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sb bufferの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9件
A di,m outputted from a buffer 116 is subjected to Hadamard transformation by an Hadamard conversion section 117 and outputs an obtained correlation value to a correlation value storing section 118.例文帳に追加
アダマール変換部１１７は、バッファ１１６から出力されたｄ_i<SB>、</SB><SB>m</SB>にアダマール変換を行い、得られた相関値を相関値記憶部１１８に出力する。 - 特許庁
At the time of handover from sector Sa to sector Sb, a transmitting section 133a transmits the packet data stored in a receiving buffer 131a to a transfer buffer 134b.例文帳に追加
セクタＳａからセクタＳｂへのハンドオーバ時に、送出部１３３ａは、受信バッファ１３１ａに蓄積されたパケットデータを転送バッファ１３４ｂに送出する。 - 特許庁
Accordingly, a sense buffer SB in the segments SGM0 to SGM7 outputs readout data simultaneously to testing readout data bus pairs trdbox/z, trdb3x/z.例文帳に追加
これにより、選択状態のメモリバンク内の複数のセグメントを同時に選択して読み出しテストをすることができ、圧縮読み出しテストの効率を上げることができる。 - 特許庁
When a difference between a burst start (SB) pointer (or current position(CP) pointer) and a tape storage mechanism(TM) pointer shows that the SB pointer and CP pointer are under identifying the same storage area in a buffer memory and the buffer memory has sufficient storage area for receiving burst without damaging stored data, an interface control unit 12 enables the burst.例文帳に追加
バースト開始（ＳＢ）ポインタおよび現在位置（ＣＰ）ポインタがバッファメモリにおける同一記憶領域を識別中であって、すでに記憶されているデータを破損せずに、バーストを受信するための記憶領域がバッファメモリに十分あることをＳＢポインタ（またはＣＰポインタ）とテープ記憶メカニズム（ＴＭ）ポインタとの論理差が示している場合、インタフェース−コントロールユニット１２はバーストをイネーブルにする。 - 特許庁
In the process of forming a thin film having a different lattice constant on the substrate 1, the semiconductor containing Sb is first formed and a buffer layer to vary the lattice constant is formed as an overlay, which facilitates formation of a thin film having no crystal defect using the buffer layer that is thinner than a conventional layer.例文帳に追加
基板１上に格子定数の異なる薄膜を形成する際に、まずＳｂを含む半導体を形成し、その上層に格子定数を変化させるためのバッファ層を形成することで、従来に比べ薄いバッファ層で結晶欠陥のない薄膜形成が可能となる。 - 特許庁
The gray level error erws is outputted to the buffers MB, SB, where the gray level error erws is accumulated to the gray level error having so far been obtained, and an output of each buffer is being sifted to a next stage every time the target pixel is moved.例文帳に追加
この濃度誤差ｅｒｗｓを各バッファＭＢ，ＳＢに出力し、ここでそれまでに求めた濃度誤差と累積すると共に、着目画素が移動する度に、各バッファの出力を次段にシフトして行く。 - 特許庁
For example, in the case of introducing a GaSb layer with 0.24 to 1.52 ML thickness with a composition x (x=1) of antimony (Sb) to the GaAs buffer layer, the InAs quantum dots can be self-formed on the GaSb layer with a high uniformity with a dot density of 1.1×10^11cm^-2 or over.例文帳に追加
たとえば、アンチモン（Ｓｂ）の組成ｘをｘ＝１にして、０．２４〜１．５２ＭＬ厚のＧａＳｂ層を導入する場合は、ＧａＳｂ層上にＩｎＡｓ量子ドットを、１．１×１０^11ｃｍ^-2以上のドット密度で、高均一に自己形成できる。 - 特許庁
The laminate structure for thermoelectric conversion has a structure in which a substrate 10, a buffer layer 30 consisting of a Ti metal layer or a Ti alloy layer, an insulative coating layer 40 and a thermoelectric material layer 50 containing as effective components one or two elements selected from a first group of Bi and Sb and one or two elements selected from a second group of Te and Se are laminated in this order.例文帳に追加
基板１０と、Ｔｉ金属層若しくはＴｉ合金層からなる緩衝層３０と、絶縁性皮膜層４０と、Ｂｉ、Ｓｂの第１群から選ばれる１又は２の元素とＴｅ、Ｓｅの第２群から選ばれる１又は２の元素とを有効成分として含む熱電材料層５０とが、この順で積層されている熱電変換用積層構造である。 - 特許庁
The laminate structure for thermoelectric conversion has a structure in which a substrate 10, a buffer layer 20 formed by distributingly laminating a plurality of independent laminate portions 21 comprising Ti metal or Ti alloy, and a thermoelectric material layer 30 containing as effective components one or two elements selected from a first group of Bi and Sb and one or two elements selected from a second group of Te and Se are laminated in this order.例文帳に追加
基板１０と、Ｔｉ金属若しくはＴｉ合金からなる独立積層部２１を複数、相互に分散して積層形成してなる緩衝層２０と、Ｂｉ、Ｓｂの第１群から選ばれる１又は２の元素とＴｅ、Ｓｅの第２群から選ばれる１又は２の元素とを有効成分として含む熱電材料層３０とが、この順で積層されている熱電変換用積層構造である。 - 特許庁
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