基底レベルの英語

コンデンサ１８、ダイオード１９及び２０の接続点に発生するパルスＶm1は、そのパルス基底部の電圧レベルは制御電圧(第２の直流電圧)Ｅｃにクランプされている。例文帳に追加

Concerning a pulse Vm1 generated at the connecting point of a capacitor 18 and diodes 19 and 20, the voltage level of the pulse base is clamped to the regulated voltage (a second DC voltage) Ec. - 特許庁

第一機構は、基底１０２の上に形成され、ナノレベルのでこぼこ面を有し、拡散光源により対比度を増加させ、かつ第一部分及び第二部分を有する。例文帳に追加

A first mechanism is formed on a base 102, has the bumpiness surface of the nano level, increases the degree of contrast by a diffusion light source and has a first portion and a second portion. - 特許庁

ビームスポット３０の半径Ｘ１よりも短いスペース領域を形成する場合にはアシストパルスによる予熱を行わず、オフパルスパターンを基底パワーレベルに固定する。例文帳に追加

In the case of forming a space area shorter than the radius X1 of a beam spot 30, no preheating by an assist pulse is not carried out, but an offpulse pattern is fixed to a basic power level. - 特許庁

遷移を刺激するエネルギーホールを備えたレドックスエネルギー共振の電気化学的反応体によって、基底状態の下の量子化されたポテンシャルエネルギーレベルに解放するように、電子を刺激することによって、水素原子から熱を解放する方法及び構造。例文帳に追加

The method and structure are adapted for releasing heat from hydrogen atoms by stimulating electrons by means of an electrochemical reactor of redox energy resonance having energy holes which stimulate transition, in such a way that the electrons are released to quantized energy levels below a ground state. - 特許庁

励起光源に、イオンを基底準位からレーザ下準位又はそれより上方のエネルギレベルへ励起する第１の半導体レーザ励起光源と、第１励起光源とは異なる波長を有し、イオンをレーザ下準位からレーザ上準位へ励起する第２の半導体レーザ励起光源とを使用する。例文帳に追加

The stimulation light source uses a first semiconductor laser stimulation light source which stimulates the ion from a ground level to a lower laser level or an energy level higher than the lower laser level and a second laser semiconductor laser stimulation light source which stimulates the ion from the lower laser level to an upper laser level. - 特許庁

励起光源に、イオンを基底準位からレーザ下準位又はそれより上方のエネルギレベルへ励起する第１の半導体レーザ励起光源と、第１励起光源とは異なる波長を有し、イオンをレーザ下準位からレーザ上準位へ励起する第２の半導体レーザ励起光源とを使用する。例文帳に追加

For the pumping light source, a first semiconductor laser pumping light source for exciting ions from a ground level up to a laser lower level or an energy level higher than the laser lower level, and a second semiconductor laser pumping light source which has wavelength different from the wavelength of the first pumping light source and excites ions from the laser lower level up to a laser upper level, are used. - 特許庁

本発明はウェーハレベルパッケージのハンダ接合構造において、所定の基底層に形成された空気層と、前記空気層の上部に形成された接続パッドとからなり、前記空気層の一部が側面に前記接続パッドを超過して露出された領域を含むことを特徴とする空気パッドハンダ接合構造である。例文帳に追加

In the solder joining structure of a wafer level package, there is provided an air pad solder joining structure comprising an air layer formed in a predetermined substrate layer, a connection pad formed in the upper portion of the air layer, and a part of the air layer including in a side face thereof a region passing over an exposed connection pad. - 特許庁