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tc3を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 13



例文

Chishinkan3 (TC3) 例文帳に追加

知真館3号館(TC3 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

When Tc6, Tc7, Tc2 and Tc3 each represent Curie temperatures of the 6th magnetic layer 21, the 7th magnetic layer 22, the 2nd magnetic layer and the 3rd magnetic layer, respectively; the following equations are satisfied: Tc2<Tc6<Tc3 and Tc2<Tc7<Tc3.例文帳に追加

第6磁性層21,第7磁性層22,第2磁性層,第3磁性層のキュリー温度をそれぞれTc6,Tc7,Tc2,Tc3としたとき、Tc2<Tc6<Tc3,Tc2<Tc7<Tc3なる関係が成立する。 - 特許庁

When the Curie temperatures of the 1st, 2nd and 3rd magnetic layers 1, 2, 3 are represented by Tc1, Tc2 and Tc3, respectively, the relation of Tc2<Tc1<Tc3 is established.例文帳に追加

第1磁性層1,第2磁性層2,第3磁性層3のキュリー温度をそれぞれTc1,Tc2,Tc3としたとき、Tc2<Tc1<Tc3なる関係が成立する。 - 特許庁

When Tc1, Tc2 and Tc3 each represent Curie temperatures of the first magnetic layer 1, the second magnetic layer and the third magnetic layer, respectively; the following equation is satisfied: Tc2<Tc1<Tc3.例文帳に追加

第1磁性層1,第2磁性層,第3磁性層のキュリー温度をそれぞれTc1,Tc2,Tc3としたとき、Tc2<Tc1<Tc3なる関係が成立する。 - 特許庁

例文

At this time, in order to balance the switching timing of each IGBT chip, mutual magnetic connection is preferable by cores Tc1, Tc2, Tc3, and Tc4.例文帳に追加

このとき、各IGBTチップのスイッチングタイミングをバランスさせるべく、コアTc1,Tc2,Tc3,Tc4によって互いに磁気結合させると好都合である。 - 特許庁


例文

The FC converter 18 has capacitors 22, 26, and 30 and temperature sensors 23, 27, and 31 which detect capacitor temperatures Tc1, Tc2, and Tc3.例文帳に追加

FCコンバータ18は、コンデンサ22,26,30と、コンデンサ温度を検出する温度センサ23,27,31とを有する。 - 特許庁

A carrier signal detecting unit 216 outputs a process start signal to a report request generating unit 218 in the case of Tc3>Tmax.例文帳に追加

キャリア信号検出部216は、Tc3>Tmaxとなった場合に処理開始信号を報告要求生成部218に対して出力する。 - 特許庁

Controlling transistors TC1 to TC3 comprising N-channel MOS transistors are connected between a connecting point between drains of both transistors constituting CMOS inverters IN1 to IN3 and grounding potential, and a control voltage VC is applied to gates of the TC1 to TC3.例文帳に追加

CMOSインバータIN_1 〜IN_3 を構成する両トランジスタのドレイン間の接続点と、接地電位との間にNチャネルMOSトランジスタからなる制御用トランジスタTC_1 〜TC_3 を接続し、制御用トランジスタTC_1 〜TC_3 のゲートに制御電圧V_C を印加する。 - 特許庁

Since the TC1 to TC3 are connected between the connecting point between the drains of both transistors constituting the IN1 to IN3 and grounding potential, the low voltage operation can be achieved as compared when the T1 to TC3 are connected in series with the IN1 to IN3.例文帳に追加

このとき、制御用トランジスタTC_1 〜TC_3 は、CMOSインバータIN_1 〜IN_3 の両トランジスタのドレイン間の接続点と接地との間に接続されているから、制御用トランジスタTC_1 〜TC_3 をCMOSインバータIN__1 〜IN_3 と直列に接続する場合に比較して、低電圧化を図ることができる。 - 特許庁

例文

When any one of the capacitor temperatures Tc1, Tc2, and Tc3 rises to a threshold temperature Tth or higher, the control unit 21 executes control for lowering a boosting voltage target value or boosting ratio in boosting by the battery converter 20.例文帳に追加

制御部21は、コンデンサ温度Tc1,Tc2,Tc3のいずれかが閾値温度Tth以上になったとき、バッテリコンバータ20による昇圧電圧目標値または昇圧比を低下させる制御を実行する。 - 特許庁

例文

An opening of the control valve 37 is adjusted on the basis of outputs of temperature sensors Tc3 or Tc4 and Tc5, in accordance with the lowering of the temperature of the load-side refrigerant to a normal temperature by being cooled by the primary cooling water.例文帳に追加

一次冷却水の冷却により負荷側冷媒の温度が常温に近付くにつれ、温度センサTc3またはTc4、およびTc5の出力に応じて制御バルブ37の開度を調節する。 - 特許庁

By this, a controlling current Id is made to flow through the TC1 to TC3, which results in varying the inverter current If flowing through the IN1 to IN3, and oscillation frequencies of oscillation output varies.例文帳に追加

これによって制御用トランジスタTC__1 〜TC_3 には制御用電流Idが流れるから、結果的にインバータIN_1 〜IN__3 を流れるインバータ電流Ifが変化することになって、発振出力の発振周波数が変化する。 - 特許庁

例文

The third magnetic layer is made to vertical magnetic film by forming multilayer films including the first, the second and the third magnetic layer in this order to lower curie temperature TC2 of the second magnetic layer than curie temperature TC1 of the first magnetic layer and curie temperature of TC3 of the third magnetic layer.例文帳に追加

第1磁性層、第2磁性層および第3磁性層をこの順に含む多層膜を形成し、第2磁性層のキュリー温度T_C2を第1磁性層のキュリー温度T_C1および第3磁性層のキュリー温度T_C3よりも低くして第3磁性層を垂直磁化膜とする。 - 特許庁

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