「p---type」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

CONTINUOUS CONTROL TYPE ATS-P DEVICE例文帳に追加

連続制御式ＡＴＳ−Ｐ装置 - 特許庁

A buried layer is formed by selective growth, and the structure of a p-type clad layer has an inverse trapezoidal shape, so that the resistance of the p-type clad layer and the resistance of the p-type contact layer can be reduced.例文帳に追加

埋め込み層を選択成長により形成し、p型クラッド層の構造を逆台形状とすることにより、p型クラッド層の抵抗、p型コンタクト層の抵抗を低減する。 - 特許庁

Then, an n-type GaN layer (third layer) and a p-type GaN layer (fourth layer) are further formed on the p-type GaN layer (second layer) without conducting p-type annealing to the p-type GaN layer (second layer) a p-type region.例文帳に追加

次いで、このｐ型ＧａＮ層（第２層）に対してｐ型化アニール処理をせずに、ｐ型ＧａＮ層（第２層）の上に、さらにｎ型ＧａＮ層（第３層）およびｐ型ＧａＮ層（第４層）が形成される。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer 12 includes: a p-type AlGaN electron block layer 16; a p-type GaN guide layer 17; a p-type AlGaN clad layer 18; and a p-type AlInGaN contact layer 19.例文帳に追加

ｐ型半導体層１２は、ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１６、ｐ型ＧａＮガイド層１７、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１８およびｐ型ＡｌＩｎＧａＮコンタクト層１９を有している。 - 特許庁

To provide a p-type MgZnO-based thin film which functions as a (p) type, and a semiconductor light-emitting element comprising the p-type MgZnO-based thin film.例文帳に追加

ｐ型として機能するｐ型ＭｇＺｎＯ系薄膜及びそれを含む半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

A p-type ZnO layer is formed on the surface of the p-type ZnMgO layer (f).例文帳に追加

（ｆ）ｐ型ＺｎＭｇＯ層表面上に、ｐ型ＺｎＯ層を形成する。 - 特許庁

P-type electrode materials are formed on the top face of the p-type contact layer 1.例文帳に追加

Ｐ型コンタクト層１の上面にＰ型電極材料が設けられている。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD FOR P-TYPE SILICON CARBIDE LAYER例文帳に追加

ｐ型シリコンカーバイド層の製造方法 - 特許庁

A p-type contact layer 111 is formed on the p-type cladding layer 110.例文帳に追加

ｐ型コンタクト層１１１はｐ型クラッド層１１０の上方に形成される。 - 特許庁

P-TYPE SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

ｐ型半導体及び半導体デバイス - 特許庁

The impurity concentration of the P-type region 7a is higher than that of the P-type well 2, and that of the P-type region 4 is higher than it.例文帳に追加

Ｐ型領域７ａはＰ型ウェル２より不純物濃度が高く、Ｐ型領域４はそれよりも更に高い。 - 特許庁

In this case, an n-type deep region may be interposed between a p-type partition region and a p-type well region.例文帳に追加

また、ｐ仕切り領域とｐウェル領域との間にｎ深部領域を挟んでも良い。 - 特許庁

The p-type semiconductor layer is provided between the p-side contact layer and the light-emitting layer and includes a p-type layer with a p-type impurity concentration lower than that of the p-type contact layer.例文帳に追加

ｐ形半導体層は、ｐ側コンタクト層と発光層との間に設けられ、ｐ形不純物濃度がｐ形コンタクト層のｐ形不純物濃度よりも低いｐ形層を含む。 - 特許庁

a junction transistor having an n-type semiconductor between a p-type semiconductor that serves as an emitter and a p-type semiconductor that serves as a collector 例文帳に追加

エミッタとして用いられるP型半導体と集電装置として機能するP型半導体の間のN型半導体を備える接合トランジスタ - 日本語WordNet

The silicon substrate 40 has a first conductive type (p-type).例文帳に追加

シリコン基板４０は、第１導電型（ｐ型）を有する。 - 特許庁

A thyristor type VCSEL 2 having an N-P-N-P structure has a structure in which a tyristor having the N-P-N-P structure is held by N-type and P-type Bragg reflectors (DBR) 26, 28.例文帳に追加

ｎｐｎｐ構造のサイリスタ型ＶＣＳＥＬ２０は、ｎｐｎｐ構造のサイリスタをｎ型およびｐ型のブラッグ反射器（ＤＢＲ）２６，２８で挟んだ構造のものである。 - 特許庁

A first p type polycrystal silicon film, a tunnel oxide film and a second p type polycrystalline silicon film are sequentially laminated on a gate region.例文帳に追加

ゲート領域には第一のp型多結晶シリコン膜／トンネル酸化膜／第二のp型多結晶シリコン膜の順に積層されている。 - 特許庁

An n-type buffer layer, an n-type first clad layer, an active layer, a p-type first second clad layer, a p-type etch stop layer, a p-type second second clad layer, and a p-type contact layer are laminated on an n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型半導体基板上にｎ型バッファ層，ｎ型第１クラッド層，活性層，ｐ型の第１の第２クラッド層，ｐ型エッチストップ層，ｐ型の第２の第２クラッド層，ｐ型コンタクト層が積層されている。 - 特許庁

An n-type buffer layer, an n-type first clad layer, an active layer, a p-type first second-clad layer, a p-type etch stop layer, a p-type second second-clad layer, and a p-type contact layer, are laminated on an n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型半導体基板上にｎ型バッファ層，ｎ型第１クラッド層，活性層，ｐ型の第１の第２クラッド層，ｐ型エッチストップ層，ｐ型の第２の第２クラッド層，ｐ型コンタクト層が積層されている。 - 特許庁

OHMIC CONTACT STRUCTURE ON P-TYPE GaN例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ上のオーム接触構造 - 特許庁

REGISTER FILE CIRCUIT WITH P-TYPE EVALUATION例文帳に追加

Ｐ型評価を有するレジスタ・ファイル回路 - 特許庁

In the p-type clad layer 25 or p-type buried region 13, the concentration of the p-type dopant of the second part is lower than the concentration of the p-type dopant of the first part.例文帳に追加

ｐ型クラッド層２５及びｐ型埋め込み領域１３の一方において、第２部分のｐ型ドーパントの濃度が第１部分のｐ型ドーパントの濃度より低い。 - 特許庁

Furthermore, the p-type dopant concentration of a p-type Al_ZGa_1-ZN layer 21 is prescribed, independently of the p-type dopant concentration N_P19 of a p-type AL_YGA_1-YN layer 19.例文帳に追加

また、ｐ型Ａｌ_ＺＧａ_１−ＺＮ層２１のｐ型ドーパント濃度がｐ型Ａｌ_ＹＧａ_１−ＹＮ層１９のｐ型ドーパント濃度Ｎ_Ｐ１９はと独立して規定される。 - 特許庁

Magnesium is added to the p-type GaN-based semiconductor layer 17 as a p-type dopant, and the p-type GaN-based semiconductor layer 17 contains carbon as a p-type dopant.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ系半導体層１７にはｐ型ドーパントしてマグネシウムが添加されており、ｐ型ＧａＮ系半導体層１７はｐ型ドーパントとして炭素を含む。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING P-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体の製造方法 - 特許庁

The second layer includes p-type AlGaN.例文帳に追加

第２層は、ｐ形ＡｌＧａＮを含む。 - 特許庁

FORMATION OF LOW-RESISTIVITY P-TYPE GALLIUM NITRIDE例文帳に追加

低抵抗率Ｐ型窒化ガリウムの形成 - 特許庁

P-TYPE MATERIAL MIXTURE FOR ELECTRONIC DEVICE例文帳に追加

電子デバイス用ｐ型材料混合物 - 特許庁

To convert a nitride semiconductor where a p-type impurity is doped into a low-resistance p-type.例文帳に追加

ｐ型不純物がドープされた窒化物半導体を低抵抗なｐ型とする。 - 特許庁

To enlarge the range of P type diffuse conditions in a P^+ type buried diffusion layer.例文帳に追加

Ｐ＋型埋め込み拡散層におけるＰ型拡散条件の範囲を拡大する。 - 特許庁

A P-type impurity region 13b is formed simultaneously with a P-type well 13.例文帳に追加

まず、Ｐ型不純物領域１３ｂを、Ｐ型ウェル１３と同時に形成する。 - 特許庁

A p-type semiconductor is epitaxially grown and a trench is buried with the p-type semiconductor.例文帳に追加

ｐ型半導体をエピタキシャル成長させて、トレンチをｐ型半導体で埋める。 - 特許庁

To expand the range of P-type diffusion condition in a P^+-type embedded diffusion layer.例文帳に追加

Ｐ^+型埋め込み拡散層におけるＰ型拡散条件の範囲を拡大する。 - 特許庁

An integrated circuit structure includes: an n-type fin field effect transistor (FinFET) and a p-type FinFET.例文帳に追加

集積回路構造は、n型フィン電界効果トランジスタ（fin field effect transistor、FinFET)とp型FinFETからなる。 - 特許庁

It is desired that the p-type semiconductor layer includes an inorganic p-type semiconductor material.例文帳に追加

ｐ型半導体層は、無機ｐ型半導体材料を含むことが望ましい。 - 特許庁

The p-type nitride semiconductor layer is preferably composed of p-type gallium nitride (GaN).例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体層がｐ型ガリウムナイトライド（ＧａＮ）であることが望ましい。 - 特許庁

To convert a nitride semiconductor doped with p-type impurities into a low resistance p-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型不純物がドープされた窒化物半導体を低抵抗なｐ型とする。 - 特許庁

The p-type NiO_x film 8a is formed to make up a p-type semiconductor.例文帳に追加

ｐ−ＮｉＯ_ｘ膜８ａは、ｐ型半導体になるように形成されている。 - 特許庁

A P-type low-concentration anode region 12 is formed on a P-type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

Ｐ型の低濃度アノード領域１２は、Ｐ型半導体基板２に形成される。 - 特許庁

it is a type of multidrug resistance inhibitor and a type of p-glycoprotein antagonist. 例文帳に追加

多剤耐性阻害薬の一種であり、p糖蛋白拮抗薬の一種でもある。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

xr9576 is a type of multidrug resistance inhibitor and a type of p-glycoprotein antagonist. 例文帳に追加

xr9576は多剤耐性阻害薬の一種であり、p糖蛋白拮抗薬の一種でもある。 - PDQ®がん用語辞書 英語版

The P-type second low-concentration diffusion region 9 has a lower P-type impurity concentration than the P-type low-concentration diffusion region 7.例文帳に追加

Ｐ型第２低濃度拡散領域９はＰ型低濃度拡散領域７よりも薄いＰ型不純物濃度をもつ。 - 特許庁

The ridge 12 includes a stack of a second p-type cladding layer 9, a p-type band-discontinuity relaxation layer 10, and a p-type cap layer 11.例文帳に追加

リッジ１２は第２のｐ型クラッド層９、ｐ型バンド不連続緩和層１０、ｐ型キャップ層１１が積層されている。 - 特許庁

The p-type cap layer 11 includes an alternate stack of m+1 p-type GaAs layers and m p-type GaInP layers.例文帳に追加

ｐ型キャップ層１１はｍ＋１層のｐ型ＧａＡｓ層とｍ層のｐ型ＧａＩｎＰ層とが交互に積層されている。 - 特許庁

To improve carrier concentration of a p-type semiconductor layer much more than a conventional case and to promote p-type activation of the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ型半導体層のキャリヤー濃度を従来よりも高めて、ｐ型半導体層のｐ型活性化を促進させること。 - 特許庁