「non active window」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The information processing apparatus includes a non-use start time acquisition unit 36 which, when a prescribed time passes after a working window becomes non-active, determines the application program to have switched to a non-use state and acquires the time when the working window is determined to be not active, as the start time of the non-use state.例文帳に追加

本発明に係る情報処理装置は、作業ウインドウが非アクティブになってから所定の時間が経過すると、アプリケーションプログラムが非使用状態に移行したと判定して作業ウインドウがアクティブでないと判定された時刻を非使用状態の開始時刻として取得する非使用開始時刻取得部３６を備える。 - 特許庁

The information processing apparatus includes a restart time acquisition unit 37 which, when the working window is active with the application program in the non-use state, determines the application program to have switched to a use state and acquires the time when the working window is determined to be active, as the use restart time.例文帳に追加

また、アプリケーションプログラムが非使用状態にある際に作業ウインドウがアクティブであると、アプリケーションプログラムが使用状態に移行したとして、作業ウインドウがアクティブであると判定された時刻を使用再開時刻として取得する再開時刻取得部３７を備える。 - 特許庁

To provide an edge non-injecting type window-structure semiconductor laser in which the diffusion of Zn from a p-type clad layer to an active layer can be suppressed, and a method for manufacturing the laser.例文帳に追加

ｐ型クラッド層から活性層へのＺｎ拡散を抑制することができる端面非注入型の窓構造半導体レーザ及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

By performing a heat treatment in an atmosphere containing oxygen, impurity atoms are selectively diffused from the ZnO film 8 to a region including an active region 4, thereby the bandgap of the active layer 4 is selectively expanded while keeping crystallinity, and an optical non-absorptive window region 14 is formed in a resonator end face part.例文帳に追加

そして、酸素を含む雰囲気中で熱処理を行うことにより、ＺｎＯ膜８から活性層４を含む領域に不純物原子を選択的に拡散させることにより、結晶性を保ったまま活性層４のバンドギャップを選択的に拡大し、共振器端面部に光学的非吸収窓領域１４を形成する。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 11 of n-GaAs, a lower side cladding layer 12 of n-AlGaInP, a non-doping active layer 13 having a window region, an intermediate cladding layer 14 of p-AlGaInP, an etching stop layer 15, and a stripe-like upper side cladding layer 16 of p-AlGaInP, are sequentially formed.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓからなる半導体基板１１の上に、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰからなる下側クラッド層１２と、窓領域を有するノンドープの活性層１３と、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰからなる中間クラッド層１４と、エッチングストップ層１５と、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰからなるストライプ状の上側クラッド層１６とが順次形成されている。 - 特許庁