「memory-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目) - Weblio英語例文検索

An active matrix type organic EL display 100F does not write directly to a signal line by a selector switch arranged at a data driver 103 as a first driver, but writes time-division data, then writes them to a line memory (second latch) of a next stage, and outputs the data in a line sequential style.例文帳に追加

アクティブマトリクス型有機ＥＬディスプレイ１００Ｆは、第１のドライバとしてのデータドライバ１０３に配置したセレクタスイッチにより信号線に直接書き込むのではなく、ラッチタイプのラインメモリ（第１ラッチ）に、時分割のデータを書き込み、次に次段のラインメモリ（第２ラッチ）に書き込み、そのデータを線順次形式の出力を行う。 - 特許庁

The polling type gathering circuit 24 executes polling to the sensors 11a to 11n via transmission lines 14a to 14n from a polling port 22 when receiving notice from the receiving circuit 23, and gathers the detecting data stored in the memory 12 of the respective sensors 11a to 11n, and outputs the data to a data processing circuit 25.例文帳に追加

ポーリング形収集回路２４は、受信回路２３から通知を受けると、ポーリング用ポート２２より伝送回線１４ａ〜１４ｎを介してセンサ１１ａ〜１１ｎにポーリングを行ない、各センサ１１ａ〜１１ｎのメモリ１２に記憶されている検知データを収集してデータ処理回路２５へ出力する。 - 特許庁

It is designed that the write time is about 10 μs and the leakage current of the junction in writing is approximate 100 ns, therefore, the energy necessary for writing is reduced up to 5 pJ, that is, reduced to 1/100 or less, compared with a writing energy used in implantation of channel hot electron of the customary stacked gate type memory.例文帳に追加

書込み時間はおおよそ１０μｓ、書込み動作時の前記接合の漏洩電流は１００ｎＡ程度に設計できるため、書込みに要するエネルギーは５ｐＪまで低減され、従来のスタックド・ゲート型メモリセルのチャンネルホットエレクトロン注入を用いた書込みのエネルギーに比較して１／１００以下に低減できる。 - 特許庁

A switch element (51) comprising single channel type MOS transistors are provided at the halfway of a path in which high voltage (EXWL) supplied to a memory array (10) from an external terminal when a test is transmitted, it is not necessary that supply voltage is reset without omission during a test by turning off the switch element (51) at switching a word line.例文帳に追加

テスト時に外部端子からメモリアレイ（１０）に供給される高電圧（ＥＸＷＬ）を伝達する経路の途中に単一チャネル型のＭＯＳトランジスタからなるスイッチ素子（５１）を設け、ワード線切換え時に該スイッチ素子をオフさせることでテスト中にいちいち供給電圧をリセットする必要をなくした。 - 特許庁

In an information processing device equipped with an inputting device such as a key board, a mouse and so on, data corresponding to operations of the inputting devices are obtained by referring to a key buffer or by an API, and the obtained data are periodically stored in a mobile-type nonvolatile storage medium such as a USB memory, an MO disk and so on.例文帳に追加

キーボードやマウス等の入力装置を備える情報処理装置において、前記入力装置の操作に対応するデータをキーバッファの参照やＡＰＩにより取得し、取得した当該データを、ＵＳＢメモリやＭＯディスク等の不揮発性の可搬型記憶媒体に時系列的に記憶する。 - 特許庁

A three-plate projection-type liquid crystal device, adopting a signal line selection sampling system, comprises performing arrangement of video data in a data arrangement part 2b by address control by an LUT system using an outside memory 34, and simplifying the circuit configuration by controlling only DSD.例文帳に追加

信号ライン選択サンプリング方式を採用する３板式プロジェクション型液晶表示装置において、データ並び替え部２ｂでの映像データの並び替えを、外部メモリ３４を用いたＬＵＴ方式によるアドレス制御によって行うようにし、ＤＳＤのみでの制御とすることで回路構成を簡素化する。 - 特許庁

To provide a display device capable of avoiding such a state that the circuit becomes complex, by reducing the number of wirings to be connected to a pixel even when gradation information included in display data is increased, and its driving method in a matrix type liquid crystal display device in which a memory function is provided at a pixel part and whose power consumption is lowered.例文帳に追加

メモリ機能を画素部に具備し、低消費電力化を図ったマトリクス型の液晶表示装置において、表示データの含む階調情報量が増加しても、画素に接続する配線本数を少なく抑え、回路の複雑化を回避可能な表示装置、及びその駆動方法を提供することにある。 - 特許庁

The facsimile machine capable of communicating color information includes: a memory for setting a medium; a means for transmitting information from the set medium; and a means for executing communication by a plurality of channel types, and changes a line type in use depending on the number of transmission pixels of transmission information when selecting information transmission from the set medium.例文帳に追加

カラー情報を通信可能なファクシミリ装置において、媒体をセットする手段、セットされた媒体からの情報を送信する手段、複数の回線種別での通信を実行する手段を有し、セットされた媒体からの情報送信が選択時は、送信情報の送信画素数により、使用する回線種別を変える。 - 特許庁

Frequency characteristic information of voice in the vehicle is obtained by analyzing the audio signal inputted to the microphone 13 and characteristic information including the frequency characteristic information, a seat position, the arrangement position of the speaker, and the type of the vehicle is transmitted to a communication terminal 3 through a memory stick.例文帳に追加

マイクロフォン１３に入力された音声信号を解析することによって、車両内の音声の周波数特性情報を取得し、周波数特性情報、座席位置、スピーカの配置位置および車両の車種とを含む特性情報を、メモリスティックを介して通信端末装置３に送信する。 - 特許庁

An image formation device for layout outputting electronic document data to be inputted from an external unit comprises a means for detecting the type of lithographic information in the document data, a means for detecting the exhausted intermediate code storage memory, and a means for gradually declining in an information content of the intermediate code at each kind of the lithographic information.例文帳に追加

外部装置から入力される電子文書データをレイアウト出力する画像形成装置において、文書データ中の描画情報の種類を検知する手段と、中間コード格納メモリの枯渇を検知する手段と、描画情報の種類毎に中間コードの情報量を段階的に低下させる手段と、を備える。 - 特許庁

As a result, negative electric charges formed on the interface of the light oxide films 11a and 11b, the sidewall film 12 of the upper layer thereof and a sidewall spacer 16 can be reduced, the refresh characteristics of memory cells can be improved, and the occurrence of the kink phenomenon in the p-channel type MISFET of the peripheral circuit can be reduced.例文帳に追加

その結果、ライト酸化膜１１ａ、１１ｂとその上層のサイドウォール膜１２およびサイドウォールスペーサ１６との界面に形成される負電荷量を低減させることができ、メモリセルのリフレッシュ特性を向上させ、周辺回路のｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴのキンク現象の発生の低減させることができる。 - 特許庁

The dynamic virtual channel management circuit is provided with an AAL 5 detection means 22 that monitors a payload identifier field of a header of an input ATM cell to detect a virtual channel of an AAL type 5 and a VC management memory means 26 that registers and manages contract information of the virtual channel detected by the AAL 5 detection means 22 by each virtual channel.例文帳に追加

入力ＡＴＭセルのヘッダのペイロードタイプ識別子フィールドを監視してＡＡＬタイプ５のバーチャルチャネルを検出するＡＡＬ５検出手段２２と、ＡＡＬ５検出手段２２で検出されたバーチャルチャネルの契約情報をバーチャルチャネル毎に登録して管理するＶＣ管理メモリ手段２６とを有する。 - 特許庁

A memory element 1 comprises a field effect transistor element which is composed of two impurity diffusion areas 11, a gate electrode 13, and a gate insulating layer 12 on a p-type silicon board 10; and a variable resistance element which is composed of a lower electrode 19, an upper electrode 21, and a variable resistance layer 20 interposed between the lower and upper electrodes 19, 21.例文帳に追加

メモリ素子１は、ｐ型シリコン基板１０に、２箇所の不純物拡散領域１１とゲート電極１３およびゲート絶縁層１２から構成される電界効果型トランジスタ素子部と、下部電極１９と上部電極２１とで可変抵抗層２０を挟み構成された可変抵抗素子部とからなる。 - 特許庁

A registration processing part 122 retrieves, when an electronic document is inputted, storage requirements corresponding to the document type of the electronic document from the memory 110, determines a storage form satisfying all the retrieved storage requirements, and stores the electronic document in a document storage device 100 in the determined storage form.例文帳に追加

登録処理部１２２は、電子文書が入力された場合、その電子文書の文書種別に該当する保存要件を保存要件記憶部１１０から検索し、検索されたすべての保存要件を満たす保存形態を求め、その保存形態で電子文書を文書保存装置１００に保存する。 - 特許庁

In the protection method of an electrical communication terminal including a personal element to be needed for electrical communication network access of a chip card type, the terminal T includes a processing device, at least one operation memory including information to be needed for an operation of the terminal, i.e. an operation program of the terminal, and data to be needed for the program.例文帳に追加

チップカードタイプの電気通信ネットワークアクセスに必要な個人的な構成要素を含む電気通信端末の保護方法に関するものであり、端末Ｔは、処理装置、端末の作動に必要な情報すなわち端末の作動プログラムを含む少なくとも一つの作動メモリ、およびこのプログラムに必要なデータを含む。 - 特許庁

The split-gate type flash memory element is provided with a silicon epitaxial layer which is formed in an active region of a bulk silicon substrate, and an insulating film for preventing distrubances which is formed on the bulk silicon substrate between the source and the drain of the element, wherein the insulating film for distrubance prevention is formed, using an STI formation process.例文帳に追加

バルクシリコン基板の活性領域に形成されているシリコンエピタキシャル層と、素子のソース及びドレイン間のバルクシリコン基板に形成されているディスターバンス防止用絶縁膜とを備えるスプリットゲート型フラッシュメモリ素子であり、該スプリットゲート型フラッシュメモリ素子では、ディスターバンス防止用絶縁膜は、ＳＴＩ形成工程を利用して形成される。 - 特許庁

To realize high-quality characteristic information verification by obtaining undistorted images in high speed using a small amount of memory capacity, in an apparatus which obtains information needed for personal authentication from a plurality of partial images that are successively captured by, for example, a sweep-type fingerprint sensor with a fingertip moved on the sensor surface.例文帳に追加

例えばスウィープ型指紋センサにおいて指をそのセンサ面に対して移動させながら連続的に採取される複数の部分画像から、個人認証等に必要な情報を取得するための装置において、歪みの無い画像を少ないメモリ容量で且つ高速に得られるようにして、高品質な特徴情報による照合を可能にする。 - 特許庁

To provide a cylindrical lithium ion secondary battery of which the sealing structure of blocking an upper opening of a battery case is made simple to reduce the production cost, which can be mounted simply on a device to be mounted with single touch, suitable for a mobile device like a pen type data memory input device as a built-in power supply.例文帳に追加

外装缶の上部開口を閉塞する封止構造が簡素であり、従ってリチウムイオン二次電池の製造コストの低減化に貢献でき、しかも対象機器に対する装脱着をワンタッチで簡便に行うことができ、ペン型データ記憶入力装置などのモバイル機器の内蔵電源として好適な、円筒型のリチウムイオン二次電池を提供する。 - 特許庁

To provide a data analysis apparatus of model conversion type, a record medium and a program allowing a high-speed prediction with a reasoning algorism based on memory by using a model, even when sample data is not inputted, allowing the prediction, even when inputted, allowing the prediction with reflecting the model and also allowing the prediction with high-speed.例文帳に追加

本発明はモデル変換型データ分析装置、記録媒体及びプログラムに関し、モデルを活用することにより、記憶に基づく推論のアルゴリズムによる予測を高速化させ、事例データが入力されない場合でも予測ができ、事例データが入力された場合でも、モデルを反映した予測ができ、かつ、高精度の予測ができるようにする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device in which Vpp can be transferred without voltage drop of Vth (threshold voltage) of a transfer transistor, also processes are decreased and a cost is reduced by using normal LVP (low voltage P type transistor), in a transfer circuit for transferring Vpp selectively or a decode circuit.例文帳に追加

Ｖｐｐを取捨選択的に転送するための転送回路あるいはデコード回路において、転送トランジスタのＶｔｈ（スレッシュホルド電圧）の電圧降下なくＶｐｐを転送することができ、かつ、通常のＬＶＰ（ロウボルテージＰ型トランジスタ）を使用することによってプロセスを削減しコストを低減した不揮発性半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

The simple matrix type memory element is formed in such a way that, after peripheral circuits 21 and 22 are formed on a substrate 1 by transfer and a flattened film 3 is formed on the substrate 1 including the circuits 21 and 22, X-stripe electrodes 61-6n, a ferroelectric organic thin film 7, and Y-stripe electrodes 81-8m are successively formed on the flattened film 3.例文帳に追加

基板１上に周辺回路２１，２２を転写形成し、周辺回路２１，２２を含む基板１上に平坦化膜３を形成した後、平坦化膜３上にＸストライプ電極６１，６２，…，６ｎ、強誘電性有機薄膜７、及びＹストライプ電極８１，８２，…，８ｍを順次形成して単純マトリクス構造のメモリセルを形成する。 - 特許庁

In the contact program type mask ROM where the drain contact of a part of cell transistors in a memory cell array is connected to a bit line 1 through a repeating pattern 3 and a via plug 2, adjacent via plugs are connected to a bit-line direction wiring layer 3a in common when a plurality of via plus connected to the same bit line are continuously adjacent in the bit line direction.例文帳に追加

メモリセルアレイにおける一部のセルトランジスタのドレインコンタクトが中継用パターン部３とビアプラグ２を経てビット線１に接続されるコンタクトプログラム方式のマスクROM において、同一ビット線に接続される複数のビアプラグがビット線方向に連続して隣り合う場合に、隣り合うビアプラグがビット線方向の配線層３ａにより共通に接続されている。 - 特許庁

An erase command to designate a partition number as the object of erase is issued from a host to an NAND type flash memory device, and the control part of a device interprets the address of an erase object area specified on the basis of the partition number by referring to a partition map for a control, and erases all the data stored in an erase object partition on the basis of the interpretation.例文帳に追加

ホストからＮＡＮＤ型フラッシュメモリデバイスへ、消去対象となるパーティション番号を指定した消去コマンドを発行し、デバイスの制御部は、制御部用のパーティションマップを参照して、該パーティション番号で特定された消去対象領域のアドレスを解釈し、該解釈に基づき消去対象パーティションに記憶されている全データを消去する。 - 特許庁

The analysis method of the content size in the mobile terminal device comprises a step for determining the video CODEC type used for the content, a step for decoding a video CODEC end and analyzing the size information of the content based on the determination result, and a step for allocating the memory necessary for reproducible images.例文帳に追加

コンテンツに使用されたビデオコーデックの種類を判断する過程と、前記判断結果によって、ビデオコーデック端をデコーディングしてコンテンツのサイズ情報を分析する過程と、前記分析結果によって、再生可能な画像に該当するだけのメモリを割り当てる過程と、から構成されることを特徴とする携帯端末機におけるコンテンツのサイズ分析方法。 - 特許庁

The memory device 120 stores refueling information database memorized as fuel supply information by correlating the refueling information such as an oil type, an amount of refueling, a money amount of refueling, the date and time, and card data supplied whenever fuel supply to a vehicle T through a nozzle 52 of a fuel supply machine 50 is carried out.例文帳に追加

記憶装置１２０は、燃料供給機５０のノズル５２から車両Ｔへの燃料供給が行なわれる度に供給された油種、給油量、給油金額、日時、カードデータなどの給油情報と燃料供給が行なわれた時刻とを対応付けて燃料供給情報として記憶する給油情報データベースを格納している。 - 特許庁

The resistance change type nonvolatile memory has such a structure that a metal electrode 13 formed of Pt or the like is formed on the substrate 11 such as a silicon substrate via an adhesion layer 12, and the resistance change layer 15 is formed on the metal electrode 13 via a conductive oxide layer 14, and then a metal electrode 16 formed of Au or the like is formed on the resistance change layer 15.例文帳に追加

シリコン基板等の基板１１上に密着層１２を介してＰｔ等からなる金属電極１３を形成し、その上に導電性酸化物層１４を介して抵抗変化層１５を形成し、その上にＡｕ等からなる金属電極１６を形成することにより抵抗変化型不揮発性メモリを構成する。 - 特許庁

This compile device generates an object code 107 executable on a shared memory type computer with a thread as the unit of parallel processing by input of a source program 101 and using an inter-thread synchronous overhead information file 108 and the number of machine cycles acquisition library 106, and is constituted of a syntax analysis part 103, a parallelization part 104 and a code generation part 105.例文帳に追加

ソースプログラム１０１を入力として、スレッド間同期オーバーヘッド情報ファイル１０８とマシンサイクル数取得ライブラリ１０６を使用して、スレッドを並列処理の単位として共有メモリ型計算機上で実行可能なオブジェクトコード１０７を生成させるものであり、構文解析部１０３、並列化部１０４、コード生成部１０５から構成される。 - 特許庁

The display device includes a light emission unit (organic EL unit) 20 and a memory type display unit (liquid crystal display unit) 10 formed in close contact with the organic light emission unit 20 and has a photoconductive layer 52 undergoing a decrease in electric resistance value when receiving light emitted from the light emission unit 20, and consequently has a high display gradation.例文帳に追加

発光ユニット（有機ＥＬユニット）２０と、前記発光ユニット２０に密着して形成され、前記発光ユニット２０から照射された光を受光すると電気的な抵抗値が低下する光導電層５２を備えた記憶性表示ユニット（液晶表示ユニット）１０と、から構成されることによって、高表示階調を得ることができる。 - 特許庁

Therefore, when drawing the image, since it is not necessary to read the corresponding image data from a character ROM 187 which consists of a NAND type flash memory 187a with the slow reading speed, the time required for reading can be saved, the drawing of the image is immediately performed, and the drawn image can be displayed on an auxiliary display part 65.例文帳に追加

よって、画像描画時に読み出し速度の遅いＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１８７ａで構成されたキャラクタＲＯＭ１８７から対応する画像データを読み出す必要がないため、その読み出しにかかる時間を省略でき、画像の描画を即座に行って補助表示部６５に描画した画像を表示することができる。 - 特許庁

A semiconductor memory device comprises: channel regions of the same conductive type extending in a first direction; a first insulating film provided on the channel regions; a plurality of floating gates provided on the first insulating film; a second insulating film provided on the floating gates; and a control gate provided on the second insulating film.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体記憶装置は、第１の方向に延びる同一導電形のチャネル領域と、チャネル領域上に設けられた第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上に設けられた複数の浮遊ゲートと、浮遊ゲートの上に設けられた第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜の上に設けられた制御ゲートとを備えている。 - 特許庁

To provide a data rewriting method improving deterioration in write and erasing speed when continuously rewriting data of a cross point type memory cell array of a variable resistance element of which the electric resistance is varied by applying electric stress, control of a resistance value of the variable resistance element after write and erasure is facilitated, and high reliability can be attained.例文帳に追加

電気的ストレスの印加により電気抵抗が変化する可変抵抗素子のクロスポイント型メモリセルアレイのデータを連続的に書き換える場合の書き込み及び消去速度の劣化を改善し、書き込み及び消去後の可変抵抗素子の抵抗値の制御を容易化し、高い信頼性を実現可能なデータ書き換え方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dynamic virtual channel management circuit that can extract only a virtual channel of an AAL type 5 that is processed in the unit of frames and register it to a VC management memory means so as to allow a network device not obtaining virtual channel contract information to conduct processing in the unit of frames and to provide a system using the dynamic virtual channel management circuit.例文帳に追加

本発明は、フレーム単位処理が可能なＡＡＬタイプ５のバーチャルチャネルだけを抽出してＶＣ管理メモリ手段に登録することができ、バーチャルチャネルの契約情報が得られないネットワーク装置でフレーム単位の処理を行うことができる動的バーチャルチャネル管理回路及びそれを用いた装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

When a request is sent from a client terminal 20, a dynamic page generation program 101c of a web server 101 synthesizes a web page corresponding to a prescribed protocol type by successively extracting correspondent components from a memory 102a of a cache server 102 by a remote procedure call on the basis of the information of a user profile database 101a.例文帳に追加

クライアント端末２０からリクエストが送られると、ウェブサーバ１０１の動的ページ生成プログラム１０１ｃが、ユーザプロファイルデータベース１０１ａの情報に基づいて、リモートプロシージャコールによりキャッシュサーバ１０２のメモリ１０２ａから対応するページ構成要素を順番に取り出して所定のプロトタイプに即したウェブページを合成していく。 - 特許庁

An external speaker 500 reproduces a signal outputted from an HRTF measurement processing section 110, and the HRTF measurement processing section 110 calculates an HRTF filter coefficient to reproduce a head transfer function of a listener on the basis of this signal and a sound picked up by a microphone unit 210 of an ear insertion type earphone 200 mounted on the listener and stores the coefficient to a memory 130.例文帳に追加

ＨＲＴＦ測定処理部１１０が出力した信号を外部スピーカ５００で再生し、この信号と受聴者が装着した挿耳型イヤホン２００のマイクユニット２１０で収音した音とに基づいてＨＲＴＦ測定処理部１１０が受聴者の頭部伝達関数を再現するＨＲＴＦフィルタ係数を算出しメモリ１３０に保存しておく。 - 特許庁

In this DMD(digital micromirror device), an SRAM(static random access memory) 12 is monolithically formed on the principal surface of a silicon substrate 10 as an address circuit for one cell, and a reflection type digital optical switch or an optical modulation element 16 for one cell made of a metal with three layers such as aluminum is monolithically formed on the SRAM12 through an oxide film 14.例文帳に追加

このＤＭＤにおいては、シリコン基板１０の主面に１セル分のアドレス回路としてＳＲＡＭ１２がモノシリックに形成されるとともに、このＳＲＡＭ１２の上に酸化膜１４を介して三層の金属たとえばアルミニウムからなる１セル分の反射型ディジタル光スイッチまたは光変調素子１６がモノシリックに形成されている。 - 特許庁

A storage medium allowed to be optionally attached/detached to/from a memory slot of a target apparatus records information (programs and data) for displaying the operation manual for the target apparatus in a part of its storage area of the storage medium at the time of shipping it by a method for mainly displaying bidirectional or visual point movable type three-dimensional images (animation).例文帳に追加

対象機器のメモリスロットに着脱自在に装着される記憶媒体であって、双方向かつ視点可動型の３次元動画像（アニメーション）表示を主体とする方式により、対象機器の取扱説明を表示するための情報（プログラムとデータ）を、出荷時に前記記憶媒体の記憶領域の一部に記録してあることを特徴とする。 - 特許庁

An icon showing the application program recorded on the card type recording medium 16 is displayed on a display part 5, and the application program selected from the displayed icon by a remote control part 15 is recorded on the memory 13, so that various on-screen applications can be executed without a connecting cable to a body.例文帳に追加

また、カード型記録媒体１６に記録されたアプリケーションプログラムを示すアイコンを表示部５に表示させ、遠隔操作部１５により表示されたアイコンから選択したアプリケーションプログラムをメモリ１３に記録させるので、画面上映し出された各種アプリケーションの実行を本体との接続ケーブルを必要とすることなく実行させることが可能となる。 - 特許庁

The nonvolatile memory 100 comprises a gate insulation layer 22 provided on the channel region of a semiconductor layer 10, a gate conductive layer 14 provided on the gate insulation layer 22, first conductivity type first and second impurity regions 24 and 34 provided on the semiconductor layer 10 to sandwich the gate conductive layer 14, and a bit conductive layer 80.例文帳に追加

不揮発性記憶装置１００は、半導体層１０のチャネル領域上に設けられ、ゲート絶縁層２２と、ゲート絶縁層２２上に設けられたゲート導電層１４と、ゲート導電層１４を挟むように半導体層１０に設けられた第１導電型の第１および第２不純物領域２４，３４と、ビット導電層８０とを含む。 - 特許庁

The rotary drum type game machine acquires 1 byte flag data and 1 byte offset data as an internal winning symbol combination from a numerical value range to which a random number drawn from the detection of a starting operation belongs, and the acquired flag data is made to be stored in an address calculated from a reference address and the acquired offset data in a memory.例文帳に追加

回胴式遊技機は、開始操作の検出に基づいて抽出する乱数値が属する数値の範囲に基づいて、１バイトのフラグデータ及び１バイトのオフセットデータを内部当籤役として取得し、当該取得したフラグデータを、メモリにおける、基準アドレスと当該取得したオフセットデータとに基づいて算出されるアドレスに格納するようにした。 - 特許庁

In the manufacturing method of a non-contact type IC card, whether each IC formed on a wafer operates normally or not, is inspected and specific data is written in a nonvolatile memory inside the IC whose result of inspection is normal after a semiconductor process of the wafer is completed when an IC chip for mounting on the IC card is manufactured.例文帳に追加

本発明の非接触式ＩＣカードの製造方法は、ＩＣカードに実装するためのＩＣチップを製造するＩＣ製造時に、ウェハの半導体プロセスを完了した後、ウェハに形成された各ＩＣが正常に動作するか否かを検査し、検査結果が正常であるＩＣの内部の不揮発性メモリに特定データを書き込むように構成したものである。 - 特許庁

In an active area forming a floating gate electrode on an Si substrate forming a burying dispersion area being a control gate so as to be capacity-coupled through an insulating of the surface of the Si substrate and forming a flash memory cell, an n type dispersion area being a source area and a drain area is formed on both sides of the floating gate electrode.例文帳に追加

コントロールゲートとなる埋設拡散領域を形成されたＳｉ基板上にフローティングゲート電極を、Ｓｉ基板表面の絶縁膜を介して容量結合するように形成し、フラッシュメモリセルが形成される活性領域中において、前記フローティングゲート電極の両側にソース領域およびドレイン領域となるｎ型拡散領域を形成する。 - 特許庁

A horoscopy recommendation part 7 provides a horoscopy or a psychological test to the client system C through the Internet N according to the operation of a user, or allows the user to select the type, stage of affection, or mood of a scene related to a memory, and based on the results thereof, recommends at least either of the ticket and the condition thereof.例文帳に追加

星占い等推奨部７は、クライアントシステムＣに対しインターネットＮ経由で、ユーザの操作に応じ、星占い若しくは心理テストを提供し、又は思い出に関連するシーンの種類、愛情の段階若しくは気分を選択させ、これらの結果に基いていずれかの前記チケット又はその条件の少なくとも一方を推奨する。 - 特許庁

Related to a TC parallel unit series connection type ferroelectric memory, a first contact 15 between one side source/drain diffusion layers 5 and 6 and a lower part electrode 9, and a second contact 17 between an upper part electrode 11 and the other side of source/drain diffusion layers 5 and 6, are formed from a first oxidation resistant conductive film 13 and a second oxidation resistant conductive film 16, respectively.例文帳に追加

ＴＣ並列ユニット直列接続型強誘電体メモリにおいてソース・ドレイン拡散層５、６の一方側と下部電極９との第１コンタクト部１５と上部電極１１とソース・ドレイン拡散層５、６の他方側との第２コンタクト部１７をそれぞれ第１耐酸化性導電膜１３、第２耐酸化性導電膜１６で形成する。 - 特許庁

In an image forming apparatus with a memory IC integrated connector carrying out reading and writing of data by being brought into contact with and separated from an apparatus main body side connector installed in the end part of each developing cartridge of a rotary type developing device, both the connectors are brought into contact and separated in a developing position relationship where a developing device and a photoreceptor are facing each other.例文帳に追加

ロータリー式現像器の各現像カートリッジの端部に装置本体側コネクタが離当接してデータの読み取り／書き込みを行うメモリＩＣ内蔵コネクタを配置した画像形成装置において、前記両コネクタは、現像器と感光体とが対向する現像位置関係において離当接するようにしたものである。 - 特許庁

A floating gate electrode 9 constituting a memory cell M comprising one transistor type cell is provided with a simple cross-section shape I of a single electrode material, and in order to increase the capacity with a control gate electrode 11, the control gate electrode 11 is provided with such cross-section shape II as to cover the side surface of the floating gate electrode 9.例文帳に追加

１トランジスタ型のセルで構成されたメモリセルＭを構成する浮遊ゲート電極９を単一電極材料で構成された単純な断面Ｉ形状とし、制御ゲート電極１１との容量の増大を図るべく、制御ゲート電極１１をその浮遊ゲート電極９の側面をも覆うように断面Π形状とした。 - 特許庁