「polytype」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The polytype of the obtained silicon carbide single crystal is 3C, 4H or 6H.例文帳に追加

得られる炭化珪素単結晶のポリタイプは３Ｃ、４Ｈ又は６Ｈである。 - 特許庁

To produce a silicon carbide single crystal formed of 6H polytype only.例文帳に追加

６Ｈ型の結晶多形単一で形成される炭化ケイ素単結晶を製造する。 - 特許庁

To provide a polytype of an optimum combination for an SiC substrate and overgrown III-V group nitride.例文帳に追加

ＳｉＣ基板および過成長III-V族窒化物の双方に最適な組み合わせのポリタイプを提供する。 - 特許庁

To provide a SiC single crystal of a lower order polytype including a 2H-SiC crystal and provide a method for producing the same.例文帳に追加

２Ｈ−ＳｉＣ結晶を含む下位ポリタイプの単結晶ＳｉＣ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes a 4H polytype SiC substrate 10, and an electrode 6 formed on the surface of the substrate 10.例文帳に追加

半導体装置１００は、４Ｈ構造の炭化珪素基板１０と、基板１０の表面に形成されている電極６を備えている。 - 特許庁

The crystal polytype of the silicon carbide single crystal substrate is 4H, its thickness is 0.05-0.4 mm, and its offset angle from plane {0001} is 1-12°.例文帳に追加

また、炭化珪素単結晶基板の結晶多形(ポリタイプ)は、4H型であり、その厚さを0.05mm以上0.4mm以下、｛0001｝面からのオフセット角度を1°以上12°以下とする。 - 特許庁

A 3C polytype layer 12, which extends obliquely relative to the surface of the substrate 10 and whose end face on the substrate surface side is in contact with the electrode 6, is formed on the surface layer of the substrate 10.例文帳に追加

基板１０の表層に、表面側の端面が電極６に接しているとともに、基板１０の表面に対して斜めに伸びている３Ｃ構造層１２が形成されている。 - 特許庁

Since the width of the passageway of the electrons is determined by the thickness of the 3C polytype layer 12, the electrons are able to reach the electrode at a speed close to the theoretical value, by virture of the quantum wire effect.例文帳に追加

３Ｃ構造層１２の厚みによって電子の通路の幅が規定されるので、量子細線効果によって電子は理論値に近い速度で電極に達することができる。 - 特許庁

The single crystal wafer of SiC has a diameter of at least about 100 mm, a micropipe density of less than about 25 cm^-2, and a polytype selected from a group consisting of 3C, 4H, 6H, 2H and 15R polytypes.例文帳に追加

少なくとも約１００ｍｍの直径と、約２５ｃｍ^−２未満のマイクロパイプ密度とを有し、また、３Ｃ、４Ｈ、６Ｈ、２Ｈおよび１５Ｒポリタイプからなる群から選択されるポリタイプを有するＳｉＣ単結晶ウェハ。 - 特許庁

This single crystal silicon carbide substrate 50 has a crystal structure of a polytype of 4H, has nitrogen atoms added thereto as a conductive type impurity at the atomic density exceeding 1×10^16/cm^3, and has a main surface involving a circle having a diameter of 5 cm.例文帳に追加

本発明の単結晶炭化珪素基板５０は、４Ｈのポリタイプの結晶構造を有し、１×１０^16個／ｃｍ^3を超える原子濃度で導電型不純物として添加された窒素原子を有し、直径５ｃｍの円を包含する主面を有する。 - 特許庁

An SiC single crystal with the same polytype as a substrate is epitaxially grown by introducing a raw material gas having an atom number ratio of carbon atoms to silicon atoms (C/Si ratio) of not less than 0.20 and less than 0.75 into the (0001) Si plane of a hexagonal system SiC single crystal substrate.例文帳に追加

六方晶系ＳｉＣ単結晶基板の（０００１）Ｓｉ面に、炭素原子とケイ素原子の原子数比（Ｃ／Ｓｉ比）が０．２０以上０．７５未満の原料ガスを導入することにより、基板と同じポリタイプのＳｉＣ単結晶をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

A high quality single crystal wafer of SiC having a polytype selected from a group composed of a 3C, 4H, 6H, 2H and 15R polytypes, a diameter of at least about 75 mm (3 inches) and the 1c screw dislocation density lower than about 2,000 cm^-2 is disclosed.例文帳に追加

３Ｃ、４Ｈ、６Ｈ、２Ｈ、および１５Ｒポリタイプからなる群から選択されるポリタイプであって、少なくとも７５ｍｍ（３インチ）の直径と、約２０００ｃｍ^−２未満の１ｃらせん転位密度とを有する高品質のＳｉＣ単結晶ウェハ。 - 特許庁

A polytype crystal can stably be grown by forming a flow passage for discharging a gas from the inside of a crucible to the outside of the crucible in a graphite crucible for producing the silicon carbide single crystal by the sublimation recrystallization method using the silicon carbide as the raw material.例文帳に追加

炭化珪素を原料として昇華再結晶法によって炭化珪素単結晶を製造するための黒鉛坩堝に、坩堝内部から坩堝外部へガスが抜ける流路を形成することで、ポリタイプの安定した結晶成長が得られるようにする。 - 特許庁

To provide the growth method that enables the growth of a high quality large SiC crystal which has no crystal defects causing defectiveness of device operation, such as micropipe or polytype inclusion within the crystal, and also, contains drastically reduced concentration of residual impurities greatly affecting electric characteristics of the crystal.例文帳に追加

デバイス動作不良の原因となるマイクロパイプ、ポリタイプの混在等の結晶欠陥が無く、結晶の電気的特性に大きく影響を与える残留不純物濃度も大幅に低減された高品質でかつ大型のＳｉＣ結晶を育成可能なＳｉＣ結晶の液相エピタキシャル成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicon carbide single crystal ingot suppressing degradation of crystal quality while securing polytype conversion of silicon carbide single crystal at a sufficient growing speed, and having a plurality of polytypes in the direction of crystal growing of a single crystal ingot, an epitaxial wafer obtained from the ingot, and a method of manufacturing the ingot.例文帳に追加

十分な成長速度での炭化珪素単結晶のポリタイプ変換を確保しつつ結晶品質劣化を抑制し、一つの単結晶インゴットの結晶成長方向に複数のポリタイプを有する炭化珪素単結晶インゴット、該インゴットからなるエピタキシャルウェハ、および該インゴットの製造方法を提供する。 - 特許庁