「layer group」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

EPITAXIAL SUBSTRATE AND METHOD FOR REDUCING DISLOCATION IN GROUP III NITRIDE LAYER GROUP例文帳に追加

エピタキシャル基板およびＩＩＩ族窒化物層群の転位低減方法 - 特許庁

METHOD FOR GROWING GROUP III NITRIDE LAYER AND GROUP III NITRIDE SUBSTRATE例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物層の成長方法およびＩＩＩ族窒化物基板 - 特許庁

About an arbitrary high order layer group and its lower low order layer group, a high order layer relay server is selected based on the selection priority from a low order layer relay server in the low order layer group.例文帳に追加

任意の上位層グループとその下の下位層グループについては、上位層中継サーバーが、下位層グループの下位層中継サーバーから選定優先度に基づいて選定される。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor substrate 10 with an epitaxial layer includes a group III nitride substrate and an epitaxial layer.例文帳に追加

エピタキシャル層付きIII族窒化物基板１０は、III族窒化物基板と、エピタキシャル層と、を備えている。 - 特許庁

GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER, LIGHT EMITTING LAYER, AND III-GROUP NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体層、発光層およびＩＩＩ族窒化物半導体発光素子 - 特許庁

The conductive layer 50 is adjacent to the first fixed magnetization layer 40a group.例文帳に追加

導電層５０は、第１磁化固定層群４０ａに隣接する。 - 特許庁

The 1st group and the 2nd group reactive layers are thermally brought into contact with each other, the 1st group reactive layer is more reactive than the 2nd group reactive layer and therefore the 2nd group reactive layer is burnt by the ignition of the 1st group reactive layer.例文帳に追加

該第一組および第二組の反応性層は熱的に接触し、第一組の反応性層は第二組の反応性層より反応性に富み、したがって、第一組の反応性層の着火により第二組の反応層を燃焼させる。 - 特許庁

In addition, the nitride semiconductor layer formed on the group III nitride substrate has at least the active layer, an n-type nitride semiconductor layer, and a p-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

前記半導体素子は、前記活性層はアルミニウム含有窒化物半導体を具える。 - 特許庁

This sliding bearing 1 is composed of a back plate layer 2, an Al group alloy intermediate layer 3 and an Al group bearing alloy layer 4.例文帳に追加

すべり軸受１を裏金層２、Ａｌ基合金中間層３及びＡｌ基軸受合金層４から構成する。 - 特許庁

The initial layer 2 is formed as a layer composed of a group III element of the group III-V compound semiconductor contained in the core layer 3.例文帳に追加

初期層３として、コア層３に含まれるIII-V族化合物半導体のIII族原子の層が形成されている。 - 特許庁

The group of lower-layer bumps 223 are aligned with the group of upper-layer bumps 213 so that the group of upper-layer bumps 213 and the group of lower-layer bumps 223 are joined together with the solder materials 230, and they are equally soldered together.例文帳に追加

上層バンプ２１３群と下層バンプ２２３群とを半田材２３０で接合させるように下層バンプ２２３群はそれぞれ上層バンプ２１３群に照準し、半田付けが均等になされる。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体層の製造方法 - 特許庁

This soft magnetic film includes a soft magnetic under layer, a spacer layer and one layer or a plurality of layer groups having a soft magnetic layer arranged on a spacer layer of each layer group.例文帳に追加

軟磁性膜は、軟磁性下地層と、スペーサ層および各層群のスペーサ層の上に配設された軟磁性層を有する１層または複数の層群とを含む。 - 特許庁

The outer layer is selected from among a group consisting of an arc spray layer, a frame spray layer, a plasma spray layer, an ion plating layer, a chemical vapor deposition layer, and an electroplating layer.例文帳に追加

外層はアークスプレー層、フレームスプレー層、プラズマスプレー層、イオンプレーティング層、化学気相堆積層及び電解プレーティング層よりなる群から選ばれる。 - 特許庁

To provide a group III nitride layer group with low dislocation exhibiting excellent crystal quality, and also to provide a method for reducing dislocation of a group III nitride layer group to be formed.例文帳に追加

低転位で結晶品質に優れたIII族窒化物層群を提供するとともに、形成すべきIII族窒化物層群の転位低減方法を提供する。 - 特許庁

ARTICLE PROTECTED BY DIFFUSION BARRIER LAYER AND PLATINUM GROUP PROTECTIVE LAYER例文帳に追加

拡散障壁層および白金族保護層によって保護された物品 - 特許庁

The Sn group overlay layer 15 is constituted of at least one layer.例文帳に追加

Ｓｎ基オーバレイ層１５は、少なくとも１層から構成されている。 - 特許庁

The quantum well structure comprises: a well support layer containing a group III nitride; a quantum well layer containing the group III nitride on the well support layer; and a cap layer containing the group III nitride on the quantum well layer.例文帳に追加

量子井戸構造は、ＩＩＩ族窒化物を含む井戸支持層と、井戸支持層上のＩＩＩ族窒化物を含む量子井戸層と、量子井戸層上のＩＩＩ族窒化物を含むキャップ層とを含む。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR LAMINATION STRUCTURE AND METHOD FOR REDUCING DISLOCATION OF GROUP III NITRIDE LAYER GROUP例文帳に追加

半導体積層構造及びＩＩＩ族窒化物層群の転位低減方法 - 特許庁

The method also includes forming the second group III-V intrinsic layer 210a over the insulator layer and forming the group III-V semiconductor layer 220 over the second group III-V intrinsic layer.例文帳に追加

更に前記絶縁層の上に第２のＩＩＩ−Ｖ族真性層２１０ａを形成し、該第２のＩＩＩ−Ｖ族真性層の上にＩＩＩ−Ｖ族半導体層２２０を形成する。 - 特許庁

The quantum well structure comprises: a first group III nitride based barrier layer; a group III nitride based quantum well layer on the first barrier layer; and a second group III nitride based barrier layer.例文帳に追加

量子井戸構造は、第１のＩＩＩ族窒化物系バリア層と、第１のバリア層上のＩＩＩ族窒化物系量子井戸層と、第２のＩＩＩ族窒化物系バリア層とを含む。 - 特許庁

The group III nitride layer, for example, can be a carrier containment layer.例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物層は、例えば、キャリア閉じ込め層とすることができる。 - 特許庁

In the group III nitride semiconductor electronic device, a first semiconductor layer 13 has distortion.例文帳に追加

第１の半導体層１３は、歪みを含む。 - 特許庁

p-TYPE LAYER FOR GROUP III NITRIDE LIGHT EMITTING DEVICE例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物発光デバイスのためのｐ型層 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF GROUP III NITRIDE SUBSTRATE, GROUP III NITRIDE SUBSTRATE, GROUP III NITRIDE SUBSTRATE WITH EPITAXIAL LAYER, GROUP III NITRIDE DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF GROUP III NITRIDE SUBSTRATE WITH EPITAXIAL LAYER, AND MANUFACTURING METHOD OF GROUP III NITRIDE DEVICE例文帳に追加

３族窒化物基板の製造方法、３族窒化物基板、エピタキシャル層付き３族窒化物基板、３族窒化物デバイス、エピタキシャル層付き３族窒化物基板の製造方法、および３族窒化物デバイスの製造方法。 - 特許庁

To provide a group III nitride layer group of low dislocation exhibiting excellent crystal quality, and to provide a method for reducing dislocation of group III nitride layer group to be formed.例文帳に追加

低転位で結晶品質に優れたＩＩＩ族窒化物層群を提供するとともに、形成すべきＩＩＩ族窒化物層群の転位低減方法を提供する。 - 特許庁

GROUP III-V NITRIDE LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物層およびその製造方法 - 特許庁

The active layer 15-1 includes a group-III nitride semiconductor.例文帳に追加

活性層１５−１はIII族窒化物半導体からなる。 - 特許庁

PLATINUM GROUP METAL PASTE AND FORMATION METHOD FOR PASTE LAYER例文帳に追加

白金族金属ペースト及びペースト層の形成方法 - 特許庁

GROUP III NITRIDE EPITAXIAL LAYER ON SILICON CARBIDE SUBSTRATE例文帳に追加

炭化シリコン基板上のＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体層を含む半導体装置 - 特許庁

Finally, a group III nitride semiconductor layer 16 is grown and crystallized on the group III-V compound layer 20.例文帳に追加

最後にＩＩＩ−Ｖ族化合物層２０上にＩＩＩ族窒化物半導体層１６を成長結晶させる。 - 特許庁

A pore-less super-abrasive grain layer area group and superabrasive grain layer group having pores are formed in a super-abrasive grain layer with a predetermined pattern.例文帳に追加

超砥粒層に所定のパターンで、無気孔の超砥粒層領域群と、有気孔の超砥粒層領域群を形成する。 - 特許庁

A current constriction layer 12 is configured by the group III-V compound semiconductor layer 11 and the group III-V compound semiconductor layer 13.例文帳に追加

III−V族化合物半導体層１１とIII−V族化合物半導体層１３とによって電流狭窄層１２が構成される。 - 特許庁

The first p-type group III nitride semiconductor layer 27 is provided between the second p-type group III nitride semiconductor layer 29 and the active layer 25.例文帳に追加

第１ｐ型III族窒化物半導体層２７は第２ｐ型III族窒化物半導体層２９と活性層２５との間に設けられる。 - 特許庁

The coating layer preferably contains a polymer which contains a substrate absorptive group, a polymerizable group, and a hydrophilic group.例文帳に追加

該下塗り層が基板吸着性基、重合性基、および親水性基を有するポリマーを含むことが好ましい。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 2 is constituted of the p-type semiconductor layer 2 and a chalcopyrite structure semiconductor including a Ib group element, a IIIb group element and a VIb group element.例文帳に追加

ｐ形半導体層２はＩｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＶＩｂ族元素とを含むカルコパイライト構造半導体からなる。 - 特許庁

To lower a resistance of a p-type semiconductor layer group in a semiconductor device with a p-type semiconductor layer group and an n-type semiconductor layer group laminated on a predetermined wafer so that the p-type semiconductor layer group is satisfactorily activated for a practical use.例文帳に追加

所定の基板上において、ｐ型半導体層群及びｎ型半導体層群が積層されてなる半導体素子において、前記ｐ型半導体層群が十分に活性化処理されて実用に足るべく低抵抗化する。 - 特許庁

After that, the group III nitride layer group is epitaxially grown on the substrate 10.例文帳に追加

次いで、エピタキシャル基板１０上にＩＩＩ族窒化物層群をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The surface modified layer preferably includes at least a carboxyl group as a functional group.例文帳に追加

表面改質層が、官能基として少なくともカルボキシル基を含むことが好ましい。 - 特許庁

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MULTI-WAVELENGTH LIGHT EMITTING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

ＩＩＩ族窒化物半導体素子及び多波長発光ＩＩＩ族窒化物半導体層 - 特許庁

A transistor 21 comprises a low-temperature nucleation layer 23, a gallium nitride buffer layer 25, and a group III nitride layer 27.例文帳に追加

トランジスタ２１は、低温核形成層２３と、窒化ガリウムバッファ層２５と、III族窒化物層２７とを備える。 - 特許庁

A magnetic memory element 70 includes a free magnetization layer 10, a nonmagnetic layer 20, a reference layer 30, a fixed magnetization layer group 40, and a conductive layer 50.例文帳に追加

磁気メモリ素子７０は、磁化自由層１０と非磁性層２０とリファレンス層３０と磁化固定層群４０と導電層５０とを具備する。 - 特許庁

VAPOR DEPOSITION METHOD FOR FORMING ATOM LAYER BY USING GROUP IV METAL PRECURSOR例文帳に追加

ＩＶ族金属前駆体を用いた原子層蒸着法 - 特許庁

METHOD OF LAYER-2 CLOSED USER GROUP COMMUNICATION OVER VIRTUAL RING NETWORK例文帳に追加

仮想リング網によるレイヤ２クローズドユーザグループ通信方法 - 特許庁