「memory-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(49ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a positively charged single-layer type electrophotographic sensitive body that suppresses the occurrence of transfer memory so that the occurrence of an image defect is suppressed without impairing wear resistance of the positively charged single-layer electrophotographic sensitive body in an image forming apparatus that has a charging portion applying direct voltage by a contact charging method and uses the positively charged single-layer type electrophotographic sensitive body.例文帳に追加

接触帯電方式により直流電圧を印加する帯電部を備え、正帯電単層型電子写真感光体を用いる画像形成装置において、正帯電単層型電子写真感光体の耐摩耗性を損なうことなく、転写メモリの発生を抑制することにより画像不良の発生を抑制できる正帯電単層型電子写真感光体を提供すること。 - 特許庁

In a color adjustment unit 29 for adjusting an image signal of a second color space subjected to color conversion in accordance with a change in a color conversion characteristic, a calibration profile is set for each type of paper, and in an inter-paper conversion coefficient group memory 27, an inter-paper conversion coefficient group mutually associating a calibration profile for each type of paper set in the color adjustment unit 29 is stored.例文帳に追加

色変換された第２色空間の画像信号を色変換特性の変動に応じて調整する色調整部２９には、用紙の種類毎に設定されたキャリブレーションプロファイルが設定され、用紙間変換係数群記憶部２７には、色調整部２９に設定される用紙の種類毎のキャリブレーションプロファイルを相互に対応付ける用紙間変換係数群が記憶される。 - 特許庁

Two inverters respectively composed of first conductivity type driving transistors Qn1, Qn2 and second conductivity type load transistors Qp1, Qp2 which are electrically connected in series between a first power supply voltage feeder VSS and a second power supply voltage feeder VSS and of which gates are connected in common and cross-connecting inputs and outputs are included in each memory cell.例文帳に追加

第１の電源電圧供給線と第２の電源電圧供給線ＶＳＳとの間に電気的に直列接続されてゲートが共通に接続された第１導電型の駆動トランジスタＱｎ１,Ｑｎ２と第２導電型の負荷トランジスタＱｐ１,Ｑｐ２とからそれぞれが構成され、入力と出力が交叉して接続された２つのインバータをメモリセルごとに有する。 - 特許庁

Also, the terminal device 10 searches the inside of the memory card MC by using the load type identification information as search conditions when the load type identification information is designated by the workers, and displays an box-shaped image on a display 10j based on box-shaped image data of the detected load information corresponding to the box attribute identification information.例文帳に追加

また、携帯型情報収集端末装置１０は、荷物種類識別情報が作業員によって指定された際には、その荷物種類識別情報を検索条件としてメモリーカードＭＣ内を検索し、検出した荷物情報の箱属性識別情報に対応する箱形態画像データに基づいて、箱形態画像を表示装置１０ｊに表示する。 - 特許庁

An information center registers, in the user's own memory area, type information indicating a type of a moving means when the user moves to the desired facility, identification information for identifying an information terminal that the user uses when moving by the moving means, and facility information regarding the facility including at least location information of the facility such that all the information correspond to one another.例文帳に追加

情報センターは、ユーザ専用の記憶領域に、そのユーザ所望の施設に該ユーザが移動する際の移動手段の種別を表わす種別情報、その移動手段による移動に際して該ユーザが利用する情報端末を判別可能な識別情報、並びに該施設の所在位置情報を少なくとも含む該施設に関する施設情報とを関連付けて登録する。 - 特許庁

A through-hole 43 and a contact hole 21, which connect the lower electrode 49 of the noise reduction capacitor Cn to an N+-type semiconductor region 6 are wider in opening area than a through-hole 43 and a contact hole 21 which connect the data storage capacitor element Cs to either of the source and drain (N--type semiconductor region 11) of the memory cell selection MISFET Qs.例文帳に追加

また、ノイズ対策用容量素子Ｃn の下部電極４９とｎ^+ 型半導体領域６とを接続するスルーホール４３とコンタクトホール２１の開孔面積は、情報蓄積用容量素子Ｃs とメモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴＱs のソース、ドレイン（ｎ^- 型半導体領域１１）の一方とを接続するスルーホール４３とコンタクトホール２１の開孔面積よりも広い。 - 特許庁

The MONOS type memory cell of the nonvolatile semiconductor memory device includes a tunnel insulating film formed on the active region of a semiconductor substrate, a charge storage film formed continuously on the active region and an element isolation insulating film and having a function of storing electric charges, a block insulating film formed on the charge storage film, and a control gate electrode formed on the block insulating film.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置のＭＯＮＯＳ型メモリセルは、半導体基板の活性領域上に形成されるトンネル絶縁膜と、活性領域上及び素子分離絶縁膜上に連続的に形成される電荷を蓄積する機能を有する電荷蓄積膜と、電荷蓄積膜上に形成されたブロック絶縁膜と、ブロック絶縁膜上に形成されるコントロールゲート電極とを備える。 - 特許庁

To provide an electrochemical type display element having excellent workability, productivity and cost properties, low driving voltage, excellent repetitive driving characteristics and a memory property, wherein it is not needed to consider reactions on a counter electrode side paired with coloring and decoloring reactions on a transparent electrode side in an electrolyte composition.例文帳に追加

加工性、製造性、コスト面で優れ、電解液組成に透明電極側の消発色反応と対となる対向電極での反応を考慮する必要がなく、駆動電圧が低く、繰り返し駆動特性に優れ、且つメモリー性を有する電気化学型表示素子の提供。 - 特許庁

This device is formed by stacking an adhesive film 1 which is detachably adhered to a body, sensors 44, 45, 46 for collecting biological information, a microprocessor 41 composing a signal processing circuit and an IC module having local memory 42, and a coin-type rechargeable battery 3 doubling with an antenna for local communication.例文帳に追加

身体に着脱可能に接着される接着フィルム１と、生体情報を収集するセンサ４４，４５，４６と、信号処理回路を構成するマイクロプロセッサ４１およびローカルメモリ４２を設けたＩＣモジュールと、近距離通信用アンテナを兼ねるコイン型充電池３とを積層してなる。 - 特許庁

This insert-type barrier layer can prevent oxidation of a capacitor dielectric layer when the capacitor dielectric layer is deposited or in a high temperature process thereafter, resulting in preventing leakage and reliability problems which could be generated when the barrier layer and a memory electrode are brought into direct contact with each other.例文帳に追加

この嵌入式のバリア層は、コンデンサ誘電層を堆積する時、或いはその後の高温過程で、該コンデンサ誘電層が酸化するのを防ぐことができ、これにより、バリア層と記憶電極が直接接触する時に生じうる漏電や信頼度の問題を解決することができる。 - 特許庁

The divisor polynomial multiplication processing section of the recursive type system convolution coding is mounted between an addition comparison selecting processing section in a conventional maximum-likelihood decoder and a pass memory, divisor polynomial multiplication is conducted to a bit list corresponding to a selected trellis transition pass, and a transmission-information bit list is decoded.例文帳に追加

従来の最尤復号器における加算比較選択処理部と、パスメモリの間に、再帰形組織畳み込み符号の除数多項式乗算処理部を設け、選択されたトレリス遷移パスに対応するビット系列に除数多項式乗算を行い、送信情報ビット系列を復号する。 - 特許庁

In a 2-transistor-type gain cell memory having a write transistor M2 and a read transistor M1, write word lines WWL, read word lines RWL, write bit lines WBL, and read bit lines RBL are separately prepared, and separately set with applied voltage, respectively.例文帳に追加

書込みトランジスタＭ２及び読出しトランジスタＭ１を有する２トランジスタ型ゲインセルメモリにおいて、書込みワード線ＷＷＬ、読出しワード線ＲＷＬ、書込みビット線ＷＢＬ、及び読出しビット線ＲＢＬをそれぞれ別に用意し、各々独立に印加電圧を設定する。 - 特許庁

A laminate insulating film constituted by laminating a tunnel insulating layer 11, a charge storage insulating layer 12 and a charge block insulating layer 13 in this order is provided on a semiconductor substrate 10 having a protruded curved surface, and further a control gate electrode 14 is formed to constitute the MONOS type nonvolatile memory cell.例文帳に追加

凸状曲面を有する半導体基板１０上に、トンネル絶縁層１１、電荷蓄積絶縁層１２、電荷ブロック絶縁層１３が順次積層されてなる積層絶縁膜を設け、さらに制御ゲート電極１４を形成してＭＯＮＯＳ型不揮発性メモリセルを構成する。 - 特許庁

A flash controller 20 in the RAM 10 controls the control signal for internal transmission to interrupt the transmission of the internal data when an access request from the external CPU 70 is made to the pseudo-SRAM 40, while the internal data are transmitted between the flash-type memory 60 and the pseudo-SRAM 40.例文帳に追加

ＲＡＭ１０内のフラッシュコントローラ２０は、フラッシュメモリ６０と擬似ＳＲＡＭ４０間の内部データ転送中に、外部ＣＰＵ７０から擬似ＳＲＡＭ４０に対してアクセス要求があったときに、その内部データ転送を中断するよう内部転送用制御信号を制御する。 - 特許庁

The nonvolatile memory 100 comprises a gate insulation layer 22 provided on the channel region of a semiconductor layer 10, a gate conductive layer 14 provided on the gate insulation layer 22, first conductivity type first and second impurity regions 34 and 24, and a bit conductive layer 80.例文帳に追加

不揮発性記憶装置１００は、半導体層１０のチャネル領域上に設けられたゲート絶縁層２２と、ゲート絶縁層２２上に設けられたゲート導電層１４と、第１導電型の第１および第２不純物領域３４，２４と、ビット導電層８０とを含む。 - 特許庁

The user data write control section 6 writes user data stored in a user data storage section 4 conforming to a previously set user type in an address except the bad block of the memory 1 to be tested conforming to a write format stored in a format storage section 8 through the control section 3 successively from the head address.例文帳に追加

ユーザデータ書込制御部６は予め設定されたユーザータイプに従ってユーザデータ記憶部４に記憶したユーザーデータを、フォーマット記憶部８に記憶された書込みフォーマットに従い被検メモリ１のバッドブロック以外のアドレスに先頭アドレスから順次メモリ制御部３を介して書き込む。 - 特許庁

The USB controller 10 has a card detection switching part 12 for detecting the function type of an inserted extension card, and based on the detected result by the card detection switching part 12, switches between a memory card read/write controller 14 and a PHS card control section 16.例文帳に追加

ＵＳＢコントローラー１０は、装着された拡張カードのファンクション種別を検出するカード検出切替部１２を有しており、該カード検出切替部１２による検出結果に基づいて、メモリーカードリードライト制御部１４とＰＨＳカード制御部１６とを切替える。 - 特許庁

The non-complementary comparator includes an evaluation element such as a memory cell, a differential amplifier, or another type of circuit capable adapted to perform an evaluation function, and at least first and second input legs each coupled to a corresponding one of a first and second node of the evaluation element.例文帳に追加

非相補比較器は、メモリセル、差動アンプまたは評価機能を行なうのに適した他のタイプの回路等の評価エレメントと、評価エレメントの第１および第２のノードのうちの対応するノードに各々接続された少なくとも第１および第２の入力枝とを含む。 - 特許庁

On a film sheet 11 on the top surface of the noncontact type memory card 1, an IC chip 25 which stores and processes information and capacitor electrodes 23-a and 24-a are mounted and at the peripheral part, antennas 21 and 22 for transmission and reception are coiled and formed at two places.例文帳に追加

非接触型メモリカード１の表面のフィルムシート１１上には、情報の記憶および処理を行うＩＣチップ２５、コンデンサ電極２３−ａおよび２４−ａが実装されており、その周辺部に送受信用のアンテナ２１および２２がコイル状に２カ所形成されている。 - 特許庁

A luggage registration part 20 as a luggage information detecting means detects the shape of a luggage and determines the type of the luggage (trunk, golf bag, nylon bag, etc.), from a predetermined image processing and stores it as luggage information at a memory part provided at a tag T constituted in capable of sending/receiving.例文帳に追加

積荷情報検出手段としての手荷物登録部２０が手荷物の形状を検出し、所定の画像処理により手荷物の種類（例えばトランク、ゴルフバッグ、ナイロンバッグなど）を判別し、送受信可能に構成されたタグＴに設けられた記憶部に積荷情報として記憶する。 - 特許庁

In the write dummy bit, one of levels is inputted to the first dummy line by a drive MOSFET corresponding to a write signal input for the static type memory cell, signal change of the second dummy line pre-charged to the other level is sensed and output.例文帳に追加

上記書き込みダミービットは、上記スタティック型メモリセルへの書き込み信号入力に対応して駆動ＭＯＳＦＥＴにより一方のレベルが上記第１ダミー線に入力され、他方のレベルにプリチャージされた上記第２ダミー線の信号変化をセンスして出力させる。 - 特許庁

Consequently, a vendor defined resource data type concerning long information such as "vendor-long" is used to pass appropriate information through the OS, and memory information is passed to the OS without a risk that an address is incorrectly assumed to be vacant by the OS which reallocates the address by mistake.例文帳に追加

「ｖｅｎｄｏｒ−ｌｏｎｇ」などの長い情報に対するベンダ定義のリソースデータタイプが、ＯＳを通じて適当な情報を渡すために使用され、ＯＳが間違ってアドレスを空いているとみなし、それを誤って再割当てするというリスクなしに、メモリ情報がＯＳに渡される。 - 特許庁

To provide a nonlinear distortion compensating transmitter conducting adaptive pre-distorter type distortion compensation that generates a distortion compensation coefficient with correction or interpolation, reduces a convergence time of the distortion compensation coefficient so as to conduct distortion compensation at a high-speed with high accuracy and decreases a memory capacity of a distortion compensation table.例文帳に追加

適応プリディストータ型歪補償を行う非線形歪補償送信装置に関し、歪補償係数を補正又は補間によって生成し、歪補償係数の収束時間を短縮して高速に精度良く歪補償を行い、また、歪補償テーブルのメモリ容量を削減する。 - 特許庁

To provide a lighting device capable of attaining light-distribution characteristics with a wide angle required for a spot-type lamp and the like and guiding and emitting sufficiently-diffused light and enhancing design properties and making a name of a facility easily remain in a user's memory.例文帳に追加

本発明は、スポット型などに必要とされる広角の配光特性を得ることができ、且つ十分に拡散された拡散光を導出させることができ、さらにデザイン性を高めると共に、施設の名称等をユーザの記憶に残り易くすることができる照明装置の提供を目的とする。 - 特許庁

Thereafter, this digital type protection/control device A is subjected to power-on/off or restarted, whereby an IP communication functional section 3 moves to a state capable of starting communication by using IP address information for external connection stored in a second memory 7 as IP address information for IP communication.例文帳に追加

その後、ディジタル形保護／制御装置Ａを電源活殺または再起動することにより、ＩＰ通信機能部３は第２のメモリ７に記憶した外部接続用ＩＰアドレス情報をＩＰ通信用のＩＰアドレス情報とし、通信を開始可能な状態に移行する。 - 特許庁

The master 20 extracts information on the electric field strength from the received response signal, determines the sensor to be grouped, disposed within the desired area 50, when information on the electric field strength is not less than a threshold, and correlates ID information on the sensor, a sensor type, and the like with the sensor for storing in a memory section.例文帳に追加

親機２０は、受信した応答信号から電界強度情報を抽出し、電界強度情報が閾値以上である場合に、所望エリア５０内に配置されたグループ化したいセンサ装置であると判断し、センサ機器のＩＤ情報、センサ種類等を対応付けてメモリ部に記憶する。 - 特許庁

To provide a new SMA (shape memory alloy) power generating device which obtains high output in low load strain and has a mechanism in which an SMA element can be uniformly heated and cooled, and to provide an SMA type power generating device in which a large number of the SMA power generating engines are combined with one another to be operated by low quality heat energy.例文帳に追加

低負荷ひずみで高出力が得られ，またＳＭＡ素子を均一に加熱−冷却することのできる機構を持つ新しいＳＭＡ（形状記憶合金）発電エンジンとそれを多数組み合わせて低品位熱エネルギで稼働させるＳＭＡ式発電装置を提供する。 - 特許庁

On a film sheet 16 on the top surface of the noncontact type memory card 1, an IC chip 13 (sealed with epoxy resin after wire bonding) which stores and processes information and a capacitor electrode 11 are mounted and at their peripheral part, an antenna pattern 15 for transmission and reception is formed.例文帳に追加

非接触型メモリカード１の表面のフィルムシート１６上には、情報の記憶および処理を行うＩＣチップ１３（ワイヤボンディング後、エポキシ樹脂で封止）、コンデンサ電極１１が実装されており、その周辺部に送受信用のアンテナパターン１５が形成されている。 - 特許庁

A ceiling hanging type flat television mounting device can automatically change the angles of the flat television by 360 degrees in the horizontal direction by using a motor, and also can automatically change vertical positions by using a spring having shape memory effect for a hanging member.例文帳に追加

本考案の天井吊るしタイプの平面テレビ取り付け装置は、モータを使用して平面テレビの角度を水平方向で３６０度、自動で変えることができ、且つ吊し部材に形状記憶効果を有するバネを使用し、垂直方向位置も自動で変えることができる構成を有する。 - 特許庁

The scheduler 802 processes at least either of a payload and a frame type 1404 with respect to a payload and a frame 1200 to be transmitted and processes at least one scheduling item 1312 including a header field 1316 defining payload data pointers 1502, 1504 and 1506 to the memory.例文帳に追加

スケジューラ８０２は、送信されるべきペイロードおよびフレーム１２００に関してペイロードおよびフレームタイプ１４０４のうち少なくとも１つ、およびメモリへのペイロードデータポインタ１５０２、１５０４、１５０６を定義するヘッダフィールド１３１６を含む少なくとも１つのスケジューリング項目１３１２を処理する。 - 特許庁

The tile type display device 8 includes a display controller 12 which receives image data from an image data source 14 and sets the format of the image data for display and a plurality of display tiles each having a display pixel array, a memory 36, and a communication interface.例文帳に追加

タイル式表示装置８は、画像データ源１４から画像データを受信し、表示のために該画像データをフォーマット設定する表示制御装置１２と、表示画素アレイ、タイル制御装置３２、クロック３３、メモリ３６および通信インタフェースを有する複数の表示タイルと、を含む。 - 特許庁

To provide an image reader and a signal processing method capable of interpolating missing pixels with high accuracy and thus minimizing the memory capacity required for the interpolation, even if sensitivity characteristics vary among individual imaging elements that form an adhesion type image sensor.例文帳に追加

欠落画素を適切に補間することができ、密着イメージセンサーを構成する個々の撮像素子の感度特性などにばらつきがあっても、高精度に補間を行なえ、補間に要するメモリ容量を最小限に抑えることができる画像読取装置及び信号処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory element having a trench type capacitor of high-speed operation by reducing the resistance of a terminal area of a source-drain of a transistor and a capacitor electrode, while more simply connecting between a source-drain of a transistor and a capacitor electrode, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

より簡便にトランジスタのソース・ドレイン部とキャパシタ電極との間を接続して構成するとともに、トランジスタのソース・ドレイン部とキャパシタ電極との接続部の抵抗値を低減して高速動作の可能なトレンチ型キャパシタを有する半導体記憶素子を得ること。 - 特許庁

There is provided an application (LUN layout tool) capable of freely setting the number of drives and types of media corresponding to the drivers that a PC assigns to a card reader comprising a plurality of slots to which four kinds of card type media (CF, SM, MS, SD) can be inserted, and a built-in memory 15.例文帳に追加

４種類のカード型メディア（ＣＦ，ＳＭ，ＭＳ，ＳＤ）を挿入可能な複数のスロット及び内蔵メモリ１５を備えたカードリーダに対してＰＣが割り当てるドライブの数及び各ドライブに対応するメディアの種類を自由に設定可能なアプリケーション（ＬＵＮレイアウトツール）を提供する。 - 特許庁

In each pixel 4 of a display element, a memory circuit 11 is constituted by connecting complimentary type inverters 11a, 11b in a loop state and stores whether to light an organic light emitting diode 12 or not in accordance with a data potential Vd which is to be applied via a selection circuit 13 during a selection period.例文帳に追加

表示素子の各画素４において、メモリ回路１１は、相補型のインバータ１１ａおよび１１ｂをループ状に接続して構成されており、選択期間中に選択回路１３を介して与えられるデータ電位Ｖｄに応じて、Organic Light Emission Diode１２を点灯するか否かを記憶する。 - 特許庁

When a control part 2 executes a character input processing on HTML, the attribute of a character input tag is obtained from HTML stored in a memory 2, and an input mode adjusted to the type of an input character is set in accordance with the attribute designated for the character input tag.例文帳に追加

制御部１はＨＴＭＬの文字入力処理を行う場合、メモリ２に格納されているＨＴＭＬから文字入力タグの属性を取得し、文字入力タグに指定されている属性にしたがって入力文字種類に合わせた入力モードを設定する。 - 特許庁

To prevent breakdowns of an insulating film between stacked gates and a gate insulating film of a transistor in an NAND cell, even if an etching residue of a polysilicon film for forming a floating gate is generated in the column direction along a projection side face of an STI region at an end in the row direction of a cell array of an NAND type flash memory.例文帳に追加

NAND型フラッシュメモリのセルアレイの行方向端におけるSTI 領域の突出側面に沿って列方向に浮遊ゲート形成用ポリシリコン膜のエッチング残りが発生しても、NANDセル内のトランジスタの積層ゲート間絶縁膜およびゲート絶縁膜の破壊を防止する。 - 特許庁

Althrough NOMS 1 and DMOS (depression-type NMOS) 2 being connected to a data cell row 30A in series as a memory cell allow a cell current Icell to flow, the NMOS 1 and DMOS 2 are alternately connected to current paths 30-1 and 30-2 for generating a reference current Iref.例文帳に追加

データセル列３０Ａに直列にメモリセルとして接続されたＮＭ０Ｓ１及びＤＭ０Ｓ（デプレッション型のＮＭ０Ｓ）２は、セル電流Ｉcellを流すが、参照電流Ｉref を生成する電流パス３０−１及び３０−２には、ＮＭ０Ｓ１及びＤＭ０Ｓ２が交互に接続されている。 - 特許庁

To provide a charging preventing strap for holding a cellular phone, an IC card type ID card, a flash memory and so on, preventing charging by stably discharging static electricity caused due to the friction between the strap to which the above things are attached and clothing, and avoiding feeling of discomfort due to spark, breakage of a device and data extinction.例文帳に追加

携帯電話、ＩＣカード型ＩＤカード、フラッシュメモリー等が付されたストラップと衣服の摩擦により生じた静電気を安定的に放電させる事で帯電防止し、スパークによる不快感や機器の破損並びにデータ消失を免れる事のできる、帯電防止ストラップを提供すること。 - 特許庁

To put together a plurality of insertion ports for inserting/removing a plurality of recording media such as CD, DVD, MD and a semiconductor memory card to a front surface panel having a part exposed to a front side followiong the movement of a display panel in an on-vehicle display device provided with an inclination motion type display panel.例文帳に追加

傾動式の表示パネルを備える車載用表示装置において、表示パネルの移動に伴ってその一部が前方に向けて露出する前面パネルに、ＣＤ、ＤＶＤ、ＭＤ、半導体メモリカード等の複数の記録媒体を挿抜する複数の挿入口を集約化する。 - 特許庁

The authentication label 11 is incorporated in a sheet member 12 with an IC tag 15 comprising a semiconductor memory part 13 for storing unique identification data identified by an impression and an antenna part 14 for transmitting/receiving the identification data, and can be attached to every type of form 21 used in financial institutions and the like.例文帳に追加

印影によって特定される固有の識別データを記憶する半導体メモリ部１３及び前記識別データを受発信するアンテナ部１４からなるＩＣタグ１５をシート部材１２に内蔵し、金融機関等に備える各種用紙２１に貼付可能な認証ラベル１１を形成した。 - 特許庁

In response thereto, the httpd 32 receives a request message from the client whose request has been received by the inetd 31 from a Web client machine 20 through a NIC 18 and an OS 30 and passes the message to a memory saving type main Web server 34 through a pipe, and then deletes it from on a DRAM 14.例文帳に追加

ｈｔｔｐｄ３２はこれに応答して、ｉｎｅｔｄ３１で受け付けられたクライアントからのリクエストメッセージを、Ｗｅｂクライアントマシーン２０からＮＩＣ１８及びＯＳ３０を介し受け取り、パイプでメモリ節約型メインＷｅｂサーバ３４に渡した後、ＤＲＡＭ１４上から消滅する。 - 特許庁

Strain is applied to a shape memory alloy in which thermoelastic type martensitic transformation occurs by cold working, and by the control of the total working ratio, the low thermal expansion alloy in which the average thermal expansion coefficient at -150 to 150°C is variable in the range of -10×10-6 to 10×10-6/k can be produced.例文帳に追加

熱弾性型マルテンサイト変態を生じる形状記憶合金に冷間加工によって歪みを与え、その合計加工率の制御により-150〜150℃における平均熱膨張係数が-10×10^-6〜10×10^-6/kの間で可変である低熱膨張合金を製造することができる。 - 特許庁

A gate electrode 104ab of a driving transistor and a contact hole 109a, reaching an N-type diffusion layer 106b are formed in an interlayer film 108 covering a memory cell and a silicide layer 110, are formed selectively by silicidation, prior of forming a high resistance load thereon by growing polysilicon.例文帳に追加

メモリセルを覆う層間膜１０８に、駆動用トランジスタのゲート電極１０４ａｂと、Ｎ型拡散層１０６ｂに達する接続孔１０９ａを形成し、シリサイデーションを行って選択的にシリサイド層１１０を形成し、その上にポリシリコンを成長して高抵抗負荷を形成する。 - 特許庁

To provide an image processor capable of executing image processing corresponding to the type of original manuscript set, while the original manuscript is read to the stored color image data when printing out the color image data stored in a memory beforehand after reading from the original manuscript by a scanner function.例文帳に追加

スキャナ機能により原稿から読取って予めメモリに蓄積したカラー画像データを印字出力する際に、蓄積したカラー画像データに対して原稿読取時に設定した原稿の種類に応じた画像処理を行うことができる画像処理装置を提供すること。 - 特許庁