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modulation dopingの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9件
To provide a spatial modulation doping method capable of selectively carrying out spatial doping without the need for forming a mask.例文帳に追加
マスクを形成することなく空間的に選択的にドーピングを行うことができる空間変調ドーピング方法を提供する。 - 特許庁
In the manufacture of a semiconductor device, the automatic doping is inhibited for making clear the boundary of a doping region, thus manufacturing an electronic device, having single atom layer doping and modulation doping layers, and superior functions according exactly as designed.例文帳に追加
半導体装置の製造において、オートドーピングを抑制することによりドーピング領域の境界をクリアにすることができるので、単原子層ドーピングや変調ドーピング層を有する高機能電子デバイスが設計通りに製造できる。 - 特許庁
SPATIAL MODULATION DOPING METHOD, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF QUANTUM DEVICE例文帳に追加
空間変調ドーピング方法、半導体装置の製造方法および量子装置の製造方法 - 特許庁
To obtain a semiconductor laser having an active layer of multiple quantum well structure subjected to modulation doping in which emission efficiency and a modulation band are enhanced sufficiently.例文帳に追加
多重量子井戸構造の活性層に、変調ドープを行った半導体レーザにおいて、発光効率および変調帯域を十分向上させる。 - 特許庁
In the semiconductor laser, the barrier layer close to the p-clad layer is subjected to lighter p-type modulation doping than the barrier layer close to the n-clad layer.例文帳に追加
より具体的には、ｐ−クラッド層に近い位置の障壁層のｐ型変調ドープ量が、ｎ−クラッド層に近い位置の障壁層のｐ型変調ドープ量よりも少ない、半導体レーザを提供する。 - 特許庁
In the effective region of pixels in the depth direction from the surface of an N type semiconductor substrate, modulation doping is executed so that the concentration of N type dopants becomes lower as getting deeper from the surface side of the semiconductor substrate.例文帳に追加
Ｎ型半導体基板の表面からの深さ方向における画素の有効領域において、Ｎ型ドーパントの濃度が、半導体基板の表面側から深くなるほど低濃度となるように変調ドーピングを施す。 - 特許庁
The semiconductor laser has the active layer interposed between a p-clad layer and an n-clad layer wherein the active layer has multiple quantum wells including a plurality of barrier layers and well layers and at least one barrier layer is subjected to p-type modulation doping.例文帳に追加
ｐ−クラッド層とｎ−クラッド層との間に活性層が設けられ、活性層が、障壁層およびウェル層を複数有する多重量子井戸を有し、かつ、少なくとも１つの障壁層にｐ型変調ドープが施された半導体レーザを提供する。 - 特許庁
Forward voltage of a nitride semiconductor element can be lowered without sacrifice of the element characteristics by subjecting the well layer of an active layer having multiple quantum well structure or the single layer of a barrier wall layer to modulation doping with n-type impurities.例文帳に追加
多重量子井戸構造からなる活性層の井戸層又は障壁層の単一層中にｎ型不純物を変調ドープすることで素子特性を悪化させることなく順方向電圧を低減することが可能な窒化物半導体素子が得られる。 - 特許庁
In the barrier layer 4a, there are many acceptor levels generated in a position in contact with a boundary on the [001] orientation side of the well layer 4b and many donor levels generated in a position in contact with a boundary on the [00-1] orientation side of the well layer 4b to form a modulation doping structure.例文帳に追加
障壁層４ａ内で井戸層４ｂの［００１］方向側の界面と接する部分にアクセプタ準位が多く形成され、障壁層４ａ内で井戸層４ｂの［００-1］方向側の界面と接する部分にドナー準位が多く形成され、変調ドーピング構造となっている。 - 特許庁
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