浅割れの英語

小さく浅い割れ内部の電気化学的腐食電位を測定するための方法及び装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING ELECTROCHEMICAL CORROSION POTENTIAL INSIDE SMALL AND SHALLOW CRACK - 特許庁

三田村氏は京極氏の根本被官であったが、浅井氏の勢力拡大の際に二つに割れた。例文帳に追加

The Mitamura clan had been one of the konpon hikan (primal vassals) of the Kyogoku clan, but the clan was split into two when the Azai clan extended its influence.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

この予備加工部位の決定は、上下面加工機100の上下のカッタ171，172を用いて、割れの発生するおそれのある箇所に浅い窪みを形成するために行うものである。例文帳に追加

This determination on the preliminary working site is performed to form a shallow recessed part at a position where there exists a possibility of generating the cracks by using upper and lower cutters 171 and 172 of the top and bottom face working machine 100. - 特許庁

これにより、基板表面の浅い領域を必要以上に加熱することなく深い領域をも活性化温度以上に昇温することができ、基板に反りや割れを生じさせることなく深い接合の活性化を行うことができる。例文帳に追加

Since a temperature in a deep region in the surface of the substrate can be raised to an activation temperature or above without overheating a shallow region, activation of junction in the deep region can be carried out without causing warpage or cracking of the substrate. - 特許庁

本発明は引張荷重に対する微細ひび割れが生じ破断に至る迄の伸び長、即ち強度に影響が少ない浅く微細なひび割れ発生を維持する伸び長を大幅に増大し、橋梁等のコンクリート構築物の繊維強化セメントモルタルとして比類のない補修強度が期待できる繊維強化セメントモルタルを提供する。例文帳に追加

To provide fiber-reinforced cement mortar remarkably increasing the length of elongation until fine crack produced by tensile load reaches rupture, that is, increasing the length of elongation while keeping fine cracks having small effect on the strength and expectable of incomparable repair strength as the fiber-reinforced cement mortar for a concrete structure such as a bridge. - 特許庁

半導体装置の製造工程において、１００ｍｓｅｃ以下のパルス幅で照射光を照射することによる半導体基板のダメージを抑え、半導体基板の割れによる歩留り低下を抑えるとともに、低抵抗化と浅接合化の両立を図ることが可能な半導体装置の製造方法と熱処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, and a thermal processing apparatus such that damage to a semiconductor substrate due to irradiation with irradiation light having a pulse width of ≤100 msec is suppressed in a process of manufacturing the semiconductor device to suppress a decrease in yield due to cracking of the semiconductor substrate, and thus lower resistance and shallow joining are compatibly achieved. - 特許庁