「polycide structure」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A cell plate, having a polycide structure composed of a polycrystalline Si film and a WSiX film, is formed on an Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に多結晶Ｓｉ膜とＷＳｉ_x 膜とのポリサイド構造を有するセルプレート１５を形成する。 - 特許庁

To provide a technology for applying a nitride film spacer SAC structure to a polycide structure, making a memory cell of a DRAM fine and obtaining high integration.例文帳に追加

ポリサイド構造に窒化膜スペーサＳＡＣ構造を適用でき、ＤＲＡＭのメモリセルの微細化を進め、高集積化を実現できる技術を提供する。 - 特許庁

The gate electrode of a metal oxide field effect transistor for driving a heating element is formed of a polycide structure or a metal gate structure.例文帳に追加

本発明は、発熱素子を駆動する金属酸化物電界効果型トランジスタのゲート電極をポリサイド構造又はメタルゲート構造により形成する。 - 特許庁

To realize a polycide gate structure, while eliminating the phenomenon of increase in the film thickness of a gate oxide film or the deterioration of electrical characteristics.例文帳に追加

ポリサイドゲート構造を有しながら、ゲート酸化膜の膜厚増大現象や、電気特性の劣化のない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Further, an upper electrode of a polycide structure is formed to form the capacitive element together with the polysilicon resistor 6 and a capacitive insulating film 10.例文帳に追加

さらにポリサイド構造の上部電極が形成されており、多結晶シリコン抵抗体６、容量絶縁膜１０とともに容量素子を形成している。 - 特許庁

In the power management semiconductor device or the analog semiconductor device including a CMOS, both gate electrodes of an NMOS and a PMOS in a CMOS are formed of a polycide structure which is a laminated structure of a P-type polysilicon and a high melting point metal silicide, and an insulation film is formed on the polycide structured-gate electrode.例文帳に追加

ＣＭＯＳを含むパワーマネージメント半導体装置やアナログ半導体装置において、ＣＭＯＳのゲート電極をＮＭＯＳ、ＰＭＯＳともにP型多結晶シリコンと高融点金属シリサイドの積層構造であるポリサイド構造とし、前記ポリサイド構造のゲート電極上に絶縁膜を形成する。 - 特許庁

As a result, a gate electrode 21 having a polycide structure is formed of the polysilicon film 211 and the silicide film 212, and the side face of the polysilicon film 211 is coated with the silicon nitride film.例文帳に追加

この結果、ポリシリコン膜２１１及びシリサイド膜２１２がポリサイド構造をもつゲート電極２１を形成し、ポリシリコン膜２１１の側面等はシリコン窒化膜で被覆される。 - 特許庁

To restrain the interdiffusion of dopant in gate electrodes near the border of an n-channel MISFET and a p-channel MISFET which adopt polycide-dual gate structure.例文帳に追加

ポリサイド−デュアルゲート構造を採用するｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴとｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴの境界付近におけるゲート電極中の不純物の相互拡散を抑制する。 - 特許庁

To reduce the resistance value of an electrode constituted of, for example, in a laminated structure of polycrystalline silicon and a metal or with a metal silicide a polycide by removing a high-resistance layer such as the natural oxide film.例文帳に追加

多結晶シリコンと金属または金属シリサイドとの積層構造、たとえばポリサイドからなる電極において、自然酸化膜のような高抵抗層を除去し、電極の抵抗値の低減を図ること。 - 特許庁

A gate insulation film 13 is formed on the channel region 12 of a first conductivity (P type or N type) semiconductor layer 11, and a gate electrode 14 of polycide structure including a silicide layer 19 is formed on the gate insulation film 13.例文帳に追加

第１導電型（Ｐ型またはＮ型）の半導体層１１のチャネル領域１２上にゲート絶縁膜１３及びこのゲート絶縁膜１３上にシリサイド層１９を含むポリサイド構造のゲート電極１４が構成されている。 - 特許庁

The polysilicon film 211 and the exposed gate insulating film 31 are coated with a silicon nitride film, and an opening for forming a polycide structure is formed in the silicon nitride film, and a high melting point metal such as titanium is accumulated, and the high melting point metal is made to react with the polysilicon film 211 so that a silicide film 212 can be formed.例文帳に追加

前記ポリシリコン膜２１１、露出しているゲート絶縁膜３１がシリコン窒化膜で被覆され、シリコン窒化膜にポリサイド構造形成用の開口が設けられた上、チタン等の高融点金属が堆積され、高融点金属がポリシリコン膜２１１と反応してシリサイド膜２１２が形成される。 - 特許庁