「バイア」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

複数の第１の導電性バイアおよび第２の導電性バイアに複数の第３の導電性バイアおよび第４の導電性バイアを形成し、複数の第３の導電性バイアと第４の導電性バイアを接続する複数の第２の金属ランナを形成する。例文帳に追加

A plurality of third and fourth conductive via holes are formed on a plurality of first and second conductive via holes, and a plurality of second metal runners connecting a plurality of third conductive via holes with the fourth conductive via holes are formed. - 特許庁

シリコン基板中のバイアを充填する方法例文帳に追加

METHOD FILLING VIA IN SILICON SUBSTRATE - 特許庁

ウェハは、ウェハの幅を貫通するバイアを含む。例文帳に追加

The wafer includes via through the width of the wafer. - 特許庁

バイアは、メタライゼーション層にも向かって下方に延びる。例文帳に追加

A via also extends downward toward a metallization layer. - 特許庁

層間接続バイア・ホールを有する多層プリント基板例文帳に追加

MULTILAYER PRINTED BOARD WITH INTERLAYER CONNECTION VIA-HOLE - 特許庁

回路アセンブリのためのバイアを作製するためのプロセス例文帳に追加

PROCESS FOR PRODUCING VIA FOR CIRCUIT ASSEMBLY - 特許庁

半導体基板に端末バイアを形成する方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING TERMINAL VIA ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE - 特許庁

接点／バイアの接着層を製造するための方法例文帳に追加

MANUFACTURE OF ADHESIVE LAYER OF CONTACT/VIA - 特許庁

相互接続バイア(214,216,218)と誘電体バイア(222,224,226)により、電子回路がセンサに電気的に接続される。例文帳に追加

An electronic circuit is electrically connected to the sensor by means of the interconnection vias 214, 216 and 218 and dielectric vias 222, 224 and 226. - 特許庁

導電金属が、バイアおよびトレンチに堆積される。例文帳に追加

A conductive metal is deposited in the via and trench. - 特許庁

複合直径バイアの構造及びその製造方法例文帳に追加

STRUCTURE OF COMPOUND DIAMETER VIA AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

熱バイアを有するモノリシックマイクロ波集積回路パッケージ例文帳に追加

MONOLITHIC MICROWAVE INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE HAVING THERMAL VIA - 特許庁

その後、キャパシタ・アパーチャ内でキャパシタが形成および設置され、バイア・アパーチャ内でバイアが形成および設置される。例文帳に追加

Subsequently a capacitor is formed and located in the capacitor aperture and a via is formed and located in the via apertures. - 特許庁

相互接続構造内での低抵抗バイア・コンタクトの形成例文帳に追加

FORMATION OF LOW-RESISTANCE VIA CONTACT IN INTERCONNECTION STRUCTURE - 特許庁

斜行バイアが形成された印刷回路基板およびパッケージ例文帳に追加

PRINTED CIRCUIT BOARD AND PACKAGE FORMED WITH SKEW VIA - 特許庁

ガイドポストはバイア開口によって部分的に包囲されている。例文帳に追加

The guide post is partially enclosed with the via opening. - 特許庁

多層誘導デバイス及びその他のデバイスのためのバイア形成例文帳に追加

VIA FORMATION FOR MULTILAYER INDUCTIVE DEVICE AND OTHER DEVICES - 特許庁

バイア及びコンタクトのシーケンシャルスパッタ及び反応性プリクリーニング例文帳に追加

SEQUENTIAL SPUTTER AND REACTIVE PRECLEANING OF VIA-HOLE AND CONTACT - 特許庁

単一波状形状バイアあるいは溝空洞の形成方法および二重波状形状バイア空洞の形成方法例文帳に追加

FORMING METHOD OF SINGLE CORRUGATED VIA OR TRENCH CAVITY, AND FORMING METHOD OF DOUBLE CORRUGATED VIA CAVITY - 特許庁

第１のバイア開口および第２のバイア開口が、各々、第２の絶縁層を通って第２の間隙内まで延出する。例文帳に追加

A first via opening and a second via opening are respectively passed through the second insulating layer and extended into the second gap. - 特許庁

ガス抜き通路が０．５から５ｍｍの間の直径を持つバイア３０７を含み、表面の接触面積のバイア密度が、平方インチ当たり約１から１００バイア（平方メートル当たり１．５５×１０^3から１．５５×１０^5バイア）である。例文帳に追加

The degasification passages comprise the vias 307 having a diameter of from 0.5 to 5 mm, wherein the via consistency of the contact area of the surface is about 1-100 vias per square inch (from about 1.55×10^3 to 1.55×10^5 vias per square meter). - 特許庁

バイアおよびトレンチは、その後、誘電体材料にエッチングされる。例文帳に追加

The via and the trench are then etched in a dielectric material. - 特許庁

導電バイア２８は、選択的にライン導体２２に接触している。例文帳に追加

Electrical conduction vias 28 contact line conductors 22 selectively. - 特許庁

バイア或いはジュアルダマスカス構造の銅汚染を避けるための方法例文帳に追加

METHOD FOR AVOIDING COPPER CONTAMINATION IN VIA OR DUAL DAMASCENE STRUCTURE - 特許庁

バイアおよびめっきスル—ホ—ルの充填用組成物およびその使用例文帳に追加

COMPOSITION FOR FILLING VIA AND PLATED THROUGH HOLE AND USE THEREOF - 特許庁

多層プリント配線板において、バイア同士の接続を確実に行う。例文帳に追加

To surely connect mutual vias in a multilayer printed wiring board. - 特許庁

この構造により中央導体バイアがグラウンド・バイアによってシールドされ、他の回路要素との電磁気的干渉が低減される。例文帳に追加

With this structure, the central conductor via 130 is shielded by the ground vias 132, 134, and 236, reducing the electro-magnetic interference relative to other circuit elements. - 特許庁

スタック・バイア中の熱機械的応力を低減する構造および方法例文帳に追加

STRUCTURE AND METHOD FOR REDUCING THERMAL MECHANICAL STRESS IN STACK AND VIA - 特許庁

導電性バイアは、ベース部分を通して圧電共振子を外部の回路に電気的に接続し、各々の導電性バイアは、主要部分（１７）からバイアを絶縁するように絶縁ライニング（１８）によって囲まれる。例文帳に追加

The conductive vias electrically connect the piezoelectric resonator to an outside circuit through the base part, and each of the conductive vias is surrounded by an insulative lining (18) so as to insulate the vias from the main portion (17). - 特許庁

本発明の一実施例の相互接続バイア構造は、基板に対して垂直に貫通する中心導体バイア１３０と、この周囲を囲むように設けられた複数のグラウンド・バイア１３２、１３４、２３６を備える。例文帳に追加

A interconnection via structure comprises a central conductor via 130 penetrating a substrate vertically and a plurality of ground vias 132, 134, and 236 so provided as to enclose it. - 特許庁

層間接続バイア・ホールを有する多層プリント基板の製造方法例文帳に追加

MULTILAYER PRINTED BOARD HAVING VIA HOLE FOR INTERLAYER CONNECTION AND ITS METHOD OF MANUFACTURE - 特許庁

バイアは、ウェハの背面を介して空洞への別のアクセスを提供する。例文帳に追加

The via provides another access to the cavity via the back surface of the wafer. - 特許庁

バイアの上の低誘電率誘電体層内にトレンチ（R_1）が形成される。例文帳に追加

A trench (R_1) is formed in the low-permittivity dielectric layer on the vias. - 特許庁

コンデンサのトッププレートは上側の第二の導電バイアに接続される。例文帳に追加

A top plate of the capacitor is connected to an upper second conductive via. - 特許庁

他の実施形態においては、コンタクト及びバイアの信頼性は、コンタクト及びバイアを取り囲む領域に付加的なメタライゼーションを追加することによって、又は冗長コンタクト及びバイアを追加することによって改善される。例文帳に追加

In the other embodiment, reliability of contact and a buyer is improved by adding additional metallization to an area of surrounding the contact and the buyer or adding redundant contact and buyer. - 特許庁

一群のチャネルは、バイア上に一群の接触パッドを定義するために、少なくともいくつかのバイアについて、導電性材料層において形成される。例文帳に追加

The group of channels are formed in the conductive material layer with regard to at least several vias in order to define a set of contact pads on the vias. - 特許庁

次いでトレンチとバイアは銅で埋められて相互接続線が形成される。例文帳に追加

Next, the trenches and vias are embedded with copper to form an interconnected line. - 特許庁

金属層を絶縁層上、トレンチ及びバイア開口部内に付着する。例文帳に追加

A metallic layer is stuck onto the insulation layer, into the trench and the via opening part. - 特許庁

また、これらバイアの直径サイズ及びバイア間の間隔を変更することによって所望のインピーダンスを有する相互接続構造を実現することができる。例文帳に追加

By changing the diameter of the vias or the interval between vias, the interconnection structure comprising a desired impedance is provided. - 特許庁

レベル間バイアが第２の誘電体層及び第２のストップ層３０を通してエッチングされ、金属がバイア内に充填されて金属化層と接触する。例文帳に追加

An inter-level via is etched through the second dielectric layer and the second stop layer 30, and the metal is filled into the via and is brought into contact with the metallization. - 特許庁

半導体デバイス上に低バイア・コンタクト抵抗を有する複数のバイア・コンタクトを備えたＢＥＯＬ相互接続構造体を作製する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a BEOL interconnection structure provided with a plurality of via contacts each having low via-contact resistance on a semiconductor device. - 特許庁

任意選択として、バイア・レベル誘電体の多孔内にも空気が含まれる。例文帳に追加

Optionally, air is also included within porosities in the via level dielectric. - 特許庁

高アスペクト比を有するプラグを充填する本発明の方法においては、核形成層を、バイアの側壁上ではなく、バイアの底に形成する。例文帳に追加

A nucleation layer is formed not on a side wall of a via but on the bottom of the via, in the method of filling the plug having the high aspect ratio. - 特許庁

裏側接地面（８２）は接地バイア（７２）と接触するように付着される。例文帳に追加

A back-side ground plane (82) is deposited in contact with the ground vias (72). - 特許庁

バイアと犠牲的エッチングセグメントのための二重ダマシーン不整列許容技術例文帳に追加

DUAL DAMASCENE MISALIGNMENT TOLERANT TECHNIQUE FOR VIA AND SACRIFICIAL ETCHING SEGMENT - 特許庁