「memory-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(47ページ目) - Weblio英語例文検索

The card type electronic equipment like an SD memory card 1 is equipped with the circuit board 25, the electronic components 26a to 26c mounted on the 1st surface 25a and 2nd surface 25b of this circuit board, and the flat card case 2 which contains the circuit board and electronic components.例文帳に追加

SDメモリカード1のようなカード型電子機器は、回路基板25と、この回路基板の第１の面25aおよび第２の面25bに夫々実装された電子部品26a〜26cと；回路基板および電子部品を収容する偏平なカードケース2と；を備えている。 - 特許庁

This projection type display device is able to project an image based on a video signal outputted from a computer 30 or a video camera 40, an image based on an image data recorded in a memory card 52 or an image of a transparent manuscript 58 onto a screen 56.例文帳に追加

投射型表示装置１は、コンピュータ３０またはビデオカメラ４０から出力される映像信号に基づく画像、メモリカード５２に記録される画像データに基づく画像、あるいは透過原稿５８の画像をスクリーン５６に投射可能である。 - 特許庁

To solve problems of an SIMD computing operation which requires enormous memory capacity when a processing unit is increased for performing high-speed computing by using an SIMD type DSP and may not be smoothly carried out when SIMD computing is carried out simply in a pixel order.例文帳に追加

SIMDタイプのDSPを用いて高速演算を行うために処理単位を大きくすると、莫大なメモリ容量が必要になってしまい、また、単純に画素順でSIMD演算を行っていたのではSIMD演算処理がスムーズに行われないこともある。 - 特許庁

To provide a giant magnetoresistance effect element, capable of obtaining a high output and dealing with a high resistance and high recording density, and to provide a magnetoresistance effect type head having this giant magnetoresistance effect element, a thin film magnetic memory, and a thin film magnetic sensor.例文帳に追加

高い出力が得られると共に、抵抗が高く高記録密度に対応することができる巨大磁気抵抗効果素子、及びこの巨大磁気抵抗効果素子を備えた磁気抵抗効果型ヘッド、薄膜磁気メモリ、薄膜磁気センサを提供する。 - 特許庁

The searching system, which searches a wiretap of wireless type, sends dummy sounds in a searching area and enables the searching function of a receiver to start operating by a personal computer to store reception information as sound information of each step frequency in a memory within a search range.例文帳に追加

無線方式の盗聴器を探知する探知システムとして、探知エリアにダミー音を流しておき、パソコンにより受信機のサーチ機能を動作させてステップ周波数毎に音情報としての受信情報をサーチ範囲内でメモリに記憶させる。 - 特許庁

To provide a particle movement type display device 100 in which memory property of image display can be improved without decreasing necessary properties and substantial functions of a layer such as a resistance layer 7 which is conventionally exposed to a movement space 20 of charge particles 9.例文帳に追加

抵抗層７等、従来、帯電粒子９の移動空間２０に露出していた層の必要な性質、本質的な機能を損なわせることなく、画像表示のメモリ性を改善できる粒子移動型表示装置１００を提供する。 - 特許庁

In a parameter reading step 101, respective parameters defining a via size, shift direction and via pitch for every layer of each build-up via type concerning the multilayer wiring board of a design object are read and the information of the respective relevant parameters are stored in a memory.例文帳に追加

パラメータ読み込みステップ１０１では、設計対象の多層配線基板に関する各ビルドアップヴィア種の層毎のヴィアサイズ，シフト方向，およびヴィアピッチが定義されている各パラメータが読み込まれ、当該各パラメータの情報がメモリに格納される。 - 特許庁

The support member is obtained by subjecting a shape memory alloy in which the linear expansion coefficient along at least one direction is ≤10×10^-6/K in the temperature range of ≤60°C, and thermoelastic type martensitic transformation occurs to cold rolling.例文帳に追加

支持部材を、温度が６０℃以下の範囲において、少なくとも一つの方向に沿った線膨張係数が１０ｘ１０^−^６／Ｋ以下であり、熱弾性型マルテンサイト変態を生じる形状記憶合金に冷間圧延加工を施してなるものとする。 - 特許庁

In the split-gate type flash memory element, a floating gate and a control gate are sequentially formed so as to be self-aligned by the sidewall of a mask pattern after forming the mask pattern on a semiconductor substrate before forming the floating gate and the control gate.例文帳に追加

フローティングゲート及びコントロールゲートを形成する前に半導体基板上にマスクパターンを形成した後、マスクパターンの側壁によって自己整列されるようにフローティングゲート及びコントロールゲートを順次形成するスプリットゲート型のフラッシュメモリ素子。 - 特許庁

When the battery of a mobile terminal enters a low voltage state or when the power of the mobile terminal is turned off, information important for the user is selected from information stored in the mobile terminal and displayed on a memory type display device.例文帳に追加

携帯端末の電池が低電圧状態となったとき、もしくは携帯端末の電源を切るときに、携帯端末内に記憶している情報から、ユーザにとって重要な情報を選出して、メモリ性表示デバイスに表示させる。 - 特許庁

To provide a power consumption reduction type portable terminal machine and a power consumption reducing method capable of lowering power consumption for increasing a waiting time of the portable terminal machine by interrupting power supply fed to a flash memory in a slip mode time.例文帳に追加

スリップモード時にフラッシュメモリに供給される電源を遮断することにより、電力消耗を減らして携帯端末機の待機時間を増やし得る電力消耗低減型携帯端末機及びその電力消耗低減方法を提供する。 - 特許庁

In this serial ATA type interface device, an S-ATA bridge 10 connected to the host system 2 via a serial ATA bus 4 is provided with a shadow register 11 storing commands and a buffer memory 12 accessible from an HDC 20.例文帳に追加

シリアルＡＴＡ方式のインターフェース装置において、シリアルＡＴＡバス４を介してホストシステム２に接続されたＳ−ＡＴＡブリッジ１０は、コマンドを格納するシャドーレジスタ１１及びＨＤＣ２０のアクセスが可能なバッファメモリ１２を有する。 - 特許庁

A CMOS-SRAM equipped with a plurality of full CMOS type memory cells 1 arranged in a two-dimensional array in line and columnar directions is provided with a capacity plate 2 for reducing software error by adding a capacity to nodes ND1 and ND2.例文帳に追加

行方向及び列方向に２次元配列で配置された複数のフルＣＭＯＳ型のメモリセル１を備えたＣＭＯＳ−ＳＲＡＭには、ノードＮＤ１、ＮＤ２に容量を付加してソフトエラーを低減する容量プレート２が設けられている。 - 特許庁

To improve charge retention characteristics and to make a gate electrode low in resistance in a nonvolatile memory cell having a split gate structure wherein a MOS type transistor for nonvolatile storage using a charge accumulation film and a MOS transistor for selecting this are adjacent to each other.例文帳に追加

電荷蓄積膜を用いる不揮発性記憶用ＭＯＳ型トランジスタと、これを選択するＭＯＳ型トランジスタが隣接するスプリットゲート構造を有する不揮発性メモリセルにおいて、電荷保持特性を向上し、ゲート電極を低抵抗化する。 - 特許庁

To provide a digital data distribution system which follows a conventional continuous sending type distribution system, keeps values of continuous sending time and receiving time constant in network environment of low transmitting quality, and makes memory size of a receiving device independent of a file size.例文帳に追加

従来の連送型配信方式を踏襲しつつ、送信品質の低いネットワーク環境においても、連送回数と受信時間を一定に保ち、受信装置のメモリサイズをファイルサイズ非依存とするデジタルデータ配信システムを提供する。 - 特許庁

Pixel data in respective block areas BR set so as to laterally and longitudinally divide a source image 30 are stored in memory areas of the same row address in a DRAM type pixel data storage means (pixel data storage unit).例文帳に追加

ソース画像３０を横方向及び縦方向に分割するように設定された各ブロック領域ＢＲ内の画素の画素データをＤＲＡＭ型の画素データ記憶手段（画素データ記憶部）の同一ロウアドレスのメモリ領域上に並べて書き込んで記憶させる。 - 特許庁

In this magnetic tape, cartridge a tape reel obtained by winding a magnetic tape is housed in a cartridge main body and the non-contact type memory element is disposed in the reel of at least one of the upper and lower flanges of the tape reel.例文帳に追加

カートリッジ本体に磁気テープを巻回したテープリールが収容された磁気テープカートリッジであって、テープリールの上フランジおよび下フランジの少なくとも一方のリール内に非接触式メモリ素子を配設したことを特徴とする磁気テープカートリッジ。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device using W that has favorable compatibility with a CMOS process as a material for a resistance variable type memory cell, and to obtain a large capacity nonvolatile semiconductor storage device at low cost utilizing its oxide.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置に関し、抵抗変化型メモリセルの材料としてＣＭＯＳプロセスと親和性が良好なＷを用い、その酸化物を利用して低コストで大容量の不揮発性半導体記憶装置を実現しようとする。 - 特許庁

In the sealed type battery in which an electrode pin 4 is fixed via an insulating member 7 having a through hole inside to an open hole part provided at a cap 2 and in which the cap 2 is joined to a battery can 1, the electrode pin 4 is composed of a shape memory alloy.例文帳に追加

蓋２に設けた開孔部に、内部に貫通孔を有する絶縁性部材７を介して電極ピン４を固着し、蓋２を電池缶１に接合した密閉型電池において、電極ピン４が形状記憶合金からなる。 - 特許庁

A facsimile terminal 12 can perform specific operations such as a call out, facsimile transmission and polling reception according to the destination information data (facsimile number) of the opposite communication terminal read from a radio type memory label 11 to accomplish operation simplification.例文帳に追加

無線式メモリラベル１１から読み出した相手先通信端末の宛先情報データ（ファクシミリ番号）によってファクシミリ端末１２が特定の動作、例えば発呼、ファクシミリ送信、ポーリング受信等を行なうことができ、操作の簡易化を達成できる。 - 特許庁

The mobile electronic apparatus includes a reflection type liquid crystal display including a transistor using an oxide semiconductor, a power supply including a rechargeable battery chargeable by contactless charging, and a signal processor including a nonvolatile semiconductor memory device.例文帳に追加

携帯電子機器は、酸化物半導体を用いたトランジスタを有する反射型液晶ディスプレイと、非接触充電により充電可能な充電池を有する電源部と、不揮発性半導体記憶装置を有する信号処理部と、を有する。 - 特許庁

When game ball lending request information by the coin type memory medium or input of money is received, communication with the adjacent game machine is carried out, or alternatively, the money information is transmitted to the adjacent game machine.例文帳に追加

コイン型記憶媒体あるいは貨幣の投入による、遊技媒体の貸し出し希望情報を受領したときは、隣接する遊技機と通信する、あるいは金額情報を隣接する遊技機へ送信する遊技媒体貸出機及びそのシステム。 - 特許庁

The capacitor 31 is provided with a lower electrode layer 14b electrically connected to a storage node 51 held at the potential of stored data in the static type memory cell and an upper electrode layer 20 facing the lower electrode layer 14b across a dielectric layer 19.例文帳に追加

キャパシタ３１は、スタティック型メモリセルの記憶データの電位に保持される記憶ノード５１に電気的に接続される下部電極層１４ｂと、下部電極層１４ｂと誘電体層１９を挟んで対向する上部電極層２０とを有している。 - 特許庁

A NAND type flash memory 41 is connected with the DDMA bus 32 via a DDMA interface 132 and selector 22, and a dual port RAM 42 is also connected with the DDMA bus 32 via a DDMA interface 143 and selector 23.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ４１は、ＤＤＭＡインターフェース１３２及びセレクタ２２を介してＤＤＭＡバス３２に接続され、デュアルポートＲＡＭ４２は、ＤＤＭＡインターフェース１４３及びセレクタ２３を介してＤＤＭＡバス３２に接続されている。 - 特許庁

In the TV game apparatus 11, various data of reality supplied from the portable type data memory device 10 are reflected on a virtual space on a game to allow simulation of a virtual world which is actually experienced by the player himself.例文帳に追加

テレビゲーム装置１１では、携帯型データ記憶装置１０から供給された現実の各種データをゲーム上の仮想空間に反映させることにより、プレイヤ自身が実際に経験するであろう仮想世界をシミュレーションすることができる。 - 特許庁

To provide a magnetic tunnel junction type magnetic random access memory cell array that achieves both the thermal stabilization of the magnetization of a free layer and reduction in electric current required for changing the direction of magnetization, to improve operational performance.例文帳に追加

フリー層の磁化状態の熱的安定化と磁化方向を変化させるために要する電流の低電流化とを両立させることにより、動作性能を向上させることが可能な磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルアレイを提供する。 - 特許庁

If it is determined that the selective reduction type NOx catalyst 4 does not normally function, the cumulative traveling information is stored in the nonvolatile memory 10 when it is determined that the operating mode of the vehicle is the ordinary use mode.例文帳に追加

選択式還元型ＮＯｘ触媒４が正常に機能していない旨判断された場合において、車両の稼動モードが通常使用モードである旨判別したときには車両の累積走行情報を不揮発性メモリ１０に記憶する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is not only available for nonvolatile memory but also can be miniaturized in a simple manufacturing process, and has a fin-type capacitor structure that allows a stable and high-capacity superimposed voltage, and to provide a method for manufacturing therefor.例文帳に追加

不揮発性メモリ等にも利用でき、簡単な製造工程で微細化が可能な高容量でかつ安定した電圧印加ができるフィン型キャパシタの構造を有する半導体装置およびその半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the Heusler-type Ni-Co-Ga or Co-Ni-Ga magnetic shape memory alloy, high crystal anisotropy is provided and high-frequency low-energy grain boundary is formed and martensitic phase transformation is induced by magnetic fields.例文帳に追加

高い結晶異方性を有し、かつ、高頻度の低エネルギー粒界が形成されていて、磁場によりマルテンサイト相変態が誘起されることを特徴とするホイスラー型Ｎｉ−Ｃｏ−Ｇａ系Ｃｏ−Ｎｉ−Ｇａ系の磁性形状記憶合金。 - 特許庁

This makes it possible to actualize appropriate STC adjustment for the type and use of the probe 10 selected by such a relatively simple operation as selecting an STC data from among a plurality of the STC data stored in the STC memory 22.例文帳に追加

これにより、ＳＴＣメモリ２２に記憶された複数のＳＴＣデータの中から１つのＳＴＣデータを選択するという比較的簡易な操作で、プローブ１０の種類とプローブ１０の用途に応じた適切なＳＴＣ調整を実現することができる。 - 特許庁

A liquid crystal display part 68 respectively displays type information KD1 to KD4 of first to fourth memory cards 20 to 23 and position information PD1 to PD4 of first to fourth insertion ports 30 to 33 on first and second display areas 68A and 68B.例文帳に追加

液晶表示部６８は、第１〜第４のメモリカード２０〜２３の種類情報ＫＤ１〜ＫＤ４と第１〜第４の挿入口３０〜３３の位置情報ＰＤ１〜ＰＤ４とを、第１および第２の表示領域６８Ａ、６８Ｂにそれぞれ表示する。 - 特許庁

A CPU and a memory not shown in Figure are included in the signal processing circuit 35 of an external device 5, and a program for estimating at least one of the position and direction of a capsule type endoscope from the reception strength signals of respective antennas 11ij is incorporated.例文帳に追加

外部装置５の信号処理回路３５には図示しないＣＰＵやメモリが含まれ、各アンテナ１１ｉｊの受信強度信号からカプセル型内視鏡の位置または向きの少なくとも一方を推定するプログラムが組み込まれている。 - 特許庁

A memory 12 controls the area exposure conditions and various measured values (measured thickness value of an etching target film, measured thickness value of a resist film, measured dimension value of a resist film, and measured value of a dimensional shift volume) for each type of semiconductor devices and each combination of lots and areas.例文帳に追加

記憶部１２は、半導体デバイスの品種、ロットおよびエリアの組合せ毎に、エリアへの露光条件および各種測定値（被エッチング膜厚測定値、レジスト膜厚測定値、レジスト寸法測定値、寸法シフト量測定値）を管理する。 - 特許庁

To provide a charge trap type nonvolatile memory device which prevents the phenomenon in which threshold voltage distribution is varied by applying voltage detrapping electric charges shallow-trapped during applying program pulse voltage, and improves reliability of read-out, and also to provide its programming method.例文帳に追加

プログラムパルス電圧の印加時にシャロートラップされた電荷をデトラップ(detrap)させる電圧を印加してしきい値電圧分布が変化する現象を防ぎ、読み出しの信頼性を高めるチャージトラップ型不揮発性メモリ装置とそのプログラム方法を提供する。 - 特許庁

Also, in a pattern output process 24, there is found the output pattern of the processing step from the output pattern table, based on the step number stored in a memory, to generate an output signal (control output) to the stepping type processing unit.例文帳に追加

またパターン出力プロセス２４においてはメモリに記憶された工程番号に従って出力パターンテーブルから該当処理工程の出力パターンを求め、工程歩進形処理装置に対する出力信号（制御出力）を生成する。 - 特許庁

To provide a hybrid type vehicle furnished with a main battery and an auxiliary battery capable of preventing a trouble of an electronic control device incapable of carrying out reprogram manipulation to rewrite a program in an inside memory due to lowering of voltage of the auxiliary battery to feed the electronic control device.例文帳に追加

主バッテリと補機バッテリとを備えるハイブリッド型車両において、電子制御装置に給電する補機バッテリの電圧が低下して、電子制御装置が内部のメモリのプログラムを書き換えるリプログラム処理を実施できなくなることを防止する。 - 特許庁

A collecting type digital camera 2 is used, which is provided with a position detecting means 27 for detecting positional coordinates of a photographic spot, and a buffer memory 25 for storing photographing data 34 consisting of image data, photographing data and time and the positional coordinates so that the data are associated.例文帳に追加

撮影場所の位置座標を検出する位置検出手段２７と、画像データ、撮影日時および位置座標からなる撮影データ３４を関連付けして記憶するバッファメモリ２５とを備えた回収型のデジタルカメラ２を用いる。 - 特許庁

Cache data of image data displayed to a card memory which is installed in the RAM 103 or the medium exchange type recording part 106 are stored and, at reproduction display of an image, it is performed on the basis of the cache data and unnecessary cache data are deleted.例文帳に追加

ＲＡＭ１０３またはメディア交換型記録部１０６に装着されるカードメモリーに表示した画像データのキャッシュデータを保存し、画像の再生表示の際にはキャッシュデータに基づいて行うとともに不要なキャッシュデータは削除する。 - 特許庁

The active matrix type display device is switched by a selector 27 between the moving picture mode in which a data processing part 21 processes a video signal inputted at any time by a predetermined operation and displays the signal at any time, and the still picture mode in which a video signal is displayed based on video signals stored in a frame memory 25.例文帳に追加

随時入力される映像信号にデータ処理部２１が所定の処理を行って随時表示する動画モードと、フレームメモリ２５に保存された映像信号に基づいて表示する静止画モードをセレクタ２７によって切り換える。 - 特許庁

In the case of initializing an one-chip microcomputer, the state of an RS type flip flop(FF) 21 is judged, and only when the FF 21 is reset, the step-up operation of a booster circuit 17 and the data rewriting operation of a flash memory 1 are started.例文帳に追加

１チップマイクロコンピュータを初期化する際にＲＳ型フリップフロップ２１の状態を判別し、ＲＳ型フリップフロップ２１がリセットされている場合のみ、昇圧回路１７の昇圧動作と、フラッシュメモリ１のデータ書き換え動作に移行する構成とした。 - 特許庁

To provide an image processing technique for performing underlayer removal, by achieving sequential processing without requiring page memory of a continuous tone image, and also by processing where an output image quality is hardly deteriorated due to processing failure responding to a type of reading manuscript.例文帳に追加

下地除去を行う画像処理技術であって、コントーン画像のページメモリを必要とせず逐次的に処理を行い、かつ読み取り原稿の種類によって処理が破綻し出力画質が劣化することが起こりにくい処理を実現する。 - 特許庁

The received color image is written in a memory 117 when the ink tank of the preset type is not mounted on an ink tank mounting part 112 to be not outputted for printing or only a contracted image or brightness component is outputted for printing.例文帳に追加

受信したカラー画像は、設定された種類のインクタンクがインクタンク装着部１１３に装着されていない場合にはメモリ１１７に書き込まれ、印刷出力されないか、または、縮小画像や輝度成分のみを印刷出力する。 - 特許庁

To provide a semiconductor-testing device capable of successively storing, in a normal order, code data being continuously outputted from a DUT (a device to be tested) in an interleave type digital capture memory without depending on the conditions of a pattern program.例文帳に追加

ＤＵＴから連続的に出力されるコードデータを受けてインターリーブ方式のデジタル・キャプチャー・メモリへの格納をパターンプログラムの条件に依存することなく正常な順番で順次格納可能とする半導体試験装置を提供する。 - 特許庁

In a synchronous bank type multi-port memory, a register/buffer circuit performs input of a read/write signal and an address signal from the outside port, input or output of a data signal from the outside port, and output of an inputted port block signal to the outside.例文帳に追加

同期バンク型多ポートメモリにおいて、レジスタ／バッファ回路は、外部のポートからのリード／ライト信号とアドレス信号の入力、データ信号の外部のポートからの入力または出力、入力されるポートブロック信号の外部への出力を行う。 - 特許庁

The manufacturing method of the ferroelectric memory comprises the irradiation of pulse type laser beam 70 from the upper part of the ferroelectric capacitor 105 under a condition that at least the ferroelectric capacitor 105 is formed on a substrate 10.例文帳に追加

本発明に係る強誘電体メモリの製造方法は、基板１０上に少なくとも強誘電体キャパシタ１０５が形成された状態で、当該強誘電体キャパシタ１０５の上部からパルス状のレーザー光７０を照射すること、を含む。 - 特許庁