「p- type semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The p-type semiconductor layer includes a first p-type layer to a fourth p-type layer.例文帳に追加

ｐ形半導体層は第１〜第４ｐ形層を含む。 - 特許庁

P-TYPE SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ｐ型半導体及び半導体デバイス - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting device comprises a p-type contact layer 28, a p-type intermediate layer 26 formed below the p-type contact layer 28, and a p-type clad layer 24 formed below the p-type intermediate layer.例文帳に追加

p型コンタクト層28と、p型コンタクト層28の下層に形成されたp型中間層26と、p型中間層の下層に形成されたp型クラッド層24とを備える。 - 特許庁

ELECTRODE FOR P-TYPE SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

ｐ型半導体層用電極 - 特許庁

A type P+ type embedded layer 2 is formed at a type P- type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ−型半導体基板１にＰ＋型埋め込み層２を形成する。 - 特許庁

P-TYPE SEMICONDUCTOR AND PHOTOELECTRIC ELEMENT例文帳に追加

ｐ型半導体及び光電素子 - 特許庁

A donor is contained in the first p-type organic semiconductor layer (5D); and an acceptor is contained in the second p-type organic semiconductor layer (5L).例文帳に追加

第２のｐ型有機半導体層(5L)にアクセプターを含ませる。 - 特許庁

P-TYPE SEMICONDUCTOR LAYER ACTIVATING METHOD例文帳に追加

ｐ型半導体層活性化方法 - 特許庁

The p-side electrode contacts the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ側電極はｐ形半導体層に接する。 - 特許庁

To prevent a p-type electrode material from being peeled off when Ag is used as the p-type electrode material for a p-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

p型窒化物半導体層にp型電極材料としてAgを用いる際に、p型電極材料の剥がれを防止すること。 - 特許庁

A p-type semiconductor is epitaxially grown and a trench is buried with the p-type semiconductor.例文帳に追加

ｐ型半導体をエピタキシャル成長させて、トレンチをｐ型半導体で埋める。 - 特許庁

It is desired that the p-type semiconductor layer includes an inorganic p-type semiconductor material.例文帳に追加

ｐ型半導体層は、無機ｐ型半導体材料を含むことが望ましい。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体の製造方法 - 特許庁

To convert a nitride semiconductor doped with p-type impurities into a low resistance p-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型不純物がドープされた窒化物半導体を低抵抗なｐ型とする。 - 特許庁

a junction transistor having an n-type semiconductor between a p-type semiconductor that serves as an emitter and a p-type semiconductor that serves as a collector 例文帳に追加

エミッタとして用いられるP型半導体と集電装置として機能するP型半導体の間のN型半導体を備える接合トランジスタ - 日本語WordNet

P-TYPE SEMICONDUCTOR DISPERSING ELEMENT, P-TYPE SEMICONDUCTOR LAYER, PN JUNCTION, AND ENERGY CONVERTER例文帳に追加

Ｐ型半導体分散体、Ｐ型半導体層、ＰＮ接合体及びエネルギー変換体 - 特許庁

METHOD FOR GROWING P-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体の成長方法 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 7 is formed into a p-type semiconductor having a first concentration.例文帳に追加

ｐ型半導体層７は、第１の濃度を有するｐ型半導体に形成されている。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

ｐ型半導体の製造方法及び半導体素子 - 特許庁

The rectifying element is the p-i-n diode comprising a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, and an intrinsic semiconductor layer between them.例文帳に追加

整流素子は、p型半導体層、n型半導体層及びこれらの間の真性半導体層から構成されるp-i-nダイオードである。 - 特許庁

Next, a type P- type epitaxial layer 3 is formed at the type P- type semiconductor substrate 1 and a type P+ type embedded contact layer 5 is formed in the type P- type epitaxial layer 3.例文帳に追加

次にＰ−型半導体基板１上にＰ−型エピタキシャル層３を形成し、該Ｐ−型エピタキシャル層３内にＰ＋型埋め込みコンタクト層５を形成する。 - 特許庁

The semiconductor layer is composed of an n-type GaN layer (n-type semiconductor layer) 22 and a p-type GaN layer (p-type semiconductor layer) 23.例文帳に追加

この半導体層は、ｎ型ＧａＮ層（ｎ型半導体層）２２と、ｐ型ＧａＮ層（ｐ型半導体層）２３とからなる。 - 特許庁

The molar ratio of titanium oxide and the P-type semiconductor is, for example, 99:1-50:50 and, as the P-type semiconductor, for example, there is an oxide semiconductor, or a compd. semiconductor.例文帳に追加

酸化チタンとp型半導体のモル比は、例えば、99:1〜50:50の範囲であり、p型半導体は、例えば、酸化物半導体または化合物半導体である。 - 特許庁

A P-type diffusion layer 13 is also formed on the P-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１にＰ型拡散層１３も形成されている。 - 特許庁

A p-type electrode 230 is provided above the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型半導体層の上方にｐ型電極２３０が設けられている。 - 特許庁

The light-emitting layer is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

発光層は、ｎ型、ｐ型半導体層の間に設けられる。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer includes a nitride semiconductor layer.例文帳に追加

前記ｐ側半導体層は、窒化物半導体層を含む。 - 特許庁

There are laminated on a p-type substrate 1 a p-type semiconductor layer 24, an n-type semiconductor layer 23, a p-type semiconductor layer 22, and an n-type semiconductor layer 21 to form a PNPN structure.例文帳に追加

ｐ型基板１上に、ｐ型半導体層２４，ｎ型半導体層２３，ｐ型半導体層２２，ｎ型半導体層２１が積層され、ＰＮＰＮ構造を形成している。 - 特許庁

To improve carrier concentration of a p-type semiconductor layer much more than a conventional case and to promote p-type activation of the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型半導体層のキャリヤー濃度を従来よりも高めて、ｐ型半導体層のｐ型活性化を促進させること。 - 特許庁

To provide a method for making a p-type semiconductor out of a group III nitride compound semiconductor and an element having the p-type region.例文帳に追加

III 族窒化物系化合物半導体のｐ型化とｐ型領域を有する素子の形成 - 特許庁

On the main surface of a p-type SiC semiconductor substrate 101, a p-type SiC semiconductor layer 102 is formed.例文帳に追加

ｐ型SiC半導体基板１０１の主面上にｐ型SiC半導体層１０２が形成される。 - 特許庁

ULTRAVIOLET-EMITTING DEVICE USING P-TYPE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型半導体を用いた紫外発光素子 - 特許庁

In the p-type semiconductor layer 5, a p-type electronic barrier layer 21, a p-type guiding layer 22, a p-type ultra-lattice clad layer 23 and a p-type contact layer 24 are successively laminated.例文帳に追加

ｐ型半導体層５は、ｐ型電子バリア層２１、ｐ型ガイド層２２、ｐ型超格子クラッド層２３、ｐ型コンタクト層２４が順次積層されている。 - 特許庁

P-TYPE SEMICONDUCTOR MATERIAL, SEMICONDUCTOR ELEMENT, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD OF P-TYPE SEMICONDUCTOR MATERIAL例文帳に追加

ｐ型半導体材料、半導体素子、有機エレクトロルミネッセンス素子、及びｐ型半導体材料の製造方法 - 特許庁

A semiconductor device has a p-type semiconductor region 24 of gallium nitride containing Mg (p-type impurity), an n-type semiconductor region 20 of gallium nitride on the under side of the region 24, and an impurity diffusion suppression region 22 provided between the p-type semiconductor region 24 and the n-type semiconductor region 20.例文帳に追加

Mg（p型不純物）を含む窒化ガリウムのp型半導体領域２４と、窒化ガリウムのn型半導体下領域２０と、p型半導体領域２４とn型半導体下領域２０との間に設けられている不純物拡散抑制領域２２を備えている。 - 特許庁

Then the trench is buried with a p-type semiconductor 25.例文帳に追加

次いで、トレンチをｐ型半導体２５で埋める。 - 特許庁

P-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体及びその製造方法 - 特許庁

To provide a method for epitaxially growing a p-type compound semiconductor thin film.例文帳に追加

pタイプ化合物半導体薄膜の結晶成長させる方法。 - 特許庁

To provide a p-type wide gap semiconductor having a new structure.例文帳に追加

新規な構成を有するp型ワイドギャップ半導体を提供する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING LOW-RESISTANCE P-TYPE SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

低抵抗ｐ型半導体の製造方法及び半導体素子 - 特許庁

The upper barrier layer is composed of a p-type boron phosphide (BP)-based semiconductor, especially an amorphous boron phosphide-based semiconductor.例文帳に追加

特に非晶質のリン化硼素系半導体とする。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 12 includes a p-type guide layer 16, a p-type AlGaN electron blocking layer 17 and a p-type AlGaN clad layer 18.例文帳に追加

ｐ型半導体層１２は、ｐ型ガイド層１６、ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１７およびｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８を含む。 - 特許庁

Magnesium is added to the p-type GaN-based semiconductor layer 17 as a p-type dopant, and the p-type GaN-based semiconductor layer 17 contains carbon as a p-type dopant.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ系半導体層１７にはｐ型ドーパントしてマグネシウムが添加されており、ｐ型ＧａＮ系半導体層１７はｐ型ドーパントとして炭素を含む。 - 特許庁

To convert a nitride semiconductor where a p-type impurity is doped into a low-resistance p-type.例文帳に追加

ｐ型不純物がドープされた窒化物半導体を低抵抗なｐ型とする。 - 特許庁

The p-type nitride semiconductor layer is preferably composed of p-type gallium nitride (GaN).例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体層がｐ型ガリウムナイトライド（ＧａＮ）であることが望ましい。 - 特許庁