基底上層の英語

ゲート電極に電圧を印加しない状態で、半導体上層の量子井戸層の基底エネルギー準位が半導体下層の量子井戸層の基底エネルギー準位よりも高くなるように調整する。例文帳に追加

While the gate electrode is applied with no voltage, the base energy level of the quantum well layer of the semiconductor upper layer is adjusted to be higher than the base energy level of the quantum well layer of the semiconductor lower layer. - 特許庁

基底層２０の最上層であるIII族窒化物系化合物半導体層３１は、貫通転位の抑制された結晶性の良い層となる。例文帳に追加

The uppermost layer of the basic bottom layer 20, which is the group III nitride-based compound semiconductor layer 31, is a layer of good crystallinity with a reduced number of through dislocation. - 特許庁

上層部８６には、側縁部８６ａか基底部８１の側縁部８１ｂよりも外側に張りだしている延出部８６ｂが形成され、コイル絶縁層（絶縁層）５７が、延出部８６ｂの下にも存在している。例文帳に追加

An extended part 86b is formed in an upper layer part 86 to be bulged to the outside more than a side edge part 86a or the side edge part 81b of a base part 81, and a coil insulating layer (insulating layer) 57 is present below the extended part 86b. - 特許庁

足置部２は柔軟な素材からなる上層部４、柔軟性を有しない素材からなる基底部５、ゴム弾性を有する足指固定部６を有する。例文帳に追加

The foot positioning portion 2 has an upper layer portion 4 made of a flexible material, a base bottom portion 5 made of a non-flexible material, and a toe-fixing portion 6 having rubber elasticity. - 特許庁

中間転写記録媒体１の転写部９に適した接着性の最上層と、被転写体４２の表面に適した接着性の基底層からなる接着層２７、３７を介し、画像形成受容層８とホログラム層５の転写部９を、被転写体４２上に転写して印画物４１を形成する。例文帳に追加

The print object 41 is formed by transferring the transferring part 9 consisting of an image forming and receiving layer 8 and a hologram layer 5 on the body 42 to be transferred through the adhesive layers 27 and 37 consisting of the uppermost layer with an adhesiveness suitable to the transferring part 9 of the medium 1 and a base layer with an adhesiveness suitable to the surface of the body 42. - 特許庁