「memory-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The memory device is configured to emulate a first emulated memory type and a second emulated memory type.例文帳に追加

メモリデバイスは、エミュレートされる第１のメモリタイプ、およびエミュレートされる第２のメモリタイプをエミュレートするように構成されている。 - 特許庁

Process or type and features ---* MTRR (Memory Type Range Register) support Device drivers ---Graphics support ---M /dev/agpgart (AGP Support)例文帳に追加

(上の代わりにあなたのチップセットを有効にすること) DirectRenderingManager(XFree864.1.0andhigherDRIsupport) - Gentoo Linux

MAGNETORESISTANCE EFFECT-TYPE ELEMENT AND MAGNETORESISTANCE EFFECT-TYPE RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

磁気抵抗効果型素子および磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ - 特許庁

WRAPPER CIRCUIT AND METHOD FOR INTERFACING BETWEEN NON-MUXED TYPE MEMORY CONTROLLER AND MUXED TYPE MEMORY例文帳に追加

非多重型メモリコントローラと多重型のメモリとをインタフェーシングするためのラッパ回路及び方法 - 特許庁

MULTI-CHIP PACKAGE TYPE MEMORY SYSTEM AND COMPUTER SYSTEM例文帳に追加

マルチチップパッケージ型メモリシステムおよびコンピュータシステム - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY OF DIVIDED WORD LINE TYPE例文帳に追加

ディバイデッドワードライン方式の半導体記憶装置 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SPLIT GATE TYPE FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

スプリットゲート型フラッシュメモリ素子の製造方法 - 特許庁

RESISTANCE CHANGE TYPE MEMORY AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

抵抗変化型メモリおよびその作製方法 - 特許庁

NAND TYPE NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

ＮＡＮＤ型不揮発性半導体記憶装置 - 特許庁

PREVENTING OR IMPROVING AGENT OF ALZHEIMER TYPE MEMORY DISORDER例文帳に追加

アルツハイマー型記憶障害の予防・改善剤 - 特許庁

SYNCHRONOUS TYPE BURST NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY例文帳に追加

同期式バースト不揮発性半導体記憶装置 - 特許庁

INTEGRATED-TYPE MEMORY CARD AND SHAPE TRANSFORMATION ADAPTOR例文帳に追加

統合型メモリーカード及び形状変換アダプタ - 特許庁

NAND TYPE FLASH MEMORY ELEMENT AND ITS DRIVING METHOD例文帳に追加

ナンド型フラッシュメモリ素子及びその駆動方法 - 特許庁

COMMUNICATION SYSTEM, NETWORK TYPE MEMORY DEVICE, AND PRINTER例文帳に追加

通信システム，ネットワーク型記憶装置及びプリンタ - 特許庁

FILE STORAGE TYPE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

ファイルストレージ型不揮発性半導体記憶装置 - 特許庁

GAME APPARATUS, PORTABLE TYPE MEMORY MEDIUM AND GAME SYSTEM例文帳に追加

ゲーム装置、可搬型記憶媒体及びゲームシステム - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SPLIT GATE TYPE FLASH MEMORY DEVICE例文帳に追加

スプリットゲート型フラッシュメモリ装置の製造方法 - 特許庁

ERASURE VERIFICATION METHOD FOR NAND-TYPE FLASH MEMORY ELEMENT, AND ITS NAND-TYPE FLASH MEMORY ELEMENT例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子の消去検証方法及びそのＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR AND-TYPE FLASH MEMORY CELL例文帳に追加

アンド（ＡＮＤ）タイプフラッシュメモリセルの製造方法 - 特許庁

VIRTUAL GROUNDING TYPE NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

仮想接地型不揮発性半導体記憶装置 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which the constitution of a memory cell can be switched electrically from a normal single memory cell type to a twin memory cell type.例文帳に追加

メモリセルの構成を通常のシングルメモリセル型からツインメモリセル型へ電気的に切替えることができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The ferroelectric memory device comprises a simple matrix type memory cell array.例文帳に追加

強誘電体メモリ装置は、単純マトリクス型のメモリセルアレイを有する。 - 特許庁

A memory card 1 has a controller 4 and a NAND type flash memory 3.例文帳に追加

メモリカード１は、コントローラ４とＮＡＮＤ型フラッシュメモリ３とを有する。 - 特許庁

Each of the memory layers 12A-12C is a simple matrix type memory layer.例文帳に追加

メモリ層１２Ａ〜１２Ｃの夫々は単純マトリクス型のメモリ層である。 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY CELL, RESISTANCE VARIABLE TYPE NONVOLATILE MEMORY DEVICE, AND DESIGN METHOD OF NONVOLATILE MEMORY CELL例文帳に追加

不揮発性メモリセル、抵抗可変型不揮発性メモリ装置および不揮発性メモリセルの設計方法 - 特許庁

CIRCUMSTANCE MEMORY TYPE CONTENT MANAGEMENT DEVICE AND METHOD例文帳に追加

状況記憶型コンテンツ管理装置及び方法 - 特許庁

MANUFACTURE OF FLAT CELL-TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

フラットセル型半導体メモリ装置の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR OPERATING NAND TYPE NON-VOLATILE MEMORY CELL例文帳に追加

ＮＡＮＤ型不揮発性メモリセルの作動方法 - 特許庁

LIGHT-SCATTERING TYPE LIQUID CRYSTAL DEVICE HAVING MEMORY PROPERTIES例文帳に追加

メモリー性を有する光散乱型液晶デバイス - 特許庁

SPLIT GATE TYPE MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

スプリットゲート型メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

MEMORY-USING METHOD FOR DATA OF STRUCTURE-TYPE ARRAY例文帳に追加

構造体型配列のデータのメモリ使用方法 - 特許庁

PROGRAM PREPARATION SYSTEM FOR DISTRIBUTED MEMORY TYPE MULTIPROCESSOR例文帳に追加

分散メモリ型マルチプロセッサ向けプログラム作成システム - 特許庁

INTEGRATED CIRCUIT AND SYNCHRONIZATION-TYPE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

集積回路及び同期型半導体メモリ装置 - 特許庁

TYPE*. The memory will not have been initialized in any way.例文帳に追加

メモリには何の初期化も行われていません。 - Python

ONE-TRANSISTOR ONE-CAPACITOR TYPE DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

１トランジスタ１キャパシタ型のダイナミックランダムアクセスメモリ - 特許庁

LAMINATED GATE STRUCTURE FOR NONVOLATILE MEMORY DEVICE, NONVOLATILE MEMORY CELL, NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND NOR TYPE NONVOLATILE MEMORY CELL例文帳に追加

不揮発性メモリ装置の積層ゲート構造体、不揮発性メモリセル、不揮発性メモリ装置、ＮＯＲ型不揮発性メモリセル - 特許庁

REFRESH METHOD OF NAND FLASH MEMORY, AND NAND TYPE FLASH MEMORY DEVICE例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリのリフレッシュ方法及びＮＡＮＤ型フラッシュメモリデバイス - 特許庁

MONOS TYPE NONVOLATILE MEMORY CELL, NONVOLATILE MEMORY AND MANUFACTURE THEREOF例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型不揮発性メモリセル、不揮発性メモリおよびその製造方法 - 特許庁

REGISTER TYPE MEMORY MODULE, MEMORY SYSTEM INCLUDING IT AND ITS CONTROL METHOD例文帳に追加

レジスタ型メモリモジュール及びこれを含むメモリシステム並びにその制御方法 - 特許庁

MUSICAL SOUND SYNTHESIZER, MEMORY ACCESS DEVICE AND WAVEFORM MEMORY TYPE MUSICAL SOUND SYNTHESIZER例文帳に追加

楽音合成装置、メモリアクセス装置および波形メモリ型楽音合成装置 - 特許庁

METHOD AND CIRCUIT FOR READING TWO BIT TYPE MEMORY CELL, AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

２ビット型メモリセルの読み出し方法及び回路と半導体記憶装置 - 特許庁

CURRENT FUSING TYPE FUSE ARRAY, SEMICONDUCTOR MEMORY, AND SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM例文帳に追加

電流溶断型ヒューズアレイ、半導体記憶装置及び半導体記憶システム - 特許庁

A memory having a contiguous block of memory of the same type is determined so that a fragment includes a contiguous block of memory of the same type.例文帳に追加

同じ形式のメモリの連続ブロックを有するメモリが決定され、フラグメントは同じ形式のメモリの連続ブロックを有する。 - 特許庁

RESISTANCE CHANGE TYPE MEMORY DEVICE AND ITS DRIVING METHOD例文帳に追加

抵抗変化型メモリデバイスおよびその駆動方法 - 特許庁

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE INTEGRATED TYPE MEMORY AND COMPUTER例文帳に追加

液晶表示装置一体型メモリおよびコンピュータ - 特許庁