「inductive window」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The RF antenna 54 for generating plasma of inductive coupling inside a chamber is provided at a ceiling or on a dielectric window of the chamber.例文帳に追加

チャンバの天井または誘電体窓の上には、チャンバ内に誘導結合のプラズマを生成するためのＲＦアンテナ５４が設けられている。 - 特許庁

At the time of generating plasma by introducing an electromagnetic wave from a discoid antenna 3 to a plasma treatment chamber 5 through a dielectric window 4, the window 4 is constituted of a material having a different specific inductive capacity.例文帳に追加

円板状のアンテナ３から誘電体窓４を介して電磁波をプラズマ処理室５に導入しプラズマを生成する際に、誘電体窓４を比誘電率の異なる材質で構成する。 - 特許庁

In the inductively coupled plasma processor for processing an article by plasma generated by the inductive coupling of electromagnetic waves through a dielectric window, the surface of the dielectric window is covered with a conductor and surrounded by the conductor, a part of the conductor is cut to expose its surface, and the inductive coupling of electromagnetic waves takes place through the exposed dielectric window.例文帳に追加

誘電体窓を介した電磁波の誘導結合によりプラズマを発生させ、被処理物を加工する誘導型プラズマ処理装置に関し、誘電体窓表面が導電体部で被覆されるとともに、導電体部で囲まれ、表面が露出するように導電体部の一部が切り欠かれており、露出する誘電体窓を介して電磁波の誘導結合が行われるように構成した。 - 特許庁

An inductive wall member 31 is projected inward from the opposing inner wall of each window 25 of the main waveguide 21, and electromagnetic wave of the main waveguide 21 is distributed to each electromagnetic wave transmission line 10 via the branch waveguide 22 at a ratio dependent on the amount of projection of the inductive wall member 31.例文帳に追加

主導波管21の各窓25の対向内壁にそれぞれ管内側へ突出させて誘導性壁部材31を設け、その誘導性壁部材31の突出量に応じた割合で主導波管21の電磁波を分岐導波管22経由で各電磁波伝送路10に分配する。 - 特許庁

The inductive coupling type plasma etching apparatus is configured to generate inductive coupling plasma like a donut under a dielectric window 52 in proximity to an RF antenna 54, and distribute the donut-like plasma in a wide processing space to equalize the density of the plasma in the vicinity of a susceptor 12 (i.e. on a semiconductor wafer W).例文帳に追加

この誘導結合型プラズマエッチング装置は、ＲＦアンテナ５４に近接する誘電体窓５２の下で誘導結合のプラズマをドーナツ状に生成し、このドーナツ状のプラズマを広い処理空間内で分散させて、サセプタ１２近傍（つまり半導体ウエハＷ上）でプラズマの密度を平均化するようにしている。 - 特許庁