「memory-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(42ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a magnetic memory device which is provided with a spin injection type magnetoresistance effect element and can improve the reliability of a barrier layer and output S/N ratio, and to provide a method of driving the same.例文帳に追加

スピン注入型の磁気抵抗効果素子を有する磁気メモリ装置に関し、バリア層の信頼性及び出力のＳ／Ｎ比を向上しうる磁気メモリ装置及びその駆動方法を提供する。 - 特許庁

To reduce the influence caused by memory effects of an amplifier by the amplifier with a predistortion type compensation distortion function which compensates the distortion generated in the amplifier for amplifying an input signal by a predistortion method.例文帳に追加

入力信号を増幅する増幅器で発生する歪をプリディストーション方式により補償するプリディストーション方式歪補償機能付き増幅器で、増幅器のメモリ効果による影響を低減する。 - 特許庁

The connector-mounted board structure 101 has a board 51, and at least one type of memory card connector 1a to 1e mounted on respective two faces forming front and rear surfaces of the board 51 with openings aligned at one end.例文帳に追加

コネクタ配置基板構造１０１は、基板５１と、前記基板５１の表裏をなす二面の夫々に少なくとも１種のメモリーカードコネクタ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅを、開口を一端側に揃えて搭載した。 - 特許庁

An issuing apparatus 3 writes a program in a predetermined file provided in a memory area of a non-contacting medium 2 such as a non-contact type IC card etc. or a program area, and the existing memorized program is compiled.例文帳に追加

発行機３は、非接触型ＩＣカード等の非接触媒体２のメモリエリア内に設けた所定ファイル又はプログラムエリアにプログラムを書き込んだり、既に記憶されたプログラムを編集する。 - 特許庁

To provide a memory rental service system of an independent type identification device which enables a user of an application itself to freely and easily set and alter the application and also reduce the cost for the use.例文帳に追加

本発明は、アプリケーションの運用主体が自由にかつ容易にアプリケーションを設定・変更でき、運用のコストを低減できる独立型本人認証装置におけるメモリレンタルサービスシステムを提供する。 - 特許庁

This data storage device is provided with a memory having a matrix type storage region with a plurality of storage region relating to positions of fuel racks set to a row and a plurality of storage regions related to engine rotation speed set to a column.例文帳に追加

燃料ラックのラック位置に係る複数の記憶領域を行とし、エンジン回転数に係る複数の記憶領域を列とするマトリックス型記憶領域を有するメモリを備えさせる。 - 特許庁

To write information by each bit in an OTP memory using a storage element of an insulation film breakdown type which stores the information by breakdown of a gate insulation film.例文帳に追加

本発明は、ゲート絶縁膜を破壊することにより情報を記憶するような、絶縁膜破壊型の記憶素子を用いたＯＴＰメモリにおいて、１ビットずつ情報の書き込みを実行できるようにする。 - 特許庁

Non-volatile memory transistors MT1, MT2 and MT3 and n-channel type MOS transistors MS1, MS2 and MS3 for selecting them are provided, corresponding to the contact regions 3b, 3c and 3d.例文帳に追加

不揮発性メモリトランジスタＭＴ１，ＭＴ２，ＭＴ３と、これらを選択するためのｎチャネル型ＭＯＳトランジスタＭＳ１，ＭＳ２，ＭＳ３がコンタクト領域３ｂ，３ｃ，３ｄに対応して設けられている。 - 特許庁

To provide a voltage step-down circuit of PMOS type used in a semiconductor memory, etc., capable of reducing a drop of the step-down VCC in the initial period of an active condition.例文帳に追加

本発明は、半導体メモリなどで用いられるＰＭＯＳ型降圧回路において、アクティブ状態の初期における降圧ＶＣＣのドロップを低減できるようにすることを最も主要な特徴としている。 - 特許庁

This intelligent type multifunctional compound memory is used for storing a temporary or a permanent data storage, has a capacity of the data conversion, and shares a processing of a connected external CPU.例文帳に追加

本発明に係わるう知能型多機能複合式メモリは、一時または永久のデータの保存に用いられ、データ変換処理の能力を持ち、接続した外部ＣＰＵの処理プロセスを分担することができる。 - 特許庁

A controlling part 10 classifies the information using information type, time stamp and rank included in the management information received by the radio transmitting and receiving part 11 and records the information in a flash memory 12.例文帳に追加

制御部１０は、無線送受信部１１によって受信された管理情報に含まれる情報の種別、タイムスタンプおよびランクを用いて情報を分類し、情報をフラッシュメモリ１２に記録する。 - 特許庁

To provide a camera device which is a swivel type camera device and configured to detect change of a captured image through background difference processing, and can reduce memory capacity and detect even a still body.例文帳に追加

旋回型のカメラ装置であって、背景差分処理によって撮影画像の変化を検出するように構成され、メモリ容量を低減でき、静止物体も検出できるカメラ装置を提供する。 - 特許庁

A TCAM cell is constituted of two dynamic type memory cells consisting of MOS transistors 101, 102 and capacitor elements 105, 106, and a coincidence comparing circuit consisting of two MOS transistors 103, 104.例文帳に追加

ＴＣＡＭセルは、ＭＯＳトランジスタ1０１，１０２とキャパシタ素子１０５，１０６とからなる２つのダイナミック型記憶セルと、２つのＭＯＳトランジスタ１０３，１０４からなる一致比較回路とで構成される。 - 特許庁

Presentation data D(image data, text data, voice data, and the like) and auxiliary program P1 used by the program main part P2 are stored in a non-volatile type memory 121 on the side of a telephone body 100.例文帳に追加

一方、電話機本体１００側の不揮発性メモリ１２１には、プログラム本体Ｐ２が利用する提示用データＤ（画像データ、テキストデータ、音声データなど）と、補助プログラムＰ１とを格納する。 - 特許庁

The interface circuit for a card type memory connects a detachable card type memory requiring an access of a sector unit to an electronic apparatus body, wherein an SD card interface 14 initializes an interface controller for reading/writing data from/in an SD card 4, initializes the SD card 4 and acquires status information from the SD card 4 to judge whether the SD card 4 corresponds to high-speed operation or not.例文帳に追加

着脱可能であってセクタ単位のアクセスが必要なカード型メモリと電子機器本体を接続するカード型メモリのインターフェイス回路において、ＳＤカードインターフェイス１４は、ＳＤカード１４に対してデータのリード／ライトを行うインターフェースコントローラを初期化すると共に、ＳＤカード４を初期化し、さらに、ＳＤカード４からステータス情報を取得してＳＤカード４が高速対応か否かを判断する。 - 特許庁

To provide a device and a method for image processing which can perform faster processing than a sequential type image processor by deciding whether pixel data are before or after background image data when the pixel data are stored in an image buffer and completing platting through single processing and can make the memory capacity much less than the buffer memory capacity of a Z buffer type image processor.例文帳に追加

画素データを画像バッファに格納する際に、その画素データが背景画像データの前にあるのか、背景画像データの後にあるのかを判定し、描画を１回の処理で行うようにし、逐次型画像処理装置よりも高速の処理が可能であり、かつＺバッファ型の画像処理装置のバッファメモリ容量よりも大幅にメモリ容量を低減することができる画像処理装置及び画像処理方法を提供する。 - 特許庁

This system is provided with a site memory part 33 memorizing situation items indicating plural situations and commodity type items indicating types of plural commodities, a database memory part 34 memorizing a database D1 correlating the situation items, the commodity type items and commodity properties relating to commodities, and control part 31 extracting commodity attribute fitting the situation that the consumer requires from the database D1 based on the situation items and the commodity type items.例文帳に追加

複数の状況を示す状況別項目及び複数の商品の種類を示す商品種別項目を記憶するサイト記憶部３３と、上記状況別項目と上記商品種別項目と商品に関する商品属性との対応関係を関連付けたデータベースＤ１を記憶するデータベース記憶部３４と、状況別選択項目と商品種別選択項目に基づいてデータベースＤ１から消費者が必要とする状況に適合する商品属性を抽出する制御部３１とを備えている。 - 特許庁

A memory cell MC selected from among a plurality of memory cells MC according to an address signal is connected to, for example in a test mode, one of complementary input nodes of a sense amplifier SA via an n-type MOSFET 10a for controlling a read voltage whose gate terminal is applied with a voltage VCLMP.例文帳に追加

たとえば、テストモードにおいて、センスアンプＳＡの相補の入力ノードの一方には、ゲート端子に電圧ＶＣＬＭＰが印加される読み出し電圧制御用のｎ型ＭＯＳＦＥＴ１０ａを介して、アドレス信号に応じて複数のメモリセルＭＣの内から選択される１つのメモリセルＭＣが接続される。 - 特許庁

In the memory cell array of this NOR type flash memory, a conductive material is supplied to the cavity 22 formed in the source wiring 21 having a U-shaped structure not only from a hole for source contacting but also from a hole for dummy source contacting in the process of forming a source contact electrode 23 and a dummy contact electrode 24.例文帳に追加

本発明に係るＮＯＲ型フラッシュメモリのメモリセルアレイは、ソースコンタクト電極２３及びダミーコンタクト電極２４を形成する工程においてＵ字構造のソース配線２１に形成された空洞２２にソースコンタクト用のホールに加えてダミーソースコンタクト用のホールからも導電体が供給される。 - 特許庁

The streaming contents recording method of a mobile communication terminal comprises a step wherein the length of streaming contents is compared with a remaining memory capacity of the mobile communication terminal; and a step wherein recording is performed by omitting a frame of a specific type with the streaming contents when the length of the streaming contents is larger than the memory capacity.例文帳に追加

移動通信端末機のストリーミングコンテンツレコーディング方法は、ストリーミングコンテンツの長さを移動通信端末機の残りメモリ容量と比較する段階と、前記ストリーミングコンテンツの長さが前記メモリ容量より大きいと、前記ストリーミングコンテンツで特定タイプのフレームを省略してレコーディングする段階と、を有する。 - 特許庁

Thus, the thickness of the gate insulating film 8 in the memory cell part is set to be larger than the thickness of the gate insulating film 9 in the peripheral circuit part, so that concentration of a p-type impurity region 4a in the memory cell part is lowered to reduce the junction leakage current.例文帳に追加

このようにメモリセル部内におけるゲート絶縁膜８の厚みを周辺回路部内におけるゲート絶縁膜９の厚みよりも大きく設定することにより、メモリセル部内におけるｐ型不純物領域４ａの濃度を低くすることが可能となり、接合リーク電流を低減することが可能となる。 - 特許庁

A driving circuit integrated type active matrix display device is equipped with a display panel, a controller IC 102 having a display memory 111, an output buffer 12 reading data out of the display memory and outputting them to a display panel part, and a controller 113 communicating with a host device and performing control.例文帳に追加

駆動回路一体型のアクティブマトリクス型表示装置において、表示パネル部の外に、表示メモリ１１１と、表示メモリからデータを読み出し表示パネル部へ出力する出力バッファ１１２と、上位装置との通信並びに制御を司るコントローラ１１３と、を有するコントローラＩＣ１０２を備える。 - 特許庁

A ROM 21 for booting stores a control code for transferring a device driver stored in a NAND type flash memory 5 to an area 31 for instruction storage, and a controlling part 1 reads the device driver from the flash memory 5 by reading the control code and performing the control code and stores the device driver in the area 31 for instruction storage.例文帳に追加

ブート用ＲＯＭ２１は、ＮＡＮＤ型のフラッシュメモリ５に格納されているデバイスドライバを命令格納用領域３１に転送するための制御コードを格納し、制御部１は、当該制御コードを読み出して実行することにより、デバイスドライバをフラッシュメモリ５から読み出して命令格納用領域３１に格納する。 - 特許庁

The memory removing member 25 having plural brush bodies 27 and 28 is arranged in a device provided with the photoreceptor drum 21, a brush type electrifying roller 22 and the memory removing member as one unit, and the supporting body 26 of the member 25 is rotated when one brush body 27 can not normally act because it is soiled.例文帳に追加

感光体ドラム２１とブラシ状帯電ローラ２２およびメモリ除去部材を１つのユニットとして設けた装置に対して、複数のブラシ体２７、２８を有するメモリ除去部材２５を配置し、１つのブラシ体２７が汚れたりして、正常に作用できない時に、メモリ除去部材２５の支持体２６を回転させるようにする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory device and a method of programming the same, in which program time can be decreased by determining the propriety of program fail through a verification line, without adding a circuit to a page buffer of a nonvolatile memory element, and at the same time, by executing a cache program and intelligence-type verification.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子のページバッファーに回路を追加せずに検証ラインを介してプログラムフェイルの可否を判断し、知能型検証を遂行させることによってキャッシュプログラムと知能型検証を同時に遂行するようにしてプログラム時間を減らすことができる不揮発性メモリ素子及びプログラム方法を提供する。 - 特許庁

A syntax element conversion part 15 retrieves a tag name memory 11 and an attribute name memory 12 based on a tag name and an attribute name and converts the tag name and the attribute name into an abbreviated tag name and an abbreviated attribute name and an output part 16 combines converted syntax elements and outputs the combined result as an abbreviated document type definition matching document 3.例文帳に追加

構文要素変換部１５は、構文要素におけるタグ名、属性名により、タグ名メモリ１１，属性名メモリ１２を検索し、タグ名、属性名を短縮タグ名、短縮属性名に変換し、出力部１６は変換した構文要素を結合し短縮文書型定義整合文書３として出力する。 - 特許庁

An apparatus configuration management section 8 extracts a parameter described in the profile data 4 of an apparatus connected to a network type that is a target of a memory assignment, and displays the extracted parameter together with a corresponding apparatus so that setting information for identifying a local memory of the apparatus is input for each parameter.例文帳に追加

機器構成管理部８は、メモリ割付けの対象となるネットワーク種別を接続先とする機器のプロファイルデータ４に記述されているパラメータを抽出し、抽出したパラメータを、対応する機器とともに表示し、各パラメータに対して、機器のローカルメモリを特定するための設定情報を入力する。 - 特許庁

The control circuit 105 then reads the telephone number of the company and an extension telephone number from the memory (1)106 and a memory (2)107, transmits the read telephone number of the company and extension telephone number according to a scheme that is determined in accordance with the identified type of the exchange, and connects a line with the communicating party.例文帳に追加

そして、制御回路１０５は、メモリ（１）１０６およびメモリ（２）１０７からそれぞれ会社の電話番号および内線電話番号を読出し、その読出した会社の電話番号および内線電話番号を識別した交換機の種類に応じて決定される方式によって送信し、通話相手と回線を接続する。 - 特許庁

If the white blemish correction information is recorded in a flash memory 20d and the temperature of a CCD type image pickup element 13 is not less than a predetermined value, a control unit 20 uses the data of a pixels for correction to correct the data of pixels of the white blemish in an RAW system image data written into a buffer memory 16.例文帳に追加

フラッシュメモリ２０ｄに白キズ補正情報が記録されており、且つＣＣＤ型撮像素子１３の温度が所定値以上である場合、制御部２０は、バッファメモリ１６に書き込まれたＲＡＷ形式の画像データ中の白キズにかかる画素のデータを補正用画素のデータを用いて補正する。 - 特許庁

The recording or reproducing apparatus is characterized in that it is provided with a means for changing a bind apparatus, by recording information to be a security key in the reserve volume in a standard of the memory card, and automatically retrieving and setting it in the new apparatus, when changing apparatuses in regard to apparatus bind type security data stored in a memory card.例文帳に追加

メモリカードに記憶する機器バインド型セキュリティデータにおいて、機器を変更する場合に、メモリカードの規格上リザーブ領域にセキュリティのキーとなる情報を記録し、新しい機器で自動的に取り出し設定することによって、バインドする機器を変更する手段を備えることを特徴とする記録再生装置。 - 特許庁

In the batch processing mode, when the number of a type of coins stored in the plurality of temporary storage units reaches a designated number by identification based on memory of a number in the return box memory unit, and coin identification by an identification unit, all the coins in the plurality of the temporary storage units are stored in the plurality of the return boxes 18.例文帳に追加

バッチ処理モード時に、返却箱枚数記憶部の記憶と識別部での硬貨の識別とに基づく判断で複数の一時保留部に収納するいずれかの種類の硬貨が指定枚数に達したら、複数の一時保留部の全ての硬貨を複数の返却箱18へ収納させる。 - 特許庁

The integrated circuit includes a memory device DM of an irreversibly electrically programmable type provided with at least a memory cell CEL having a dielectric zone C disposed between a first electrode EC1 and a second electrode EC2 electrically coupled to an access circuit including at least one access transistor TR.例文帳に追加

第１の電極ＥＣ１と、少なくとも１つのアクセス・トランジスタＴＲを含むアクセス回路に電気的に結合された第２の電極ＥＣ２との間に配置された誘電体領域Ｃを備える少なくとも１つのメモリ・セルＣＥＬを有する、不可逆的に電気的にプログラマブルなタイプのメモリ素子ＤＭを備える。 - 特許庁

In the look-ahead control method for memory data for one selected bus master in a system 10 where a plurality of bus masters (12, 13 and 14) are connected to a memory 17, whether to perform look-ahead control is judged based on a signal for discriminating the selected bus master and a signal for discriminating a transfer type.例文帳に追加

複数のバスマスタ（１２，１３，１４）とメモリ１７が接続されたシステム１０に於ける選択された一つのバスマスタに対するメモリデータの先読み制御方法であって、当該選択されたバスマスタを判別する信号と、転送タイプを判別する信号とに基づいて先読み制御を行うか否かを判定するようにしている。 - 特許庁

Fingerprint information acquired from a fingerprint sensor 101 is temporarily stored in a memory 104, the fingerprint information stored in the memory 104 is transferred to the card slot 107 when the card type fingerprint authenticating device 100 is inserted into the card slot 107, and a collating part 110 performs collation processing.例文帳に追加

指紋センサ１０１から取得された指紋情報を一時的にメモリ１０４に格納し、カード型の指紋認証装置１００がカードスロット１０７に挿入された時点で、メモリ１０４に格納された指紋情報がカードスロット１０７に転送され、照合部１１０において照合処理が実施されるように構成する。 - 特許庁

The memory card 300 is a detachable memory card, and has: a first-in first-out type buffer area 313 temporarily storing all or a part of the encryption content 211 recorded in the hard disk 200 when reproducing the encryption content; and an area 312 managing the content temporarily stored in the buffer area 313 as a file.例文帳に追加

また、メモリカード３００は、着脱可能なものであり、暗号化コンテンツ再生時にハードディスク２００に記録されている暗号化コンテンツ２１１の全部または一部を一時記憶する、先入れ先出し型のバッファ領域３１３と、バッファ領域３１３に一時記憶されるコンテンツをファイルとして管理する領域３１２とを備える。 - 特許庁

A control circuit C of the auger type ice machine 1 is provided with a first memory C1 used for setting a control voltage threshold value for controlling the geared motor 2 and memorizing designated voltage value at two points; and a first calculation means C2 for calculating the control voltage threshold value based on the designated voltage value memorized in the first memory C1.例文帳に追加

前記オーガ式製氷機１の制御回路Ｃは、ギヤードモータ２を制御する制御用電圧閾値を設定するために用いる、２点の指定電圧値を記憶する第１のメモリＣ１と、第１のメモリＣ１に記憶された指定電圧値に基づいて制御用電圧閾値を計算する第１の計算手段Ｃ２と備える。 - 特許庁

Fixed data can be stored previously in a non-volatile region by constituting arbitrarily the number of transistors of a floating gate type for one bit by the number of contacts, the memory array can be also used for a mask ROM storing the loader program or the like, then the non-volatile memory array in which the chip area is reduced can be realized.例文帳に追加

１ビットに対するフローティングゲート型トランジスタ数をコンタクト数により任意に構成することによって、あらかじめ不揮発性領域内に固定データを格納することができ、ローダプログラム等を格納したマスクＲＯＭに兼用することができてチップ面積を削減した不揮発性メモリアレイを実現することができる。 - 特許庁

The display controller is also provided with a determination part 215a determining the type of the input image signal based on a comparison result between the first value measured by the measurement part and the first values stored in the memory part and a comparison result between the second value inputted to the input part and the second values stored in the memory part.例文帳に追加

さらに該装置は、測定部により測定された第１の値とメモリ部に記憶された第１の値との比較結果、及び入力部に入力された第２の値とメモリ部に記憶された第２の値との比較結果に基づいて、入力映像信号の種類を判定する判定部２１５ａを有する。 - 特許庁

To provide a programming method of a flash memory cell by which read-out defect caused by over-program can be improved, a threshold voltage target can be set freely at the time of programming of a cell, and which can be used also as a programming method of a multi-level cell, and a programming method of a NAND type flash memory using this.例文帳に追加

オーバプログラムに起因する読出し欠陥を改善することができ、セルのプログラム時にしきい値電圧ターゲットを自由に設定することができ、マルチレベルセルのプログラム方法としても使用可能なフラッシュメモリセルのプログラム方法及びこれを用いたＮＡＮＤ型フラッシュメモリのプログラム方法を提供する。 - 特許庁

At an end in the row direction of a cell array of NAND cells in which selection gate transistors having a stacked gate structure are connected in series to a plurality of memory cell transistors having a stacked gate structure on a semiconductor substrate 30 of an NAND type flash memory, an STI region 20 is formed in the column direction, and dummy NAND cells are formed at an end portion in the row direction.例文帳に追加

NAND型フラッシュメモリの半導体基板30上に積層ゲート構造を有する複数のメモリセルトランジスタに直列に積層ゲート構造を有する選択ゲートトランジスタを接続したNANDセルのセルアレイの行方向端には列方向にSTI 領域20が形成され、行方向端部にダミー用NANDセルが形成されている。 - 特許庁

A memory card 100 having a NAND type flash memory connectable to a host device 200, which transmits/receives a signal to/from the host device 200 at a first voltage (3.3 V) or a second voltage (1.8 V), checks a signal voltage through handshake with the host device 200 when the signal voltage is switched.例文帳に追加

ホストデバイス２００に接続可能な、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリを有するメモリカード１００であって、ホストデバイス２００と第１の電圧（３．３Ｖ）または第２の電圧（１．８Ｖ）で信号の送受信が可能であり、信号電圧を切り替える際には、ホストデバイス２００とハンドシェイク処理により互いに信号電圧の確認を行う。 - 特許庁

This semiconductor storage device is characteristically provided with: a PC card type casing 10 having a card bus connector 13 for connecting it to the host device and having a thickness of 5 mm; four SD memory cards (R) 20 housed in the casing; and a control circuit 32 for controlling transmission and reception of a signal between the connector 13 and the respective SD memory cards (R).例文帳に追加

ホスト装置と接続するためのカードバスコネクタ１３を有するＰＣカード型の厚さ５ｍｍの筐体１０と、該筐体内に収納された４枚のＳＤメモリカード（Ｒ）２０と、カードバスコネクタ１３と各ＳＤメモリカード（Ｒ）との間の信号の送受信を制御する制御回路３２とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The charge trap type 3-level nonvolatile semiconductor memory and its driving method are provided with a memory array including a plurality of memory elements capable of storing data in at least two charge trap areas in a current moving direction, and a page buffer driven to map a set of first to third bit data in the threshold voltage groups of the two charge trap areas constituting a set.例文帳に追加

本発明の電荷トラップ型の３−レベル不揮発性半導体メモリ装置及びその駆動方法は、それぞれが電流の移動方向に沿って少なくとも二つの電荷トラップ領域にデータを記憶することができる複数のメモリ素子を持つメモリアレイと、一組の第１〜第３ビットのデータを、一組をなす二つの前記電荷トラップ領域のスレショルド電圧グループにマッピングするように駆動されるページバッファーとを備える。 - 特許庁

The data processing device comprises a central processor for transmitting a signal CCLK to a coprocessor if a coprocessor type instruction is decoded, the coprocessor for decoding the coprocessor type instruction upon receipt of the signal CCLK and the loop buffer for receiving instructions within a loop from a program memory and storing the instructions within the loop when the coprocessor decodes a loop operation from the coprocessor type instruction.例文帳に追加

データ処理装置は、もし、コプロセッサタイプ命令がデコーディングされれば、コプロセッサに信号ＣＣＬＫを伝達する中央処理装置と、信号ＣＣＬＫの受信によりコプロセッサタイプ命令をデコーディングするコプロセッサと、ループ内の命令をプログラムメモリから受け取り、コプロセッサがコプロセッサタイプ命令からループ動作をデコーディングする時に、ループ内の命令を貯蔵するループバッファと、を含む。 - 特許庁

The NMOS transistor non-volatile semiconductor memory includes: first and second n-type diffusion layers 21, 22 formed as a source and a drain in a p-type silicon layer 20; a gate electrode 50 formed on a channel region CNL between the first and second n-type diffusion layers 21, 22 via an insulating film 30; and the charge storage layer 40 formed in the insulating film 30.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタ型の不揮発性半導体メモリは、Ｐ型シリコン層２０中にソース／ドレインとして形成された第１及び第２Ｎ型拡散層２１，２２と、第１及び第２Ｎ型拡散層２１，２２に挟まれたチャネル領域ＣＮＬ上に絶縁膜３０を介して形成されたゲート電極５０と、その絶縁膜３０中に形成された電荷蓄積層４０とを備える。 - 特許庁