磁性線メモリの英語

この強磁性細線素子の構成を用いてマイクロ波発振器や磁気メモリを直ちに得ることも可能である。例文帳に追加

A microwave oscillator and a magnetic memory can immediately be obtained by using a structure of the ferromagnetic fine line element. - 特許庁

隣接するメモリセル間で発生するクロストークを抑制するとともに、配線抵抗が増大することのない薄膜磁性体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film magnetic substance memory without increasing wiring resistance by suppressing crosstalk generated between adjacent memory cells. - 特許庁

金属配線から発生する電流磁界をより有効に活用することにより、高集積化を可能とする磁性薄膜メモリを提供する。例文帳に追加

To provide a thin magnetic film memory which enables high integration by effectively utilizing current magnetic field generated from metal wiring. - 特許庁

電気的ビット線は、導電性構成要素(110,214,314)と、磁界に関連する磁束を磁気メモリセルの方へ誘導するための磁性構成要素(112,216,316)とを含む。例文帳に追加

The electrical bit lines include electrically conductive elements (110, 214, 314), and magnetic elements (112, 216, 316) for guiding magnetic flux, in relation to the magnetic field to the magnetic memory cells. - 特許庁

情報の再生時は、ワード線２４によって、左向きから右向きへ反転するパルス磁界を磁性メモリに印加する（Ｄ）。例文帳に追加

During an information reproducing, a pulse magnetic field which reverses its direction from the left to the right is applied to the magnetic memory by a word line 24 (D). - 特許庁

メモリセルにデータを書き込む際に、メモリセルの磁性層を所望の磁化方向に磁化させるようにビット線に流す書き込み電流の総量を低減し、もって消費電力を低減することができる。例文帳に追加

To reduce power consumption by reducing the total amount of a writing current supplied to a bit line to magnetize a magnetic layer of a memory cell in a desired magnetizing direction when data is written in the memory cell. - 特許庁

高集積化に適したメモリセル配置、特に折り返し型ビット線構成に適したメモリセル配置を有する薄膜磁性体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film magnetic material storage device having a memory cell arrangement suitable for a memory cell arrangement appropriate for higher integration, especially for a folding bit line configuration. - 特許庁

基板上に形成される第１磁性層／非磁性層／第２磁性層からなる磁気抵抗膜と、この磁気抵抗膜近傍に配置された情報記録用の導体線あるいは情報の記録・再生兼用の導体線と、磁気抵抗膜の近傍に磁化固定層を有する磁気抵抗効果メモリ。例文帳に追加

A magnetic resistance effective memory has a magnetic resistance film consisting of a first magnetic layer, a non-magnetic layer, and a second magnetic layer formed on a substrate, a conductor line for recoding information arranged near this magnetic resistance film or a conductor line for both recording and reproducing information, and a magnetization fixing layer near a magnetic resistance film. - 特許庁