グリッドバイアスの英語

帰線消去信号のＤＣ（直流）成分はキャパシタ（Ｃ１）により除去され、そのＡＣ（交流）成分の信号（Ｓ２）はグリッドバイアス発生器に供給されて、上記ＡＣ成分によって変調された出力グリッドバイアス基準電圧（Ｖｒ）が生成される。例文帳に追加

A capacitor C1 eliminates a DC component of the blanking signal, a signal S2 of an AC component is fed to a grid bias generator, where an output grid bias reference voltage Vr modulated by the AC component is generated. - 特許庁

事前の検討により、一次電流が１３００μＡでグリッドバイアスが５００Ｖの場合（Ａ設定）と、一次電流が７００μＡでグリッドバイアスが９００Ｖの場合（Ｂ設定）はともにドラム電位が４００Ｖになることが分かっている。例文帳に追加

In the case that a primary electric current is 1,300μA and grid bias is 500V (A setting), and in the case that the primary electric current is 700μA and the grid bias is 900V (B setting), drum potential is set as 400V in both cases. - 特許庁

帰線消去信号発生器（６０）を含むグリッドバイアス制御回路（５０）によって受信機／モニタ（１０）の陰極線管（１６、１８、２０）にグリッド帰線消去を与えると共に上記陰極線管にスポット焼け保護を与える。例文帳に追加

To allow a grid bias control circuit including a blanking signal generator to provide grid blanking to a cathode ray tube of a receiver/monitor and to provide spot baking protection to the cathode ray tube. - 特許庁

このコントラスト電位Ｖｃｏｎｔに基づいて、グリッドバイアスを供給する高圧電源３０１，３０２、現像バイアスを供給する高圧電源３０３のそれぞれの出力電圧が制御され、画像の濃度が制御される。例文帳に追加

Based on the contrast potential Vcont, the output voltage of each of high-voltage power sources 301 and 302 supplying grid bias and a high-voltage power source 303 supplying developing bias is controlled, so that the image density is controlled. - 特許庁

陰極線管の電子ビームの走査が消失したとき、陰極線管のグリッドバイアス電圧を急速に低下させてビームをカットオフし、螢光体のスポット焼けを防止する。例文帳に追加

To prevent a phosphor from being backed by a beam spot, by quickly reducing a grid bias voltage of a cathode-ray tube to cut-off the beam when scanning of the electron beam of the cathode ray tube is lost. - 特許庁

不揮発性記憶部に記憶された調整値（グリッドバイアス値）が失われた場合であっても画質の低下が生じないまたは低下が抑えられた画像形成装置を提供する。例文帳に追加

To provide an image forming apparatus which does not cause or restrains the deterioration in image quality even when an adjusted value (grid bias value) stored in a non-volatile storage part is lost. - 特許庁

現像ユニット２４が動作する画像形成時、帯電ユニット２４のグリッドバイアス電圧−Ｖｇの値が、上記検出された目標値−Ｖｇｔに設定される。例文帳に追加

At image formation where a development unit 24 operates, the value of the grid bias voltage -Vg of the charging unit 24 is set to the detected target value -Vgt. - 特許庁