「zero temperature coefficient」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide TiO_2-SiO_2 glass whose coefficient of linear thermal expansion at room temperature is nearly zero and where the physical property of a multilayer film is maintained for a long time by emitting hydrogen from the glass when used as the optical member of an exposure device for EUVL.例文帳に追加

ＥＵＶＬ用露光装置の光学系部材として使用した場合に、室温における熱膨張係数がほぼゼロとなり、ガラスから水素を放出させることで多層膜の物性を長時間維持させることが可能なＴｉＯ_2−ＳｉＯ_2ガラスの提供。 - 特許庁

To provide a dielectric ceramic composition at which the absolute value of the temperature coefficient (τf) of a resonant frequency can be small (wherein, the value is close to zero) and a high Q×f value can be obtained by examining the blending of basic raw material compositions.例文帳に追加

基本となる原料組成の配合を検討することにより、共振周波数の温度係数(τｆ)の絶対値を小さな値（より零に近づく小さな値）とすることができるとともに、高いＱ・ｆ値が得られる誘電体磁器組成物を提供する。 - 特許庁

The polymerization initiator composition consists of (A) an organic peroxide having 30-125°C 10 hr half life temperature, and (B) a fluorine- containing solvent having zero ozone-disruption coefficient and 10-120°C boiling point, and the method for producing the fluorine-containing polymer by using the above polymerization initiator composition is also provided.例文帳に追加

１０時間半減期温度が３０〜１２５℃である有機過酸化物（Ａ）と、オゾン破壊係数が０でありかつ沸点が１０〜１２０℃である含フッ素溶剤（Ｂ）とからなる重合開始剤組成物および該重合開始剤組成物を用いてラジカル重合により含フッ素ポリマーを製造する方法。 - 特許庁

To provide a production method for a dielectric porcelain composition whereby the absolute value of temperature coefficient (τf) of resonance frequency is surely lowered to a small value (a value nearing to zero ppm/°C) by a simple method in order to widen the application of the composition as a dielectric material for high frequency waves, such as microwaves and millimeter waves.例文帳に追加

マイクロ波、ミリ波などの高周波用誘電体材料としての用途の拡大を図るべく、共振周波数の温度係数（τｆ）の絶対値を簡易な方法でかつ確実に小さな値（より零ｐｐｍ／℃に近づく小さな値）とすることができる誘電体磁器組成物の製造方法を提供する。 - 特許庁

The insulating layer 21 having the above chemical structure can allow a frequency temperature coefficient of the surface acoustic wave element to approximate to zero within a range of a thin film thickness of the insulating layer 21, irrespective of the material of the piezoelectric substrate 12, compared to the conventional case that a silicon dioxide film is used as an insulating layer.例文帳に追加

上記の化学構造を有する絶縁層２１により、従来、絶縁層として二酸化ケイ素膜を用いたときに比べて、前記圧電性基板１２の材質にかかわらず、前記絶縁層２１を薄い膜厚の範囲内で、弾性表面波素子の周波数温度係数を０に効果的に近づけることが出来る。 - 特許庁