| 例文 (16件) |
sog-3の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 16件
A substrate 3 is placed on the SOG solution layer 2, thereafter, a solvent of the SOG solution layer 2 is vaporized and, at the same time, the ladder-type crosslinking reaction is caused in the SOG solution layer 2 to solidify the SOG solution layer 2.例文帳に追加
該ＳＯＧ溶液層２の上に基板３を載置した後、該ＳＯＧ溶液層２の溶媒を気化させつつ該ＳＯＧ溶液層２内でラダー型の架橋反応を生じさせて該ＳＯＧ溶液層２を固化する。 - 特許庁
When SOG 8 is applied on the oxide film 7 by using centrifugal force, remaining SOG 8 collects in the recess part 7X, and SOG 8 is applied on the oxide film 7 on the fuse wiring 3 in uniform thickness.例文帳に追加
酸化膜７上に遠心力を利用してＳＯＧ８を塗布すると、余剰分のＳＯＧ８が凹部７Ｘに溜まり、ヒューズ配線３上の酸化膜７に均一な厚さでＳＯＧ８が塗布される。 - 特許庁
An SOG film 5 is formed on the surface of the first P-TEOS film 4 except directly above the titanic oxide film 3, and a second P-TEOS film 6 is formed on the titanic oxide film 3 and the SOG film 5.例文帳に追加
チタン酸化膜３の直上を除く第１のＰ−ＴＥＯＳ膜４の表面にＳＯＧ膜５を形成し、チタン酸化膜３上とＳＯＧ膜５上に第２のＰ−ＴＥＯＳ膜６を形成する。 - 特許庁
An organic SOG film 3 is formed on a silicon oxide film 2 and boron ions are implanted in the film 3.例文帳に追加
シリコン酸化膜２の上に有機ＳＯＧ膜３を形成し、有機ＳＯＧ膜３に対し、ホウ素イオンを注入する。 - 特許庁
This semiconductor device includes: lower-layer wires 3 formed on a semiconductor substrate 1; an inorganic SOG film 5a formed on the lower-layer wires 3 and between the lower-layer wires 3 and exhibiting compression stress by implanting ions of impurities therein; and upper-layer wires connected to the lower-layer wires through contact holes formed on an interlayer insulation film 7 including the inorganic SOG film 5a.例文帳に追加
本発明の半導体装置は、半導体基板１上に形成された下層配線３と、前記下層配線３上及び下層配線３間に形成され、不純物がイオン注入されることで圧縮応力を示す無機ＳＯＧ膜５ａと、前記無機ＳＯＧ膜５ａを含む層間絶縁膜７に形成されたコンタクトホールを介して前記下層配線に接続する上層配線とを具備することを特徴とする。 - 特許庁
A manufacturing method of a semiconductor device comprises the steps of: depositing an SiO_2 film 3 on a substrate 1 on which a wiring pattern 2 is formed; applying an SOG film 4 on the SiO_2 film 3; and by a chemical mechanical polishing method, polishing the SOG film 4 by using cerium oxide and slurry containing at least one or more kinds of cationic surfactants.例文帳に追加
配線パターン２が形成された基板１上にＳｉＯ_２膜３を堆積する堆積工程と，ＳｉＯ_２膜３上にＳＯＧ膜４を塗布する塗布工程と，ＳＯＧ膜４を酸化セリウムおよび少なくとも一種類以上のカチオン性界面活性剤を含むスラリーを用いて化学的機械的研磨法により研磨する研磨工程と，を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁
A thermally polymerized hydrocarbon film 3 of small relative dielectric constant is formed on the conductive layer 2, and a modified SOG film mask 5 comparatively small in relative dielectric constant is formed on the hydrocarbon film 3.例文帳に追加
導電層２の上には、比誘電率が小さい熱重合性炭化水素膜３が形成され、この炭化水素膜３の上には比誘電率が比較的小さい改質ＳＯＧ膜マスク５が形成されている。 - 特許庁
A groove pattern 4 is formed in the second insulating layer 3 consisting of a multi-layer film accumulated in sequence from a lower layer with an organic SOG film 3a and a TEOS oxide film 3b, and a barrier layer 6 is formed through the TEOS oxide film 5 formed on a wall of the groove pattern 4 to prevent the organic SOG film 3a from touching the barrier layer directly.例文帳に追加
有機ＳＯＧ膜３ａおよびＴＥＯＳ酸化膜３ｂが下層から順に堆積された積層膜によって構成される第２絶縁層３に溝パターン４が形成されており、この溝パターン４の側壁に設けられたＴＥＯＳ酸化膜５を介してバリア層６を形成することで、有機ＳＯＧ膜３ａとバリア層６とが直接接するのを防ぐ。 - 特許庁
The SOG layer 8 allows a part formed on the wiring 3 in the SiOC film 7 to be exposed and has a surface flush with that of the exposed SiOC film 7.例文帳に追加
ＳＯＧ層８は、ＳｉＯＣ膜７における配線３上に形成された部分を露出させ、その露出したＳｉＯＣ膜７の表面と面一をなす表面を有している。 - 特許庁
Of an TEOS/SOG/TEOS film 3 underlying the thin film resistor 4, a step 3c is formed between the surface of a region 3a underlying the resistor 4 and the surface of the surrounding region 3b of the region 3a.例文帳に追加
薄膜抵抗４の下のＴＥＯＳ／ＳＯＧ／ＴＥＯＳ膜３のうち、薄膜抵抗４の下側に位置する領域３ａの表面と、その周りの領域３ｂの表面との間に段差３ｃを形成する。 - 特許庁
Thereby, the SOG solution layer 2 is changed into a diffraction pattern layer 12 having a rugged surface complementary to the rugged surface of the mother mold 1 and a composite material 10 made by adhering the diffraction pattern layer 12 onto the substrate 3 is provided.例文帳に追加
これにより該ＳＯＧ溶液層２が該母型１の凹凸面と相補的な凹凸面を有する回折パターン層１２へと変化するとともに、該回折パターン層１２が該基板３に固着した複合体１０を得る。 - 特許庁
In this case, the resist 5 for KrF/ArF is first patterned, the SOG film 4 and the resist 3 for i-beam are dry-etched using the resist 5 for KrF/ArF as a mask, and the first insulating film 2 is dry-etched using the resist 3 as a mask.例文帳に追加
その際は、まずＫｒＦ／ＡｒＦ用レジスト５をパターニングし、それをマスクにしてＳＯＧ膜４、ｉ線用レジスト３をドライエッチングし、そのｉ線用レジスト３をマスクにして第１の絶縁膜２をウェットエッチングする。 - 特許庁
The thin film resistor 5 is formed on a thermal oxidation film 3 formed on a semiconductor substrate 1 and a BPSG/NSG multiplayer film 7, a plasma CVD film 9, an organic SOG film 11, a plasma CDV film 13 and a resist pattern 19 are formed on the entire surface of the semiconductor substrate (A).例文帳に追加
半導体基板１上に形成した熱酸化膜３上に薄膜抵抗体５を形成し、半導体基板１上全面にＢＰＳＧ／ＮＳＧ積層膜７、プラズマＣＶＤ膜９、有機ＳＯＧ膜１１、プラズマＣＶＤ膜１３、レジストパターン１９を形成する（Ａ）。 - 特許庁
After an intermediate metal 10 is formed on a 1st wire 2 and an inter-layer insulating film is formed of a 2nd insulating film 3, standing SOG and a 3rd insulating film 5, the film is flattened by CMP until the intermediate metal 10 is exposed, and a 2nd wire 11 is formed on the intermediate metal 10.例文帳に追加
第１の配線２上に中間メタル１０を形成し、第２の絶縁膜３、ＳＯＧ溜まり４および第３の絶縁膜５からなる層間絶縁膜を形成後、中間メタル１０が露出するまで、ＣＭＰにより平坦化を行い、中間メタル１０上に第２の配線１１を形成する。 - 特許庁
A first-layer wiring metal film 3 and an interlayer oxide film 4 are formed on a field oxide film 2, an organic material such as SOG, etc., is applied and then is etched back to flatten the surface of first inter-layer oxide film 4, and a second interlayer oxide film 5 is formed on the first-layer wiring metal film 3 and the first interlayer oxide film 4.例文帳に追加
フィールド酸化膜２上に第１層目の配線用金属膜３と第１層間酸化膜４を形成し、ＳＯＧ等の有機物を塗布し、エッチバックして、第１層間酸化膜４上を平坦化し、第１層目の配線用金属膜３上と第１層間酸化膜４上に第２層間酸化膜５を形成する。 - 特許庁
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