the FLR, whereby high breakdown strength is achieved.例文帳に追加
ボロンをドーパントに用い、ガードリングとFLRを組合せ、かつFLRの不純物濃度を2×10^17cm^-3以上とし、ガードリングの不純物濃度をFLRの不純物濃度より1/10以上低くすることにより、高耐圧を達成する。 - 特許庁
The second FLR layer 5 is provided on the first primary surface of the first semiconductor layer 2, spaced apart from the first FLR layer 4 so as to surround the first FLR layer 4.例文帳に追加
第2のFLR層5は、第1の半導体層1の第1の主面に第1のFLR層4と離間して第1のFLR層4を取り囲むように設けられる。 - 特許庁
A semiconductor device comprises: a first semiconductor layer 2 of a first conductivity type; an element region; a termination region; a first FLR layer 4 of a second conductivity type; a second FLR layer 5 of the second conductivity type; an insulating film 7; and a current blocking structure.例文帳に追加
実施形態の半導体装置は、第1導電形の第1の半導体層2と、素子領域と、終端領域と、第2導電形の第1のFLR層4と、第2導電形の第2のFLR層5と、絶縁膜7と、電流阻止構造体とを備える。 - 特許庁
An n-type FLR region 6 including P as an impurity is formed in an annular shape at a position near the boundary between the first and second Si layers 2 and 3 surrounding the base region 4 and the emitter region 5, and the FLR region 6 is formed in the embedded structure not exposed to the surface of the second Si layer 3.例文帳に追加
ベース領域4及びエミッタ領域5を取り囲むように、不純物としてPを含むn型のFLR領域6が、第1Si層2と第2Si層3との境界近傍の位置に環状に形成されており、FLR領域6は第2Si層3の表面に露出しない埋め込み構造となっている。 - 特許庁
At a voltage blocking structure part of a reverse blocking type IGBT, a surface layer on a top side of an n-type drift region 1 is provided with a plurality of field limiting rings (FLR) 2 and a channel stopper 3.例文帳に追加
逆阻止型IGBTの耐圧構造部には、n型ドリフト領域1のおもて面の表面層に、複数のフィールドリミッティングリング(FLR)2およびチャネルストッパー3が設けられている。 - 特許庁
例文 (6件) |
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