「memory-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a test circuit capable of confirming whether desired TDM data is normal or not without rearranging the TDM data stored in a memory in a multiplexed format, such as a concentrated arrangement type and a distributed one.例文帳に追加

集中配置型及び分散配置型などの多重化形式でメモリ内に格納されているＴＤＭデータを配置し直すことなく、所望のＴＤＭデータが正常であるか否かを確認することが可能な試験回路を提供する。 - 特許庁

At the time of mounting the damping force control type hydraulic buffer 5 on a suspension control system, the damping force characteristic data are read from the attached recording medium 10 by a data reading and transferring device, and recorded in the non-volatile memory of a controller.例文帳に追加

減衰力調整式油圧緩衝器5をサスペンション制御システムに装着する際、データ読込転送装置によって、添付された記録媒体10から減衰力特性データを読込み、コントローラの不揮発メモリに記憶する。 - 特許庁

To provide a headphone type video camera that realizes a small-sized camera imposing little burden on a user carrying the camera by making full use of a small-sized semiconductor memory card and that can pick up a video image of an object and reproduce the video image while the user wears the camera on its head.例文帳に追加

半導体メモリカードのサイズの小ささを十分に生かし、携帯するにも負担のない小型であって、頭に装着したまま被写体の映像を撮影し再生できるヘッドホン型ビデオカメラを提供する。 - 特許庁

The image input device 10 can automatically send the specified image to the empty space memory of the pocket telephone 25 by recognizing automatically a type of the pocket telephone 25 when a connector 28 is connected to the pocket telephone.例文帳に追加

また、画像入力装置１０は、コネクタ２８が携帯電話器２５に接続されると、携帯電話器２５の機種を自動認識して指定された画像データを携帯電話器２５のメモリの空きスペースに自動的に転送することができる。 - 特許庁

To provide a synchronous type semiconductor memory in which the current consumption of a write-in data input circuit in a receiving state of each instruction at the time of active state of a device can be reduced without changing a command system and without increasing the number of terminals.例文帳に追加

デバイスのアクティブ時における各命令受け付け状態での書き込みデータ入力回路消費電流の削減を、コマンド体系の変更や端子増加なしに可能にする同期型半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

A DMAC 204 transfers only a set 'data length' out of set 'address on RAM210' to a data memory 203, and an instruction execution unit 201 generates an image (raster type image) formed by joining images in one raw of tiles.例文帳に追加

ＤＭＡＣ２０４は設定された「ＲＡＭ２１０上のアドレス」から、設定された「データ長」分だけをデータメモリ２０３に転送し、命令実行ユニット２０１は一列分のタイルの画像をつなげた画像（ラスター形式の画像）を生成する。 - 特許庁

To employ a low-cost reading method, in relation to a magnetic wall movement type storage device equipped with a memory wire formed of a ferromagnetic material, storing information by presence of a magnetic wall, and moving the magnetic wall by being supplied with a movement current.例文帳に追加

本件は、強磁性材料からなり、磁壁の有無による情報を記憶するとともに移動電流の供給を受けて磁壁を移動させるメモリ線を備えた磁壁移動型ストレージデバイスに関し、低コストの読出方式を採用する。 - 特許庁

To attain the high speed of a synchronous DRAM(dynamic type random access memory) or the like by suppressing the generation of hot carriers in a data input buffer and a data output buffer or the like without incurring an access delay especially at the munimum side of an external power source voltage VDD.例文帳に追加

特に外部電源電圧ＶＤＤのミニマム側でのアクセス遅延を招くことなく、データ入力バッファ及びデータ出力バッファ等におけるホットキャリアの発生を抑制し、シンクロナスＤＲＡＭ等の高速化を図る。 - 特許庁

The memory control part 123 is equipped with an LED type judgment part 243 which switches a generation pattern of a write address used in a write address generating part 205, and a generation pattern of a read address used in a read address generating part 247.例文帳に追加

メモリ制御部１２３は、書込アドレス生成部２０５において用いる書込アドレスの生成パターンおよび読出アドレス生成部２４７において用いる読出アドレスの生成パターンを切り換えるＬＥＤタイプ判断部２４３を備える。 - 特許庁

To provide an optical disk reproducing device in which disk information can be recorded in a small capacity memory, in multi-border reproduction or multi-session reproduction in a recording type DVD disk such as a DVD-R and a DVD+R.例文帳に追加

ＤＶＤ−ＲやＤＶＤ＋Ｒなどの記録型ＤＶＤディスクにおけるマルチボーダー再生またはマルチセッション再生において、ディスク情報記録を小容量メモリで可能にした光ディスク再生装置を提供することにある。 - 特許庁

On the label 3 to be stuck to the electronic equipment 2 after manufacture, the serial number of a product stored in non-volatile memory arranged on the electronic equipment 2, and a maker's type number corresponding to a model name are printed by a label issuing means 4.例文帳に追加

電子機器２を製造して貼付けるラベル３には、電子機器２に備えられる不揮発性メモリに記憶される製品シリアル番号と、機種名に対応するメーカ型番とが記載されるように、ラベル発行手段４で印刷される。 - 特許庁

The circuit board is retained to a retaining base attached to a slide table 18 with the slide table 18 of the memory-mounted device 15 moved to a set work position and the LGA type ROM is temporarily set in the socket of the circuit board.例文帳に追加

メモリ装着装置１５のスライドテーブル１８をセット作業位置に移動させた状態で、このスライドテーブル１８に取り付けた保持台に回路基板を保持させ、この回路基板のソケットにＬＧＡ型のＲＯＭを仮セットする。 - 特許庁

A changer type reproduction device receives CD text information from compact disks(CDs) 1a-1n and records the information to a CD text recording area 42t of a nonvolatile memory 42.例文帳に追加

音楽用ＣＤにサブコードとして記録されているＣＤテキスト情報を不揮発性メモリ４２に格納すると共に、ＣＤテキスト規格に非対応のディスクについては、使用者の入力による所要のテキスト情報を不揮発性メモリに格納する。 - 特許庁

In addition, transfer from the self-computer to the partner's computer is allowed, and offline transfer is allowed by accumulating information in a flash memory built in the pen type interface device at a state wherein connection is cut off.例文帳に追加

また本発明では、自コンピュータから相手コンピュータへの転送を可能にしており、また、接続が切れた状態でペン型インターフェース装置に内蔵されたフラッシュメモリに情報を蓄えることによるオフライン転送を可能にしている。 - 特許庁

A stopper (7) is equipped to use an entering force and a returning force of a shape memory alloy placed at (4, 5) and a bellows type spring placed on the center part of the sole and returning force.例文帳に追加

靴底のつま先部（２）、踵部（３）をカットして、（４，５）に配した形状記憶合金と、靴底中央部に配したジャバラ式スプリング（６）の入り込む力を利用し、又その戻りの力を利用するために（７）のストッパーを取り付ける。 - 特許庁

To provide a ferroelectrics memory cell and an FeRAM element using the same which can improve further its integration density by the structure of its bit-line separated from its active region and has its bit-line structure comprising a depletion type transistor.例文帳に追加

ビットラインと活性領域とが分離された構造より集積度をさらに向上させることのできる、空乏形トランジスタからなるビットライン構造を有する強誘電体メモリセル及びそれを用いたＦｅＲＡＭ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic memory device provided with both of a high access speed which is a merit of an MRAM constituted of one selection element and one TMR element and the reduction of a cell area which is a merit of a cross point type MRAM.例文帳に追加

１選択素子と１ＴＭＲ素子で構成されるＭＲＡＭの利点であるアクセス速度の速さとクロスポイント型のＭＲＡＭの利点であるセル面積の縮小化とを兼ね備えた磁気メモリ装置の提供を図る。 - 特許庁

For example, in a case of a many-valued logic NAND type flash memory provided with the ECC circuit in which an allowable bit number n per page is made to 4 bits, at the time of data write operation, write loop is repeated while stepping up a word-line voltage.例文帳に追加

たとえば、１ページあたりの許容ビット数ｎが４ビットとされたＥＣＣ回路を備える多値論理のＮＡＮＤ型フラッシュメモリの場合、データ書き込み動作時に、ワード線の電圧をステップアップしながら書き込みループを繰り返す。 - 特許庁

To provide a NOR type EEPROM flash memory in which sure data erasing operation can be performed without using negative voltage for a non- selection word line at the time of verifying over-erasing, therefore, without preparing a complex row decoder.例文帳に追加

過消去ベリファイ時に非選択ワード線に対して負電圧を用いることなく、従って複雑なロウデコーダを用意することなく、確実なデータ消去動作を可能としたＮＯＲ型のＥＥＰＲＯＭフラッシュメモリを提供する。 - 特許庁

Therefore, when the contents of setting items are backed up in the PC card type memory 24 or PC 2 after these setting items are completely registered in the RAM 13, the contents of setting items can be easily recovered.例文帳に追加

従って、ＲＡＭ１３への設定項目の登録が完了した後、その設定項目の内容をＰＣカード型メモリ２４又はパソコン２にバックアップしていれば、設定項目の内容の復旧を容易に行うことができる。 - 特許庁

To provide an impurity doping method and a fabrication method for memory device, insulated gate type semiconductor device and semiconductor device in a process for fabricating a semiconductor device such as semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

半導体集積回路等の半導体装置を作製する工程における不純物ドープ方法、メモリ装置の作製方法、および絶縁ゲート型半導体装置の作製方法並びに半導体装置の作製方法に関する。 - 特許庁

In a liquid crystal panel driver circuit for driving first and second liquid crystal panels of driver monolithic type having different sizes, external image data given from the outside is temporarily stored in an image memory 23 through a host interface section 22.例文帳に追加

サイズの異なるドライバモノリシック型の第１および第２の液晶パネルを駆動するための液晶パネル駆動回路において、外部から与えられる画像データはホストインタフェース部２２を介して画像メモリ部２３に一旦格納される。 - 特許庁

A NAND type flash memory is used as a CGROM for storing performance images, and the refreshing processing of the CGROM is performed in a performance establishing period of not accessing the CGROM during the operation of the Pachinko game machine.例文帳に追加

演出画像を記憶するＣＧＲＯＭとしてＮＡＮＤ型フラッシュメモリを使用すると共に、パチンコ遊技機の動作中においてＣＧＲＯＭにアクセスしていない演出確定期間に、ＣＧＲＯＭのリフレッシュ処理を行うようにした。 - 特許庁

Access points of the DDMA interfaces 132 and 143 are switched to a data transfer path 33 in the system LSI 10 prior to booting, and a boot program is transmitted from the NAND type flash memory 41 to the dual port RAM 42.例文帳に追加

システムＬＳＩ１０では、ブートに先立って、ＤＤＭＡインターフェース１３２及び１４３の接続先がデータ転送路３３に切り替えられ、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ４１からデュアルポートＲＡＭ４２へブートプログラムが転送される。 - 特許庁

In addition, low-concentration n-type impurity regions (extension region) 152 which become parts of the bit lines BL are formed on the substrate 10 by performing ion implantation by again using the regions including the regions of the memory gates MG and control gates CG as masks.例文帳に追加

そして、再びＭＧ及びＣＧの領域を含めた領域をマスクとしてイオン注入することにより、基板１０上にビット線ＢＬの一部となる低濃度Ｎ型不純物領域（エクステンション領域）１５２を形成する。 - 特許庁

A control gate portion (b) has a floating gate 7b which is formed in an N well layer 23 formed in a P-type semiconductor layer common to the memory cell portion (a) and capacity-coupled to the N well layer 23 via the gate oxide film 6b.例文帳に追加

コントロールゲート部ｂは、メモリセル部ａと共通のＰ型の半導体層内に形成されるＮウェル層２３内に形成され、ゲート酸化膜６ｂを介してＮウェル層２３に容量結合されるフローティングゲート７ｂを備える。 - 特許庁

To provide an information recording medium which is high in visibility, has repeating durability, and writable necessary information in a liquid crystal display part of a memory high molecular distributed type with a reader/ writer for the information recording medium.例文帳に追加

視認性が高く高い繰り返し耐性を有し、情報記録媒体用のリーダー／ライターで、該メモリ性高分子分散型液晶表示部に必要な情報を書き込むことが出来る機能を有する情報記録媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a facsimile terminal that can surely transfer transmission information by ring-type multiple address transmission to a corresponding destination and effectively utilize a storage means used for memory reception at a sender.例文帳に追加

リング型同報送信による送信情報を確実に対応する宛先に転送することができるとともに、送信元におけるメモリ受信に使用される記憶手段の有効利用を図ることができるファクシミリ装置を提供する。 - 特許庁

A user sets in advance the contents of a character type (character expression form defined by font sets, character size, the existence/absence of character decoration, etc.), that varies in accordance with the level of a key depression pressure and stores the set information into a memory 20.例文帳に追加

ユーザは、予め、キー押下圧力レベルの段階に応じて可変する文字タイプ（フォント種、文字サイズ、文字飾りの有無などによって規定される文字の表現形態）の内容を設定し、その設定情報をメモリ２０に記憶しておく。 - 特許庁

The processing operation of a CE(Chip Enable) signal is changed according to an operating state so that it is possible to forcedly stop the sequential read operations of the NAND type flash memory, and to prevent unauthorized access due to continuous page read operations.例文帳に追加

動作状態に応じてＣＥ（Ｃｈｉｐ Ｅｎａｂｌｅ）信号の処理動作を変えることでＮＡＮＤ型フラッシュメモリメモリのシーケンシャルリード動作を強制的に停止し、連続ページリード動作による不正アクセスを防止する。 - 特許庁

To eliminate display irregularity in the periphery of a display region caused by external force without providing a dummy electrode or the like in a non-display region of especially a full dot display type liquid crystal display element having a liquid crystal layer with a memory capability.例文帳に追加

特にメモリ性の液晶層を有するフルドット表示型液晶表示素子において、非表示領域にダミー電極などを設けることなく、外力などにより表示領域周辺に生じた表示ムラを解消する。 - 特許庁

In this communication system, the mobile terminal 1 stores satisfaction information generated in the mobile terminal 1 when satisfying a prescribed condition, into an open memory area that is a free area of a noncontact type IC chip.例文帳に追加

本発明に係る通信システムでは、移動端末１は、所定の条件を満たした場合に移動端末１において生成される充足情報を、非接触型ＩＣチップのフリー領域であるオープンメモリ領域に格納する。 - 特許庁

UMID defined in SMPTE339M being buried in video and audio material signals recorded on a magnetic tape 30 or the UMID generated from the information other than the material signals are written into a noncontacting type memory tag 37.例文帳に追加

磁気テープ３０に記録される映像音声素材信号に埋め込まれているＳＭＰＴＥ３３９Ｍに定義されたＵＭＩＤ、或いは、素材信号以外の情報から生成したＵＭＩＤを、非接触型メモリタグ３７に書き込む。 - 特許庁

Between a first source line connected with the sources of first conductivity type MOSFETs constituting first and second CMOS inverter circuits constituting the static type memory cells and a first power line corresponding to it, a switch MOSFET which is turned off in a first operation mode and turned on in a second operation mode different from the first operation mode and diode-type first and second conductivity type MOSFETs are provided in parallel.例文帳に追加

上記メモリセルアレイは、複数のスタティック型メモリセルを構成する第１及び第２ＣＭＯＳインバータ回路を構成する第１導電型ＭＯＳＦＥＴのソースが接続された第１ソース線とそれに対応した第１電源線との間に、第１動作モードのときにはオフ状態にされ、上記第１動作モードとは異なる第２動作モードのときにはオン状態にされるスイッチＭＯＳＦＥＴと、ダイオード形態にされた第１導電型と第２導電型のＭＯＳＦＥＴを並列形態に設ける。 - 特許庁

To provide an on-vehicle type electronic equipment useful without requiring complicated operation and capable of reducing redundancy caused in each control application equipped for plural connection devices respectively without requiring large memory capacity for the connection devices when the on-vehicle type electronic equipment is constituted by combination of various kinds of the connection devices.例文帳に追加

多種多用な接続機器を組み合わせて車載型電子機器を構成した場合に、繁雑な操作を必要とせず、使い勝手が良好で、かつ、その接続装置に大きなメモリ容量を必要とすることなく、複数の接続機器のそれぞれに備えられた制御アプリケーションに生じる冗長性を少なくできる車載型電子機器を提供する。 - 特許庁

A control part 511, a communication part 512, an information transmitting part 513, a power source part 514 and a memory part 515 are installed and information pertaining to the control state of an implantation type human body function controller 100 transmitted therefrom 100 is displayed by the information transmitting part 513 of a portable type information processor 110.例文帳に追加

制御部５１１と、通信部５１２と、情報発信部５１３と、電源部５１４と、記憶部５１５とを備え、植込型人体機能制御装置１００より送信された植込型人体機能制御装置１００の制御状態に関する情報を携帯型情報処理装置１１０の情報発信部５１３により表示する。 - 特許庁

In a hollow part 34 of a body 31 of the oil jet 30A, there are provided a hydraulic pressure responsive type first valve mechanism having a first spherical valve element 42, a valve seat 43 and a first spring 46, and a thermosensitive type second valve mechanism having a second spring 48 formed of a shape memory alloy, a closing member 49 and a biasing spring 51.例文帳に追加

オイルジェット３０Ａの本体部３１の中空部３４内には、球形の第１弁体４２と弁座４３と第１ばね４６とを有する油圧応動式の第１バルブ機構と、形状記憶合金からなる第２ばね４８と閉止部材４９と付勢ばね５１とを有する感熱式の第２バルブ機構とが設けられている。 - 特許庁

A plurality of front keys installed in a front panel include a shift key 4d, and when any front key 4a and 4b is depressed, the type of the depressed front key is determined based on a voltage value in a digital form outputted from an A-D converter 23 according to the type of the depressed front key and the value of a shift flag 26 stored in a memory 24.例文帳に追加

フロントパネルに設けられた複数のフロントキーには、シフトキー４ｄが含まれ、いずれかのフロントキー４ａ、４ｂが押下されたときに、押下されたフロントキーの種類に応じてＡ／Ｄコンバータ２３から出力されるディジタル形式の電圧値と、メモリ２４に記憶されたシフトフラグ２６の値とに基づいて、押下されたフロントキーの種類を判定するようにした。 - 特許庁

A memory cell 1 is equipped with an N-type drain region 17 formed in a region which is located at the upper part of a semiconductor substrate 10, adjacent to a floating gate electrode 16, and apart from a control gate electrode 13 and an N-type source region 18 formed in a region which is located adjacent to the control gate electrode 13 and apart from the floating gate 16.例文帳に追加

メモリセル１は、半導体基板１０の上部であって、制御ゲート電極１３に対する浮遊ゲート電極１６側の領域に形成されたｎ型のドレイン領域１７と制御ゲート電極１３に対する浮遊ゲート電極１６と反対側の領域に形成されたｎ型のソース領域１８とを有している。 - 特許庁

A halftone processing means 24 for carrying out a halftone process selects a quantization threshold value depending on whether object type information of a target pixel stored in an object type information memory 23 emphasizes the sharpness or the granularity and the gradation and carries out quantization processing by taking a quantization error from pixels around the target pixel into account.例文帳に追加

中間調処理手段２４における中間調処理では、オブジェクト種類情報メモリ２３に記憶されている注目画素のオブジェクト種類情報が鮮鋭性を重視するか、または粒状性・階調性を重視するかに応じて量子化閾値を切り替えるとともに、注目画素周辺画素からの量子化誤差を加味した量子化処理を行なう。 - 特許庁

A simplified structure and lower cost in phase change memory can be achieved by arranging an intermediate layer 20, which contains silicon and at least one kind of element constituting a phase change material, between a recording layer 18 comprising the phase change material and an n^+ type polysilicon film 15 and reducing a contact resistance between the recording layer 18 and the n^+ type polysilicon film 15.例文帳に追加

相変化材料からなる記録層１８とｎ^＋型ポリシリコン膜１５との間に、相変化材料を構成する元素の少なくとも一種とシリコンとを含有する中間層２０を配置し、記録層１８とｎ^＋型ポリシリコン膜１５との接触抵抗を低減することにより、相変化メモリの構造の簡素化と低コスト化を実現する。 - 特許庁

To provide a DRAM with a memory cell portion and a peripheral circuit portion both installed together, which can integrates on the same substrate a first insulated gate type transistor, capable of forming a minute contact hole with self-alignment to a gate electrode and a second insulated gate type transistor, capable of fully reducing the parasitic resistance, while suppressing short-channel effect.例文帳に追加

本発明は、メモリセル部とその周辺回路部とを混載させてなるＤＲＡＭにおいて、ゲート電極に対して自己整合的に微細なコンタクトホールの開孔が可能な第１の絶縁ゲート型トランジスタと、短チャネル効果を抑制しつつ、寄生抵抗を十分に緩和することが可能な第２の絶縁ゲート型トランジスタとを同一基板上に集積できるようにする。 - 特許庁

In n-type embedded well DNW of a semiconductor substrate 1S in a formation region of a flash memory, p-type wells HPW1-HPW3 are provided while separated from one another, and further a capacitor C, a data writing/erasing capacitor CWE and a data reading-out MIS-FETQR are arranged in the wells HPW1-HPW3, respectively.例文帳に追加

フラッシュメモリの形成領域の半導体基板１Ｓのｎ型の埋込ウエルＤＮＷ内にｐ型のウエルＨＰＷ１〜ＨＰＷ３を互いに分離した状態で設け、そのウエルＨＰＷ１〜ＨＰＷ３にそれぞれ容量部Ｃ、データ書き込み・消去用の容量部ＣＷＥおよびデータ読み出し用のＭＩＳ・ＦＥＴＱＲを配置した。 - 特許庁

A cache memory is divided into cache blocks 201 consisting of plural addresses and the update frequencies of the cache blocks 201 are measured, and the cache protocol for maintaining the consistency of data is dynamically switched from a protocol for a update type to a protocol for an invalidation type and vice versa according to the measurement results.例文帳に追加

キャッシュメモリを複数アドレスから成る複数のキャッシュブロックに分割し、各キャッシュブロックの更新頻度を計測し、その計測結果に基づいてデータの一貫性を保つためのキャッシュプロトコルを更新型向きから無効化型向きへ、または無効化型向きから更新型向きへ動的に変化させるように動的にキャッシュプロトコルを切り替える。 - 特許庁

A semiconductor memory device includes; an n-channel type MOSFET1 whose drain and gate are connected to an external power supply (VEXT) and whose source is connected to a back gate; and a detection part which detects the application of external power supply based on a node connected to the source and back gate of the n-channel type MOSFET and the electric potential of the node.例文帳に追加

この半導体記憶装置は、外部電源（ＶＥＸＴ）にドレインおよびゲートが接続されるとともに、ソースをバックゲートに接続したｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ１と、ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴのソースおよびバックゲートに接続されたノードと、ノードの電位をもとに外部電源の投入を検出する検出部とを具備する。 - 特許庁